快闪存储器前景

在存储器领域中,80年代末期由美国Intel公司率先研制推出的快闪存储器(FlashRAM)以其优异性能令商家耳目一新,由此推动快闪存储器在移动通信、个人电脑及网络设备等领域获得广泛应用,现正逐年取代EPROM、EEPROM以及PC机的BIOS芯片,成为与DRAM     

螺杆压缩机噪音的产生机理与控制

分析了空压机噪声声源的组成及频率特性。介绍了空压机噪声控制与治理的基本方法,即根据不同的声源部位采取消声、吸声和隔声等综合控制措施。     

光／电Fenton催化降解有毒有机污染物

在可见光(λ>450nm)照射并通外加电压(E=3V)条件下,以染料酸性桃红(Sulforhodamine B,SRB)及有机无色小分子化合物2,4-二氯苯酚(2,4-dichlomphenol,DCP)为目标物,探索光电Fenton降解其最佳反应条件,结果表明,对1.0×10-5mol/L SRB Fenton试剂(Fe3+/H2O2)在pH=3.0,H2O2浓度为7.49×10-4mol/L,Fe3+为2.48×10-4mol/L时,SRB降解效果最好.通过分析SRB及DCP降解过程紫外.可见光谱(UV-Vis)、红外光谱(FTIR)和总有机碳(TOC)测定,发现光电Fenton体系能使SRB和DCP发生有效的降解,SRB反应300min矿化率达到96.38%,DCP反应90min降解率达到100%.采用酶分析法和苯甲酸荧光分析法分别测定了在光电催化降解有机污染物过程中H2O2和羟基自由基(·OH)的变化,表明此光催化降解过程涉及·OH历程.     

串珠纤维对静电纺纤维复合滤纸结构和性能的影响

本研究制备了静电纺串珠纤维复合滤纸和静电纺纳米纤维复合滤纸,对其微观形貌和孔径等结构特性以及过滤阻力、过滤效率和容尘量等过滤性能进行了分析。结果表明,静电纺串珠纤维复合滤纸和静电纺纳米纤维复合滤纸的纺丝层纤维平均直径接近,分别为225、250 nm。通过控制纺丝时间使二者的初始过滤阻力相近时,静电纺串珠纤维复合滤纸过滤效率为73.1%,静电纺纳米纤维复合滤纸过滤效率为38.2%。相同测试条件下,静电纺串珠纤维复合滤纸阻力上升速度比静电纺纳米纤维复合滤纸慢,达到相同终止阻力时,静电纺串珠纤维复合滤纸的作用时间更长、容尘量更大,二者的容尘量分别为119.29、96.23 g/m~2;并采用仿真模拟软件GeoDict建立模型,探究了两者阻力变化情况和容尘量的差异。     

光响应型钛基纳米薄膜的制备及防腐性能研究

基于企业生产研究背景与优势,提出利用廉价且易得的钛源(例如:TiOSO4)材料为原料,采用反应简单、操作便捷的sol-gel法在基材表面制备一层或多层纳米级钛基薄膜,研究镀膜后基材在紫外光光照和暗态条件下的耐腐蚀能力,意图通过镀膜大幅度提高基材的耐腐蚀能力.通过选择钛源、沉淀剂、水溶胶的钛浓度、络合剂比例和反应温度优化水溶胶制备工艺;同时研究不同浓度水溶胶的粘温特性及采用水溶胶浓缩为干凝胶的方法对水溶胶中颗粒粒径和形貌进行观测,溶胶粒径均小于50 nm.后期采用匀速提拉法在基板表面进行不同层数薄膜的制备,采用相应热处理得到纳米钛基薄膜,并研究纳米薄膜的形貌.最后将基片制作成电极浸渍在3.5％氯化钠溶液中测试其防腐性能,制备纳米薄膜表面颗粒粒径均小于50nm,五层膜厚度在1μm左右.防腐性能测试结果表明在基材表面制备防腐薄膜提高了基材腐蚀电位、降低其腐蚀电流,在暗态条件下,相较基板的防护效率最高可达99.73％;在紫外光照下,相较基板的防护效率最高可达99.14％.同时通过暗态和紫外光照下的基板的开路电位分析,在紫外光照射下相对于暗态下的开路电位出现不同程度负移的情况,展现出薄膜具有光响应性.     

改革硅平面晶体管常规工艺的研究

选用超高频小功率晶体管3DG15做工艺研究实验.实验的方法、结果及其分析如下.一、实验方法及结果1.基区低温氧化及硼扩散采用N/N~+型硅外延片:外延层厚度d外=9μ,电阻率ρ外=0.3～0.5Ω·cm,层错密度N层≤300个/cm~2.取Ⅰ、Ⅱ两批片,Ⅰ批片按常规工艺条件氧化,Ⅱ批片接改革工艺条     

应收账款管理的几个问题

依据会计学原理，结合设计院科技型企业的会计和财务运行实践，就应收账款管理的重要性、管理政策和关联关系等问题进行了剖析。提出了划分信用等级、优化经营项目、收款责任制、合同授权、借款制度、呆账准备金、债权重整和法律手段等8个方面规范应收账款的操作程序，避免经营风险，确保财务安全，使企业的效益最大化。