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本文首先回顾了材料科学发展的道路,评价了当前发展的水平和发展方向,在此基础上提出了发展新材料需要突破传统观念,如要树立与常规相对立的观念,要大力发展新技术、新工艺,要根据材料本身特殊性发展新理论,材料要向智能化、复合化发展等观点。最后谈到了材料科学发展与人才培养问题。 相似文献
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引言 一维金属及合金纳米材料由于其纳米尺寸产生的小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应及宏观量子隧道效应导致与常规金属及合金材料迥然不同的热、磁、光、电、敏感特性和表面稳定性,有望在纳机电系统(NEMS)、光吸收过滤器和调制器、垂直磁记录材料和巨磁阻材料、催化剂等领域取得重大突破.人们采取许多种方法进行一维金属及合金纳米材料的合成及性能研究.很多研究者以含有纳米微孔的聚碳酸酯过滤膜或多孔氧化铝膜为模板合成了Au[1]、Cu[2]、Pd[2]、Ag[3]、Fe[4]、Co[5]、CoFe[5]、Ni[6]等一维纳米线,Liu[7]在钼网上气相沉积了Cu纳米棒和纳米线,Xiong等[8]利用二茂铁的夹层结构,还原制备了银纳米线,Yen[9]利用氯化亚铜与二甲基硅氧烷聚合物胶囊材料合成了铜纳米线等,姚素薇等[10]在单晶硅上脉冲电沉积制备了Cu/Co纳米多层膜.相对于单一金属而言,合金由两种及两种以上金属组成而具有多种金属复合性能,因此更具有研究与应用价值,但目前对合金类一维纳米材料的研究还较少.本文以聚碳酸酯膜为模板,利用直流电沉积的方法制备出二元合金Co55Ni45纳米棒阵列结构材料,实验在双电极体系下进行,方法简单,所制备的Co55Ni45合金纳米棒阵列呈锥状结构且整齐排列,可用作垂直磁记录材料及原子力显微镜探针材料. 相似文献
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氮化碳薄膜的电化学沉积及其电阻率研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在ITO导电玻璃基底上,采用二氰二胺分散在DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中形成的溶液做沉积液,阴极电化学沉积了CNx薄膜。X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶转换红外光谱(FTIR)的分析结果表明,沉积的CNx薄膜的N/C比为0.7左右,碳和氮主要以C-N、C=N的形式成键,有少量的碳和氮以C≡N的形式成键。拉曼光谱测试发现其存在多个吸收峰,对其进行分析的结果表明薄膜样品中含有α-C3N4和β-C3N4相的成分。电阻率测试表明,氮化碳薄膜的电阻率值达到1012~1013Ω·cm。 相似文献
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