全文获取类型
收费全文 | 83篇 |
免费 | 16篇 |
国内免费 | 14篇 |
专业分类
电工技术 | 3篇 |
综合类 | 12篇 |
金属工艺 | 5篇 |
建筑科学 | 1篇 |
轻工业 | 5篇 |
水利工程 | 1篇 |
石油天然气 | 1篇 |
武器工业 | 5篇 |
无线电 | 47篇 |
一般工业技术 | 2篇 |
冶金工业 | 21篇 |
自动化技术 | 10篇 |
出版年
2022年 | 1篇 |
2021年 | 1篇 |
2019年 | 3篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 4篇 |
2016年 | 6篇 |
2015年 | 1篇 |
2014年 | 3篇 |
2013年 | 2篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 2篇 |
2010年 | 5篇 |
2009年 | 7篇 |
2008年 | 9篇 |
2007年 | 7篇 |
2006年 | 2篇 |
2005年 | 3篇 |
2004年 | 1篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 6篇 |
2001年 | 10篇 |
2000年 | 4篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 3篇 |
1996年 | 2篇 |
1994年 | 1篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 2篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 3篇 |
1981年 | 2篇 |
1964年 | 1篇 |
排序方式: 共有113条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
102.
关于有色总公司发展战略的几点思考 总被引:1,自引:0,他引:1
关于有色总公司发展战略的○几○点○思○考●北京有色金属研究总院/万群万群教授级高工。1958年毕业于前苏联乌拉尔工学院冶金系。曾任北京有色金属研究总院副院长、总工程师;担任过国家科委“六五”、“七五”大规模集成电路用硅质量攻关组组长;进行过云锡综合利... 相似文献
103.
104.
砷化镓在其重要性方面是仅次于硅的半导体材料。近年来砷化镓材料获得年平均增长率15%以上的发展,这主要是靠通信,特别是移动通信,各种光盘以及固体显示等高技术市场的发展所带动的,并且还有巨大发展的潜力。砷化镓晶片市场的规模已达25亿美元以上,日本是最大的生产国。生产的主要方法为水平舟生长法、氧化硼复盖直拉法、垂直定向结晶法等,电子器件用单晶的直径以100mm为主,正在开发直径150mm单晶。民用领域的扩大给砷化镓产业的发展提供了良好的条件,同时也形成了激烈的竞争。砷化镓的发展扩大了对金属镓的需要。如何利用这一良好的契机发展我国金属镓和砷化镓的产业是值得重视的问题。 相似文献
105.
基于协方差、正性和L1范数约束的迭代波达方向估计方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过将只能用于均匀线阵的PHD方法推广到稀疏线阵,同时将正性约束引入FOCUSS方法,得到了一种基于协方差、正性和l1范数约束进行协方差重建的迭代波达方向(DOA)估计方法.该方法利用了MUSIC方法忽略的反映阵列几何形状的协方差矩阵结构信息和DOA估计的稀疏约束信息,不仅突破了信号源个数小于阵元数的限制,并具有提高DOA估计性能的潜力.理论分析和仿真实验结果表明,这种迭代DOA估计方法一般经过数次迭代就能获得稳定的高分辨率DOA估计. 相似文献
106.
<正> 说起砷化镓来,可能有些人觉得生疏、有些人不知道它是半导体材料,如果说它早已经进入我们的家庭生活,那更是出乎意料的事。现在我们看电视、听音响、开空调都用遥控器。这些遥控器是通过砷化镓发出的红外光把指令传给主机的。另外在许多家电上都有小的红色绿色的指示灯,它们是以砷化镓等材料为衬底做成的发光二极管。至于光盘和VCD,DVD都是用砷化镓作 相似文献
107.
La、Ce、Pr、Nd四组份串级萃取Ce/Pr分离系数的研究及其在工艺设计中的应用 总被引:5,自引:0,他引:5
本文研究了La、Ce、Pr、Nd四组份串级萃取Ce/Pr分离时有效分离系数在槽体中的变化规律,推导了该类体系有效分离系数的函数表达式,提出了四组份两出口工艺设计的有效分离系数模型。该模型简化并优化了多组份稀土萃取的理论设计,克服了多组份体系各参量变化时进行工艺设计的盲目性,从本质上符合了串级分馏萃取体系的实际。生产实践表明,该模型设计的工艺参数可靠、优化,指导工艺参数调整,同样的萃取设备,处理能力提高了57.82%,酸、氨耗分别下降了47.44%和38.79%,结果令人满意。 相似文献
108.
109.
纳米电子学已显示出它的优势并代表着电子学的未来。量子微结构材料是纳米电子器件的基础。化合物半导体材料是构成量子微结构材料的主力军。在此背景下,化合物半导体材料正沿着增大直径、扩大品种、提高晶体完整性、完善外延过程的原子级精度的控制等方向发展着。其中引人注目的进展有低位错密度大直径GaAs、InP单晶的制备、固溶体单晶的制备、外延过程的实时控制、外延设备的产业化的发展等 相似文献
110.
本文用JCXA-50A型电子探针观察了区熔、直拉硅单晶中的碳化物微夹杂。结果发现:多数原生硅单晶中都不同程度的有碳化物存在,其尺寸最大可达20微米。碳化物的多少与晶体中碳含量和晶体部位有关。电子探针分析碳化物的存在形态分为两种,一种含碳,另一种是碳—氧共存。由超高压电镜电子衍射证明碳化物的结构为α-SiC和β-SiC。经热处理的样品中凡有碳处几乎都有氧,并观察到长约1000微米的碳-氧沉积带。 相似文献