一维ZnO纳米结构的电子场发射研究

在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能。对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0m Ac/m2的电流密度只需要4.5V/μm的电场;对于线状Z nO纳米结构,获得1.0mAc/m 2的电流密度需要6.5V/μm的电场。由于其特殊的结构,四角状ZnO一维纳米结构在真空电子器件方面有很好的应用前景。     

HfOxNy的场发射特性

用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性.高压"锻炼"对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用,这与高压"锻炼"下薄膜内部结构和表面性质的改变有关.对场发射机理的研究表明,HfOxNy的场发射符合经典的FN隧穿理论.     

大试样扫描电镜

日立高技术公司推出新型场发射扫描电镜Ｓ4 80 0。这种扫描电镜的特点是 ,新的物镜设计与ＥＸＢ滤光技术可收集与分离来自纯二次电子、组成二次电子和背散射的各种信号。它收集低能量背散射电子的效率比标准ＥＸＢ滤光系统高三倍 ,可确保在低的加速电压下产生显著的背散射电子像。这种新的电子 -光学系统可提供在 15ｋＶ为 1 0ｎｍ与 1ｋＶ为 2 0ｎｍ的分辨力。为发挥其最大能力 ,重新设计了试样台 ,利用涡流分子泵避免污染。Ⅰ型电镜的试样台 ,在ｘｙ方向可移动 5 0ｍｍ× 5 0ｍｍ ,Ｚ向有倾斜能力。Ⅱ型电镜与一个8ｉｎ小室相连 ,可测试…     

真空微电子三极管几何参数的设计考虑

真空微电子三极管是近年来兴起与发展的真空微电子学中的一类重要器件。本文从真空微三极管的工作特性出发,分析了这类器件中所需考虑的几何参数和工作特性的关系,并给出了一些理论和实验公式,为今后的设计提供一些参考。     

链状碳纳米管的制备及其场发射性能研究

本文是利用微波等离子体化学气相沉积的方法,在钛金属层上快速制备出由众多内部中空、外观呈锥形链状的碳纳米管组成的碳膜。通过扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱等仪器分析了碳纳米管的组成。在真空条件下,测量了碳纳米管链薄膜的场电子发射特性。用热动力学过程解释了锥形碳纳米链的生长机理。     

带锥敏感薄膜形变特性有限元仿真

在一种新的基于真空二极管原理的场发射压力传感器中 ,阴极发射尖锥体和敏感薄膜制备于同一硅片上 ,从而简化了传感器的封装工艺 ,但因此可能导致传感器灵敏度的减小。利用有限元仿真技术 ,计算了在外部压力作用下 ,几何形状比较复杂的带尖锥体敏感薄膜的横向挠度形变特性。计算结果表明 ,与不带尖锥体的敏感薄膜相比较 ,带尖锥体敏感薄膜在额定外部静压力作用下的最大横向挠度的减小量小于 0 .4% ,因此对传感器灵敏度的影响可以忽略不计     

纳米碳管——场发射的新星——访北京大学物理系俞大鹏教授

2006年9月11日，2006第五届中国（国际）纳米科技西安研讨会在古城拉开帷幕，许多国内外纳米专家出席了本次盛会。茶歇期间，我们有幸对教育部长江学者、北京大学物理系教授、国内从事半导体纳米线资深学者——俞大鹏进行了采访。[编者按]