ELID超精密镜面磨削设备

正在线电解砂轮修整(Electrolytic In-p rocess Dressing,ELID)磨削技术是适应现代化高技术发展需要而发展起来的一种机械加工新工艺,其集成了现代机械、液压、光学、电子、计算机、计量及材料等先进技术成就,被国际上公认为是最有前途的超精密镜面磨削方法。西安工业大学在对氧化膜产生机理和电解参数对氧化膜生成影响规律的研究积累基础     

新型并联机床曲面加工的运动控制与后置处理算法

以6自由度6PM2混联数控机床为研究对象,阐述了其独特结构及特性,指出了混联机床数控加工后置处理中的两个关键问题——刀位数据转换和运动控制算法。给出了后置处理中刀位数据的转换方法和过程,提出了一种基于并联结构和串联结构的新型并联机床即混联机床的运动控制算法。     

The effects of Na on the growth of Cu2ZnSnSe4 thin films using low-temperature evaporation process

Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) absorbers were deposited on borosilicate glass substrate using the low-temperature process, and different Na incorporation methods were applied to investigate the effects of Na on the CZTSe growth. Na was diffused into some of the absorbers after growth, which led to strongly improved device performance compared with Na-free cells. With the post-deposition treatment, the effect of Na on CZTSe growth was excluded, and most of Na was expected to reside at grain boundaries. The conversion efficiency of the completed device was improved due to the enhancement of open circuit voltage and fill factor. The efficiency of 2.85% was achieved at substrate temperature as low as 420 oC.     

新型光伏材料Ag2ZnGeS(Se)4的第一性原理研究

通过基于密度泛函理论的第一性原理对新型光伏 材料Ag₂ZnGeS(Se)₄(AZGS(Se))的结 构稳定性、电子结构、和光学性质进行了研究。计算结果表明该类型化合物与Cu₂ZnSnS(S e)₄(CZTS(Se))一样具有锌黄锡矿的晶格结构;通过计算弹性常数和声子谱发现AZGS(Se) 的结 构稳定性也与CZTS(Se)相近。杂化泛函计算表明AZGS(Se)为直接带隙半导体;通过改变S和S e原子的比例,其禁带宽度可在1.27 eV 的较宽范围内调节。进一步计算光学性质,得 到AZGS(Se)的光吸收系数具有10⁴量级。计算结果表明AZGS(Se)符合太阳电池光吸收层的 需求。     

洞塞间距对多级洞塞消能影响的数值模拟研究

对于多级洞塞泄洪洞而言,上下级洞塞之间的合理间距影响到洞塞消能能力的发挥,因此有必要研究多级洞塞中上下级洞塞之间的合理间距。采用数值模拟手段,研究了上下级洞塞之间的间距问题。研究结果表明,当孔径比在0.4～0.8范围内,只要上下级洞塞之间的间距达到5.7D以上,各级洞塞均能充分发挥各自的消能能力。研究结果可为多级洞塞设计提供参考。     

油气管道铺设对边坡稳定性的影响

首先分析了管道在边坡体中的铺设方式,基本分为两类:横向铺设和纵向铺设;然后采用岩土 工程有限元软件ＰＬＡＸＩＳ分析了管道在坡体中不同位置时坡体安全系数的变化规律。结果表明:横向铺 设条件下,管道铺设位置由坡脚向坡体内改变时,其边坡的安全系数先减小后增大,增大后的安全系数 略等于自然坡体的安全系数;管道在坡体内向坡顶改变时,其安全系数先减小后增大,但在坡顶位置时 安全系数又减小;纵向铺设条件下,管道与坡面夹角为0°时边坡安全系数最大;夹角为15°、30°、45°时,边 坡安全系数均比自然坡体小,同时其值变化不大;管道的铺设对坡体失稳时剪切带的形成和位置影响较 小,只有当管道位于剪切带区域内时,管道对周围土体的剪应变有明显的改变。     

Mg掺杂Cu2ZnSnS4的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理对光伏材料Cu₂ZnSnS₄ (CZTS)掺Mg进行了研究。通过建立Mg取代CZTS中Cu、Zn和Sn的点缺陷结构, 计算Mg掺杂缺陷的生成能及对CZTS电子结构的影响。计算结果表明掺Mg不引入深能级缺陷也不改变材料的禁带宽度; 并且富Sn条件更有利于Mg取代Cu形成施主缺陷, 使p型转变为n型。本研究可为CZTS太阳能电池掺Mg的应用研究提供理论基础。     

First principles calculation of the electronic-optical properties of Cu2MgSn(SxSe1-x)4

Based on the density functional theory with hybrid functional approach,we calculated the structural,electronic,and the optical properties of Cu2MgSn(S1-xSex)4(CMTSSe),an potential photovoltaic material for thin film solar cells.The calculation reveals a phase transition from kesterite to stannite structure when Zn atoms are substituted by Mg atoms.In particular,the S-to-Se ratio can determine the energy splitting between the electronic states at the top of the valence band.The band gaps of CMTSSe can be tuned in the ranges of 1.01-1.58 eV.Calculated optical properties and tunable band gaps make them beneficial for achieving band-gap-graded solar cells.