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542.
543.
利用0.25 μm GaAs PHEMT工艺设计并制作了一种Ka波段低噪声放大器芯片.提出了适用于低噪声放大器的PHEMT器件特征.电路采用四级级联结构.利用微带电路实现输入、输出和级间匹配.通过对电路增益、噪声系数和驻波比等指标进行多目标优化,确定了器件参数.该放大器测试结果为:26.5~36 GHz频段内增益大于20 dB;多数测试点噪声系数小于3 dB,其中34 GHz频点噪声仅为1.94 dB;芯片面积2.88 mm×1 mm. 相似文献
544.
ISP1362是Philips公司的一款USB接口芯片,内部有3个USB控制器——主机控制器、设备控制器和OTG控制器,可以设置为USB主机模式、设备模式以及OTG模式,因此具有较强的灵活性,尤其是OTG的工作模式,使得许多设备可以脱离PC机进行数据传输和通信。介绍ISP1362的常用功能,即该芯片作为主机控制器时的使用,并以USB鼠标为例,介绍了他在SOPC中作为USB主机模式的应用,并能试验板的液晶屏上看到其移动的方向,完成了嵌入式系统的外设功能。 相似文献
545.
546.
结合建筑桩基设计及桥梁施工实践,针对JTJ02485中的嵌岩桩承载力计算的局限性,介绍了更符合嵌岩桩实际受力模式的计算方法,并提出了应用中的注意问题,以提高桩基设计的可靠性和经济性。 相似文献
547.
548.
一种多频带高线性度CMOS单边带混频器 总被引:1,自引:0,他引:1
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计实现了一种多频带高线性度的单边带(SSB)混频器。该混频器以经典的电流换向结构为基础,采用电阻负载以满足多频带工作、高线性度和高带内增益平坦度要求,并节省了面积。通过集成有源巴伦将混频器输出差分信号转换成单端信号,提高了发射机的系统集成度且有利于降低功耗。测试结果表明:在2.3~2.4 GHz及3.4~3.6 GHz工作频带内,IP1dB大于0 dBm,带内增益平坦度小于0.5 dB,本振泄漏小于-47 dBm,镜像信号抑制大于36 dB,为LTE标准的无线射频前端芯片的进一步研究提供了参考。 相似文献
549.
采用0.18 μm CMOS六层金属工艺,利用带中心抽头的对称螺旋电感和新型电容调谐阵列构成的LC谐振回路,设计并实现了一种低功耗低相位噪声的数字控制振荡器(DCO).流片测试结果表明,相位噪声在1 MHz偏移频率处为-119.77 dBc/Hz.电路采用1.8V电源供电,消耗约4.9mA电流,当电源电压降到1.6V时,消耗约4.1 mA的核心电路电流,此时,相位噪声在1 MHz频偏处仍达到-119.1 dBc/Hz.为了提高全数字锁相环设计效率,采用硬件描述语言,构建了一种适用于全数字锁相环的仿真模型.该模型能大大缩短早期系统级架构选择和算法级行为验证的时间. 相似文献
550.