活性焦吸附工艺在市政污水深度处理中的应用

马头岗污水处理厂升级改造工程采用活性焦吸附工艺,可使出水除TN外达到《地表水环境质量标准》(GB 3838-2002)中的Ⅲ类标准。目前国内鲜有此工艺应用于大规模市政污水深度处理的案例,介绍了其工艺设计、工程投资及成本情况,可供其他类似工程参考。     

供水管网的多水质组分预测建模研究

现有的城市供水管网水质预测模型仅针对单一水质组分,不足以全面反映管网水的水质状况.为此,以天津市某高校的校园管网为研究对象,在结合水力分析的基础上,同时对余氯和浊度进行预测和模拟建模.在模型的求解上,经对多元回归、人工神经网络和支持向量机进行详细的分析后,选用了较为成熟的BP算法.结果表明,模型预测的相对误差平均为20%左右,能满足实际应用的要求.     

污水处理厂污泥消化系统设计与运行管理经验浅谈

郑州于新庄污水处理厂(40×104m3/d)是淮河流域最大的污水处理厂,其污泥利用厌氧消化进行稳定处理及浓缩脱水。所产沼气用来驱动鼓风机,余热配合沼气锅炉加热消化污泥。本文总结了整个污泥消化系统设计、运行管理的经验与不足,并提出今后污泥消化系统设计工作中应注意的几个问题。     

600MW机组风机叶片断裂分析

通过对６００ ＭＷ 机组一次风机断裂叶片宏观、微观观察研究,分析了断裂原因。     

吉林油田A6-6开窗侧钻井钻井完井液技术

针对双阳地区地层易缩径、易粘附卡钻的特点 ,通过室内实验 ,优选了抑制性强、润滑性好的有机硅聚合物钻井完井液体系。室内实验和在 A6- 6井中的应用表明 ,该钻井液体系不仅能满足开窗定向井的施工要求 ,而且能满足保护储层的需要。     

调制域——雷达信号分析的新方法

现代雷达系统中捷变频、参差调谐脉冲重复周期、线性调频或相位编码脉冲压缩都对测量提出了挑战。对于压控振荡器(VCO)频率的建立过程、锁相环路(PPL)的相位锁定过程等频率、相位及时间间隔的时变特性作出实时分析并交互显示,是电子工程师梦寐以求的一种方法。如果使用时域、频域概念的示波器、频谱分析仪等进行这些测量、分析,不仅麻烦、费时,而且常会丢失有用信息而得不出精确结果,甚至无法实现。本文运用“调制域”这一新概念及其仪器,可使这个曾长期困扰人们的难题得到解决。     

S波段固态功放的研究

本文比较了微波S波段固态放大器的两种类型,即硅(Si)双极型晶体管放大器(以下简称晶放)和砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)放大器(以下简称场放)的优缺点。指出在L波段及更低波段的功率放大器多采用晶放,在C波段及更高波段的功放采用场放。而在S波段两种型式功放均有所见。最后给出国产双极型晶体管和国产GaAs FET的S波段功放的应用实例。     

微波晶体管放大器匹配与有损级间网络的图解设计

本文介绍了无损和有损增益补偿网络的图解设计方法,讨论了运用这种方法设计微波晶体管放大器的优点。此法以使用在史密斯图上设置的一组等|S_(ii)|值圆为基础,它易于通过个人计算机自动进行运算。文中介绍了两个使用实例:个是频带为100～1100兆赫、增益为20分贝的两级放大器,另一个是频带为从直流至16千兆赫、增益为4分贝的超宽带有损匹配放大级。     

利用计算机计算砷化镓场效应晶体管放大器的大信号特性

本文提出了一种简单而有效的砷化镓场效应晶体管(G_aA_sFET)放大器的分析方法。场效应晶体管(FET)用它的非线性动态电路模型表示,该模型计及包括栅一漏极电压击穿等器件的主要的非线性效应。文章详细地叙述了引出模型参量的证明过程并给出了实例。运用片状谐波平衡技术可完成单个输入谐波信号的放大器响应的计算。由于用原型时这种技术相当费时间,因此解网络方程用的最佳化程序已被牛顿-拉富森算法代替。对一个2SK273型G_aA_sFET微波放大器,用本文提出的方法计算所得的特性与其实验结果作了比较。可以看到,在9.5千兆赫上和在很宽的偏置电压与输入功率电平范围内二者十分吻合。     

G波段限幅低噪声场效应晶体管放大器组合

本文介绍了G波段限幅、低噪声场放组合的研制结果。我们采用国产WC-50型砷化镓场效应晶体管(GaAs FET),通过对该管S参数测试后进行电路设计。已制成限幅、级联场效应放大器组合作为某雷达接收机低噪声前端。整个组合采用混合集成电路工艺,制作在50毫米×90毫米×1毫米的氧化铝陶瓷基片上。实现G波段整机的最佳指标是:系统噪声系数3.5分贝(包括前置限幅器、隔离器、波导-同轴转换和后置高中频接收机噪声在内),组合增益≥20分贝,带宽10％。对该组合作过各项例行试验,它均能满足要求,文中还介绍了发射机泄漏波尖能量的测量方法和放电管运用中的注意事项。在采取若干保护措施后,已将其作为接收机前端,自1981年1月起装入整机,已装备多部整机,提高了整机性能,展示了良好的前程。近年来采用WC-61、FLS-10型GaAs FET管制作的场放组合,其噪声性能更佳。