不同溅射气体对a-IGZO TFT特性的影响

采用脉冲直流(Pulsed DC)方式和不同的单组份气体(Ar、O2、N2)溅射制作IGZO,研究了缺氧(Ar)、富氧(O2)、氧替代(N2)三种情形下的IGZO-TFT特性。通过AES、XRD、AFM等分析手段,考察了不同气体制备的IGZO膜以及相应靶材的成分及结构,发现不同的溅射气体对IGZO膜的成分比例和电学结构具有重要的影响。实验结果表明,Ar-IGZO TFT在退火后具有良好的特性,S值为1 V/dec,迁移率可达8.3 cm2/Vs,开关比Ion/Ioff≥105。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件

使用PbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3-PbCd1/2W1/2O3三元系电容器瓷料,采用流延工艺成膜,丝网印刷内电极,低温烧结的方法制备了陶瓷衬底。陶瓷衬底的烧结温度为930－950^0C。测量了陶瓷厚膜的基本特性,在室温时的相对介电常数εr大于14000,损耗tanδ约为1％,具有极高的品质因素（≥80μC/cm^2）。用SEM技术观察了陶瓷衬底的横断面和陶瓷厚膜表面形貌,内电极连续,厚膜层致密且表面起伏较小,可直接沉积发光层。制备了陶瓷厚膜为绝缘层的ZnS:Mn低压驱动电致发光器件,在50Hz正弦波驱动下,阈值电压仅为41V。     

试验机横梁移动速度的测量标准对比分析

本文通过对电子式万能试验机横梁移动速度采用两种不同测量标准进行测量的对比分析，找出影响测量结果的不确定度因素并将其进行适度量化，从而发现采用不同标准器的不同测量方式的差别，用以明确对试验机横梁移动速度参数的测量标准器选择的合理性以及测量过程的可靠性。