Pt/Ti电极的制备及其对甲基红的催化氧化

在钛基体上电沉积铂制得Pt/Ti电极,用该电极处理甲基红模拟废水,当电流密度为100 A/m2,甲基红含量为100 mg/L,在较宽的pH值范围内,电解80 min后,脱色效率几乎达到100%.紫外-可见吸收光谱分析表明,废水处理的矿化程度高.     

锡镍合金负极材料Li嵌入性质的平面波赝势方法研究

利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对锡镍合金Ni2Sn和LiNi2Sn的电子结构进行计算.结果表明:负极材料Ni2Sn在脱嵌锂后,大量的镍原子将以团聚形式游离出来缓冲体积膨胀,体积膨胀率为8.418%,同时部分镍原子与锡原子形成较强共价键稳定基体骨架,抑制体积效应从而提高循环性能.这与实验规律一致.     

醇改性TDI-三聚体的合成及其应用

在自制催化剂下利用醇改性TDI合成了TDI-三聚体,克服了单纯TDI-三聚体与羟基丙烯酸树脂混溶性差的缺点,配漆后漆膜性能优异。实验对其合成工艺条件进行了探讨,结果表明：采用自制催化剂,用量为TDI用量的0．1％,温度控制在60℃,用苯甲酰氯作为阻聚剂可以得到性能稳定的TDI-三聚体。采取一定的制备工艺可以将产物中游离TDI的质量分数控制在1％左右。     

铅酸蓄电池正极板界面钝化的研究

通过单体电池放电对比实验,发现了一种能有效消除正极板界面钝化的添加剂。解决了铅酸蓄电池采用低锑ｗ（Ｓｂ） ＝ １ ．７ ％ 板栅合金后有时出现起动性能急剧下降的问题。并通过线性扫描伏安法（ＬＳＶ） 测试,分析认为ＰｂＳＯ４ 阻挡层才是导致正极板钝化以及电池放电初期电压急速下降的主要原因,而ＰｂＯｎ（１ ≤ｎ ＜ ２） 结构层所起钝化作用可以忽略。     

铅酸蓄电池正极板栅氧化膜性质的测定

用慢速线性电位扫描法测定铅酸蓄电池正极板栅电极的阴极还原曲线,可以确定正极板栅氧化膜的性质：膜的组成及膜成分的含量。正极板栅氧化膜的性质是决定电池放电容量及电池寿命的重要因素之一。确定正极板栅氧化膜的性质有利于选择合适的合金材料和确定适当电池生产工艺条件。     

硅材料在锂离子电池中的应用研究进展

硅材料作为锂离子电池负极材料具有比容量大的优点,是高容量锂离子负极材料的研究热点之一.综述了近年来锂离子电池硅负极材料的研究进展.分别对硅及含硅材料作为锂离子电池负极材料的发展过程、充放电特性、储锂机理及影响其储锂的各因素进行了分析和总结,并对其存在的问题进行了分析.探讨了采用不同复合物、不同制备方法和合成硅化物等改性方法来提高其循环性能的可行性.指出纳米硅基复合物将是硅负极材料最有希望的发展方向.     

硫酸/磷酸中铅基合金的电化学行为

利用循环伏安线性扫描,研究了Pb-Ca-Sn-Al-Bi和Pb-Ca-Sn-Al合金电极分别在硫酸/磷酸中的阳极氧化行为。分析了Bi(Ⅲ)的掺入对铅酸蓄电池电化学性能的影响。结果表明:Pb电极中掺入Bi(Ⅲ)能提高其稳定的放电容量;另一方面,Pb电极在磷酸胶体电解液中的电量表现出明显增大的趋势,而在磷酸溶液中的电量增大相对不明显。     

锌和铋在KOH溶液中的析氢行为比较

采用气体收集实验、阴极极化曲线和电化学阻抗测量,研究了锌(Zn)和铋(Bi)电极在氢氧化钾溶液中的析氢反应。结果表明:Zn和Bi的析氢行为明显不同,当电位高于-1.92 V时,在相同电位下,Zn电极上收集的氢气体积、反应电流均大于Bi;而电位低于-1.92 V时,在相同电位下,Zn电极上收集的氢气体积及反应电流均小于Bi。     

锂离子电池PC基电解液的电化学行为研究

介绍了用循环伏安法研究石墨在D EC、D M C、EM C和PC单组分电解液以及以PC、E C为基础的电解液中的电化学行为。研究结果表明:D EC、D M C和EM C 3种线型碳酸酯溶剂表现出相似的伏安行为,而环状碳酸酯溶剂PC则表现出不同的伏安行为,单纯用PC作锂离子电池电解液的溶剂,PC极易嵌入石墨中,并使锂离子在石墨中的脱出峰电位变正;线型碳酸酯溶剂DM C与PC的混合可以降低锂离子在石墨中的脱出峰电位,但不能抑制PC嵌入石墨电极;EC能对PC嵌入石墨电极起抑制作用,通过调整溶剂的配比可以完全抑制PC嵌入石墨。研究了PC,EC及DM C混合溶剂电解液的053048型锂离子电池的循环性能。结果表明,电池的初始容量和循环稳定性随着电解液中D M C含量的增加而增加。电解液组成为1m olL/LiPF6/EC∶PC∶DM C=1∶1∶4的电池初始容量接近理论容量,经50次循环后容量衰减很少,容量保持率高达97%。     

硫酸溶液中V(IV)/V(V)电对在碳纸电极上的阻抗特性

用交流阻抗结合循环伏安方法研究了硫酸溶液中V(IV)/V(V)电对在碳纸电极上的阻抗特性。结果表明,碳纸电极在开路电位[0.2V(vs.SCE)]下仅表现为–COH/–C=O电对的氧化还原行为。在极化电位0.7-1.2V下测得的交流阻抗是由于V(IV)/V(V)电对的氧化还原行为引起的。极化电位对V(IV)/V(V)电对的交流阻抗参数影响很大,电荷转移电阻及双电层电容在0.9V的极化电位下出现最小值,而扩散电容在此电位下则有极大值,这种影响规律与通过控制V(IV)和V(V)离子在电解液中的比例能构筑不同开路电位的钒电解液中所得的规律相同。