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11.
文章综述了以直流电弧等离子体喷射法制备自支撑金刚石膜的研究新进展,对电弧特性、金刚石晶体质量、力学性能、光学性能及热学性能进行了介绍。研究表明:不同电弧区域的金刚石膜结晶质量及应力状态有所差异,钛过渡层可以降低金刚石的残余应力;采用四点弯曲测得金刚石的断裂韧性为10.99 MPa·m1/2;一定温度范围内,金刚石吸收系数与温度的关系基本不受金刚石质量和厚度的影响;金刚石的光学性能越好,其热导率越高,且金刚石形核面热导率略高于生长面,500 K以上时多晶金刚石膜的热导率近似于单晶水平。   相似文献   
12.
采用射频磁控溅射法在抛光的CVD金刚石膜上制备了立方(222)择优取向的Y2O3薄膜,利用XRD,纳米力学探针,划痕仪,FTIR和TEM等手段研究了退火对Y2O3薄膜的结构、力学性能和红外透过率的影响及Y2O3的微观结构。结果表明:通过退火Y2O3薄膜的结晶程度增加,退火后的择优取向仍为立方相(222)晶面结构;薄膜的硬度降低而弹性模量升高,薄膜与金刚石的结合力增加;薄膜的红外透过率略有降低;薄膜为柱状晶结构并存在大量非晶态。  相似文献   
13.
胞状沉淀组织的SEM和TEM分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用气体辉光放电原理,在低碳钢表面渗入W、Mo元素,使其表面形成基体为α相的W、Mo共渗层[1]。胞状沉淀组织是W、Mo共渗后连续冷却时的析出物。利用扫描电镜和透射电镜的观察和分析,本文对渗W、Mo层中胞状沉淀组织的析出形态、沉淀相结构、化学成分及胞...  相似文献   
14.
采用射频磁控反应溅射法在金刚石自支撑膜衬底上沉积了AlN薄膜,XRD结果表明得到了(002)面择优取向的AlN薄膜;AFM的表面形貌结果显示薄膜表面平整,晶粒均匀,表面粗糙度为2.97 nm。XPS分析结果表明,离子剥蚀2.1 nm后Al/N原子百分比接近于1∶1;结合红外透过曲线和纳米力学探针测试,表明AlN薄膜在1500~800 cm-1波段对金刚石膜有约14%的增透作用,其平均硬度为21.5 GPa,平均弹性模量为233.3 GPa。  相似文献   
15.
系统研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响;发现InAs量子点的基态发光峰位、半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组分;得到了室温发光波长在1.35μm,基态与第一激发态的能级间距高达103 meV的InAs量子点的发光特性。这一结果对实现高T_0的长波长InAs量子点激光器的室温激射具有重要意义。  相似文献   
16.
针对华能铜川电厂一期2×600 MW机组协调控制系统存在的锅炉主蒸汽压力控制滞后,不能满足电网快速变动负荷的质量指标要求的问题,对该控制系统进行了优化。将负荷预估信号动态地叠加到原协调控制系统的锅炉蒸汽压力控制回路中作为直接能量平衡前馈信号,从而提高了机组协调控制系统对负荷变化的响应速度。自动发电控制(AGC)试验表明,优化后的机组协调控制系统负荷适应能力强,响应速度快,各主要运行参数稳定。  相似文献   
17.
李成明  贺晟 《山西建筑》2002,28(1):68-69
采用 5 2 5号普通硅酸盐水泥 ,掺加矿粉及高效减水剂 ,成功配制C60泵送高性能混凝土 ,工程应用效果良好。针对高性能混凝土高强度、高流动度、高密实度及体积稳定性等优点 ,详细分析了原材料的选择要求及配合比的设计要点 ,并对高性能混凝土的拌制、运输、浇注、振捣、养护、验收等施工工序分别提出了具体的方案要求。  相似文献   
18.
李成明 《山西建筑》2006,32(1):231-232
阐述了支盘后压浆灌注桩工艺的优点,从测量定位、钻孔灌注桩成孔、清孔、支盘施工、钢筋笼的制作等方面介绍了施工过程中的质量监理,从而提高桩基工程的施工质量,保证建筑物的结构及安全。  相似文献   
19.
抛光对化学气相沉积金刚石自支撑膜断裂强度的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了抛光对化学气相沉积金刚石自支撑膜断裂强度的影响。结果表明,金刚石自支撑膜粗糙表面所带来的V形缺口会降低其断裂强度,而且随着膜厚的增加,降低的程度越明显,通过抛光粗糙表面,消除了V形缺口对断裂强度的影响,有利于提高金刚石膜的抗破坏能力。提出了一种金刚石膜断裂强度的经验计算方法,获得的断裂强度值更接近于金刚石膜的本征断裂强度。  相似文献   
20.
研究了电沉积法制备的纳米金刚石复合镀层结构的高温稳定性。用氮气保护的管式炉进行纳米金刚石镍钴复合镀层的高温处理。差热法(DSC)分析镀层高温时的物理变化,利用扫描电镜(SEM)观察镀层处理前后的组织形貌,高分辨电镜(HRTEM)观察镀液中纳米金刚石粉的分散性和镀层的结构特征,维氏硬度计测量镀层的显微硬度。结果显示显微硬度在300℃处理后有一个最高值,之后更高的处理温度下基本保持在HV800以上。  相似文献   
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