首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   28篇
  免费   0篇
电工技术   1篇
综合类   1篇
金属工艺   10篇
机械仪表   4篇
建筑科学   1篇
一般工业技术   1篇
冶金工业   10篇
  2020年   1篇
  2018年   2篇
  2013年   2篇
  2012年   5篇
  2011年   2篇
  2009年   2篇
  2007年   3篇
  2005年   3篇
  2004年   2篇
  2003年   1篇
  1995年   1篇
  1994年   1篇
  1992年   1篇
  1991年   2篇
排序方式: 共有28条查询结果,搜索用时 31 毫秒
21.
对 Cu-Cr-Zr 系合金从成分设计、制备方法、形变热处理工艺、研究热点及应用进展四个方面展开论述.分析了 Cr、Zr 对 Cu 基体的影响,概述了多种微量元素及稀土元素对铜铬锆性能的影响. 非真空熔炼的研究比其它熔炼方式要实际很多.固溶后冷变形能显著提高合金的强化效果.该类合金研究价值高,应用领域广.并提出了 Cu-Cr-Zr 系合金的研究发展趋势及存在的问题.   相似文献   
22.
经强冷变形后的单晶铜线会产生明显的亚结构。在退火过程中该亚结构将发生转变.以中拉单晶铜线为对象,通过金相、力学性能测试法、电阻测试等手段研究了经强冷变形后的单晶铜线在不同退火工艺制度下的组织性能变化和再结晶过程.研究结果表明:加工态单晶铜线材的再结晶温度开始在250℃左右,比相同冷变形率下的SCR连铸纯铜杆的再结晶温度高约50℃.强冷变形单晶铜线再结晶形核的孕育期随温度升高而缩短.500。C时的孕育期不足2min.单晶铜在退火的回复阶段导电性能得到改善,但温度较高发生再结晶时,由于晶界数量的不断增加,有抑制电阻率减小的作用.强冷变形后的单晶铜线要想恢复足够的塑性,则难以避免成为多晶,如果既要恢复单晶铜线的塑性和导电性,又要维持单晶的组织形态,进行高温超短时间退火将有助于解决这一问题.  相似文献   
23.
高强高导CuCrZr合金熔炼技术研究   总被引:6,自引:6,他引:6  
介绍用中频感应炉在大气中熔铸CuCrZr合金的技术。大气熔炼能明显减少合金吸气;采用复合覆盖剂能有效减少合金的氧化和疏松;先以铜包覆Cr后置于炉底再倒入铜液进行熔炼,能大大减轻Cr的烧损程度;Zr以中间合金的方式加入,且只有采取包内冲熔的方式才能获得Zr的最高回收率。浇注温度应在1150~1200℃之间,能保证铸锭致密、氧化疏松等缺陷少,大气熔铸铸出的坯锭成分稳定均匀、组织致密。同时通过其后的塑性变形和时效能得到高强高导的铜合金.  相似文献   
24.
李明茂  黄志斌  余泽武 《热加工工艺》2012,41(24):155-157,161
在研究热镀锡工艺特点的基础上,选择几种合金元素对锡熔体进行微合金化处理,以达到熔体抗氧化的目的.研究结果表明,磷、镍、镁、铝的加入均能提高锡熔体的抗氧化能力,但效果依次降低,抗氧化机理也不相同,合理搭配几种合金元素可获得更佳的抗氧化效果.  相似文献   
25.
采用正交实验的方法在热模拟机上对C-Si-Mn系TRIP钢热变形后的冷却工艺进行了优化研究,结果表明热变形后控制铁素体相变的慢速冷却速度及控制贝氏体相变的快速冷却速度对最终组织的组成影响大;在分析实验数据基础上,提出了C-Si-Mn系TRIP钢轧后冷却优化工艺原则.  相似文献   
26.
金属复合线材的生产使用现状与发展趋势   总被引:4,自引:0,他引:4  
金属复合线材具有良好的综合物理力学性能,在电力、交通等行业具有广阔的应用与开发前景。开发高强、高导、轻质、耐蚀的复合线材是其发展方向;而开发低能、高效、短流程的先进工艺是复合线材制备工艺的发展方向。本文综述了金属复合线材的生产使用现状与趋势。  相似文献   
27.
CONFORM连续挤压技术及数值模拟的发展   总被引:1,自引:0,他引:1  
彭孜  李明茂 《铝加工》2009,(3):7-10
通过对有关文献的综述介绍了CONFORM连续挤压技术的原理和特点,有限元方法的发展,重点介绍了有限元方法在塑性成型中的的应用和连续挤压的数值模拟.  相似文献   
28.
新型高硅铝合金电子封装复合材料的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
徐高磊  李明茂 《铝加工》2007,16(6):10-13
微电子集成技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。具有低膨胀系数、轻质化、较高导热率的新型Al-Si复合材料受到了广泛的重视。文章详细介绍了高硅铝合金电子封装材料的性能特点、制备方法以及研究现状,指出了高硅铝合金电子封装材料的发展方向。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号