全文获取类型
收费全文 | 28040篇 |
免费 | 1196篇 |
国内免费 | 890篇 |
专业分类
电工技术 | 698篇 |
技术理论 | 3篇 |
综合类 | 1380篇 |
化学工业 | 3043篇 |
金属工艺 | 8951篇 |
机械仪表 | 967篇 |
建筑科学 | 215篇 |
矿业工程 | 2961篇 |
能源动力 | 124篇 |
轻工业 | 470篇 |
水利工程 | 30篇 |
石油天然气 | 287篇 |
武器工业 | 316篇 |
无线电 | 552篇 |
一般工业技术 | 3285篇 |
冶金工业 | 6559篇 |
原子能技术 | 134篇 |
自动化技术 | 151篇 |
出版年
2024年 | 149篇 |
2023年 | 506篇 |
2022年 | 607篇 |
2021年 | 647篇 |
2020年 | 531篇 |
2019年 | 458篇 |
2018年 | 253篇 |
2017年 | 430篇 |
2016年 | 476篇 |
2015年 | 666篇 |
2014年 | 1412篇 |
2013年 | 1257篇 |
2012年 | 1790篇 |
2011年 | 1864篇 |
2010年 | 1593篇 |
2009年 | 1769篇 |
2008年 | 1885篇 |
2007年 | 1625篇 |
2006年 | 1740篇 |
2005年 | 1575篇 |
2004年 | 1349篇 |
2003年 | 1072篇 |
2002年 | 873篇 |
2001年 | 694篇 |
2000年 | 557篇 |
1999年 | 450篇 |
1998年 | 449篇 |
1997年 | 429篇 |
1996年 | 414篇 |
1995年 | 372篇 |
1994年 | 382篇 |
1993年 | 354篇 |
1992年 | 404篇 |
1991年 | 327篇 |
1990年 | 346篇 |
1989年 | 295篇 |
1988年 | 40篇 |
1987年 | 26篇 |
1986年 | 15篇 |
1985年 | 12篇 |
1984年 | 10篇 |
1983年 | 14篇 |
1982年 | 7篇 |
1981年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
采用静态失重法、扫描电子镜及能谱分析、电化学测试法等方法研究了稀土元素Sm(0~0.9%)对AM60镁合金的铸态组织和耐腐蚀性的影响。结果表明:微量稀土元素Sm可细化AM60镁合金中β-Mg17Al12相,合金中的β-Mg17Al12相由粗大、连续树枝状分布逐渐转变为细小、弥散的颗粒状均匀分布。同时,合金中生成了大量弥散分布的富Sm的稀土相。这些富Sm的稀土相使合金的耐腐蚀性得到显著提高,当稀土Sm含量为0.6%时,合金腐蚀速率为0.6mg·cm-2·d-1,仅为基体合金的37%。随AM60镁合金中稀土元素Sm含量的增加,合金腐蚀电位逐渐升高,腐蚀电流减小。 相似文献
2.
4.
在60年代初以来的四十多年期间,我国的湿法稀土冶炼厂从无到有,从小到大,持续高速的发展,并取得了巨大的成就,在世界稀土行业中已处于极为重要的支柱位置及主导地位,发展前景看好。 相似文献
5.
省委、省政府多年来要求把四川的资源优势转化为经济优势,要依靠科学技术形成四川的特色产业并尽快作大作强,以求经济的跨越式发展。四川的稀土就是可能作大作强的优势和特色资源之一。上一届科技顾问团也为此作过专题研究。 相似文献
6.
MlβMm1—β(NiCoMnTi)5贮氢合金的电化学性能和Rietveld分析(2)Riet … 总被引:2,自引:0,他引:2
在AB5型混合稀土-镍系贮氢多元合金的研究中,为设计高性能价廉的AB5型贮氢电极合金,人们对其B侧多元合金化和A(=RE)侧稀奎组元分别进行了系统地研究。本工作通过对RE(NiCoMnTi)5合金中称土组元(RE=MlβMn1-β)进行组合优化研究,主要还是依赖于市售的混合稀土金属(Ml和Mm)原材料,利用不同种类的混合稀土中La,Ce,Nd,Pr组中相应变化,来调整其稀土成分。结果表明:Ml:M 相似文献
7.
从测得的竞聚率计算了单体链节在聚[苯乙烯-甲基丙烯酸β(甲基亚硫酰基)乙酯](PSM)中的序列分布。苯乙烯(S)或甲基丙烯酸β(甲基亚硫酰基)乙酯(M)的长序列的概率随着PSM中相应单体含量的增加而增加。对于S和M摩尔分数大致相等的PSM,单体链节的长序列分布函数值相接近。用与此结构相近的PSM合成的稀土金属络合物,其催化活性不佳。在M短序列分布和S长序列分布较高的情况下,络合物的催化活性最好。所得聚丁二烯的微观结构与PSM中单体单元的分布无关。 相似文献
8.
9.
采用溶胶凝胶方法成功地制备了掺杂稀土铽离子的 Zn O和 Mg0 .1 5Zn0 .85薄膜。通过对 X射线衍射结果的分析表明 ,稀土离子替代了 Zn2 +的格位 ,进入了半导体基质的晶格中。从阴极射线发光结果可以发现 ,在Mg0 .1 5Zn0 .85O基质中 ,可以观察到来源于稀土铽离子各能级的发射 ,而 Zn O:Tb的薄膜只能观察到较强的铽离子 5D4 — 7F5能级的跃迁。这可能是由于 Mg0 .1 5Zn0 .85O基质的能隙 (3 .65 e V)比 Zn O更宽 (3 .3 e V) ,其对铽离子的能量传递更有效的缘故。 相似文献
10.