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73.
利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm~400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰. 相似文献
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孙莉莉 《数码设计:surface》2021,(10):182-183
城市形象作为城市“软实力”的重要象征,是城市文化、精神面貌的重要体现。随着中国国际地位的不断飙升与外来文化的冲击,城市间的竞争日趋激烈,塑造良好的城市形象不仅可以扩大城市的知名度和美誉度,还可以带动一个区域全方位发展。随着旅游经济全球化的推进和传统文化复兴战略的推广,城市形象塑造研究被推入一个新的征程。本文将对融入中国传统元素的城市形象塑造进行研究分析,为构建融入中国传统元素的城市形象塑造寻求新的途径和策略。 相似文献
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76.
孙莉莉 《电子制作.电脑维护与应用》2013,(8):253-254
分析了物理学耗散结构的四个典型特征,并从耗散结构的角度出发,论证了网络社区的四个耗散结构的特征,为进一步研究网络社区的分叉结构打下了理论基础。 相似文献
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以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉末的结构、形貌和发光特性进行了表征.结果表明:在950℃时,可以得到纯度较高的GaN粉末且采用该工艺合成的GaN粉末粒度较均匀,生成的GaN多晶絮状颗粒为六方纤锌矿结构,室温下光致发光谱的测试结果发现了较强的402 nm处的近带边发光峰和460 nm处的蓝色发光峰. 相似文献
78.
以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉末的结构、形貌和发光特性进行了表征.结果表明在950℃时,可以得到纯度较高的GaN粉末且采用该工艺合成的GaN粉末粒度较均匀,生成的GaN多晶絮状颗粒为六方纤锌矿结构,室温下光致发光谱的测试结果发现了较强的402 nm处的近带边发光峰和460 nm处的蓝色发光峰. 相似文献
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针对非限条件下人脸识别准确率较低的问题,提出一种基于粒神经网络(MNN)与遗传算法优化的人脸识别算法。对人脸库进行初始化分析决定每个粒子中人脸的分布,将同一复杂度级别的数据分为一组;将人脸分为额头、眼睛与嘴三个部分,粒神经网络采用不同数量的数据点对面部子区域进行训练,获得多个训练结果;设计了一种多级的遗传算法对粒神经网络进行优化。基于两组公开人脸数据库的对比实验结果表明,该算法的识别准确率优于其他人脸识别算法。 相似文献