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用MOCVD方法生长二氧化钛膜的研究 总被引：6，自引：1，他引：5
二氧化钛用MOCVD方法生长于硅衬底上，膜厚在0．1～1μm之间．本文考察了温度对生长速率的影响，其中生长速率与衬底温度和有机源的温度都成指数关系，并通过作图求出钛源的活化能Ea＝1．05eV．TEM测试结果表明，生成的二氧化钛是多晶膜，为锐钛矿结构．将样品作XPS分析，测试出Ti3+随氧气流量的增加而减少，进一步研究表明，二氧化钛是n型半导体，它的电阻率随钛三价离子的减少而增大． 相似文献
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环境资源共有产权的特性使得社会成员只能通过自身感知和理解确定对环境资源的产权边界，并且产权的实施是非排他的，所以与环境资源有关的负外部性较其他具有直接因果关系的外部性特殊。在治理这类负外部性的过程中，产权理论也有了新的发展。本文从分析环境资源产权的特殊性入手，对于产权弱化、产权分割、创建新产权和自愿合作基础上认知产权调整等负外部性内部化理论进行了分析。 相似文献
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