耐超高气压钨杆与石英的封接技术

本文采用特殊过渡玻璃材料和封接技术成功地进行了钨杆与石英的过渡封接，实现了耐超高气压的技术指标，为超高压汞灯的研制奠定了重要的技术基础。     

NiTi基C型聚对二甲苯膜界面及表面电子能谱分析

ＮｉＴｉ合金表面涂覆Ｃ型聚对二甲苯膜将大大改善形状记忆特性材料的生物相容性，本文采用等离子体方法改善材料表而特性，并运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）进行了材料的界面和表面分析研究。     

金属陶瓷行波管的管内残气分析

本文介绍了四极场残余气体分析仪,对金属陶瓷结构行波管的管内残气进行分析的过程,叙述了进行功率行波管管内分析的重要性和金属陶瓷结构管子的开管技术,分析了管内的残气成分和气源,从而为进一步制订合理的排气及零件预处理工艺规范提供了实验依据.发表于“真空电子技术”1986年第6期     

用AES、SXAPS、SEM对LaB_6多晶发射表面的研究

运用AES、SXAPS、SEM对室温及加热状态下LaB_6多晶表面的变化进行了综合研究,发现六硼化镧体内的主要杂质是碳和氧且碳在表面有偏析。在加热状态下La原子在表面增加,La/B上升。因此可以认为La原子在外是多晶LaB_6的发射机理。由此对两种LaB_6材料发射特性的各种差异作出了解释。     

Cu基真空钎焊料薄带的研究

本文用快淬工艺研制的低熔点、低含 Ag 量的 Cu-Ge-Ag 和 Cu-In-Ag 真空钎焊料,其熔点分别为580℃和560℃,抗弯强度分别为164MN/m~2和64MN/m~2。用于焊接陶瓷件,其强度和密封性符合电真空器件的要求.     

超晶格材料的俄歇电子能谱分析

本文是以Cu/Nb系金属超晶格材料和Si/SiN系半导体超晶格材料作为俄歇电子能谱进行超晶格材料多层结构分析的初次入门,并获得了两种材料深度剖析结果,且观察到Si/SiN半导体超晶格材料的二次电子吸收电流像。     

GaAs／Si衬底电路制备中Ge元素分布的研究

Ｓｉ衬底上外延ＧａＡｓ材料是微电子学研究的重要课题之一，本文介绍了以大直径的ＧａＡｓ／Ｓｉ材料取代ＧａＡｓ衬底的工艺技术，对Ｇｅ元素在ＧａＡｓ／Ｓｉ集成电路中的分布影响进行了俄联电子能谱分析研究，并确定了该技术在大规模集成电路中的应用价值。     

氮化钽薄膜稳定性的研究

氮化钽薄膜作为混合集成电路重要的电阻材料广泛受到人们的重视和应用。我们采用直流平面磁控反应溅射工艺制得氮化钽薄膜,实验研究了溅射过程中氮分压P_(N_2)与沉积所得的含氮钽薄膜的结晶相结构和薄膜电阻率ρ、电阻温度系数TCR之间的关系。发现     

太阳能选择性吸收薄膜的制备及结构分析

一、前言太阳是一个取之不尽、用之不竭的巨大能源。太阳能大部分集中在波长0.17微米到2.5微米的区域内,虽然只有20亿分之一的辐射能量到达地面,其数量仍然达到80万亿千瓦之巨,相当于全世界目前所有发电站总功     

燃气轮机叶片表面涂层的质谱分析研究

燃气轮机叶片表面涂层经腐蚀和冲蚀动态实验后，用溅射中性粒子质谱仪对其进行表面元素成分和浓度分布的分析研究，这为涂层的耐磨，耐腐蚀机理的搪塞以及涂层质量的比较提供了新的实验依据。