黄河龙口水利枢纽坝基岩体钙质充填夹层地质分析与试验研究

龙口水利枢纽坝基岩体主要由奥陶系中统马家沟组(O2m2)灰岩组成,其中发育有多层软弱夹层。作为其中之一的钙质充填夹层,强度虽不很低,但由于处于坝基下的持力层内,间距不大,发育密集,产状平缓,是坝基浅层抗滑稳定的主要控制因素,因此,在大坝抗滑稳定分析时,应进行分析和研究。     

HDI工艺中取代涂树脂铜箔适合激光钻孔的半固化片

应用于HDI的激光钻孔半固化片的方法和其它常规材料相比具有的优缺点。     

对重油催化裂化反应历程的若干再认识——"新型多区协控重油催化裂化技术MZCC"的提出

基于对重油催化裂化反应历程的若干再认识,以高油剂混合能量短接触时间催化裂化为工艺基础,提出了进料强返混、反应平流推进、产物超快分离及化学汽提的分区协同控制新理念和实现分区协同控制反应的新技术.并且为实现高油剂混合能量短接触时间催化裂化提出了新型反应器结构;同时对汽提段的功能进行了拓展与强化,提出了"化学汽提器"的概念.分区协同控制反应的技术以进一步提高轻质油收率和实现装置长周期运行为目标,有着重要的理论和实际意义.     

移动卫星通信信道多普勒频移特性研究

在分析移动卫星通信信道特性的基础上，研究增加直射分量的多普勒实时频移和多径信号入射角范围及其变化对移动卫星通信信道多普勒频移特性的影响，推导了其不对称多普勒功率谱形式，对其进行了理论分析并给出了仿真结果。     

灌浆技术在紫山灰坝迎灰坡裂缝处理中的应用

本文分析了紫山灰坝迎灰坡裂缝的成因，并介绍了充填式灌浆处理方法，效果良好。     

胜利油田单12区块内源微生物分子生态研究

为了全面客观地了解油藏内源微生物生态变化规律,针对油藏微生物特点建立了基于PCR扩增的变性梯度凝胶电泳(DGGE)和末端限制性片段长度多态性分析(T-RFLP)2种研究方法。提取胜利油田单12区块注入水和产出水中微生物的总DNA,并以此DNA为模板PCR扩增16S rDNA,然后分别进行DGGE和T-RFLP分析。DGGE分析结果:注入水和单12-4井检测到的条带数各有10条,单12-5井有7条,但是单12-4井、单12-5井优势种群条带数都有6条,大于注入水的4条,表明油藏内源微生物具有十分丰富的多样性,激活剂的注入激活了内源微生物;T-RFLP分析表明,该区块油藏中主要存在脱硫弧菌、假单胞菌、不动杆菌和梭菌等细菌,这些均为有益采油菌类。该研究从分子生态学角度更准确地掌握了油藏微生物生态变化规律,为内源微生物驱油方案的优化和驱油效果的提高起到跟踪指导作用。     

IGCT 综合型电荷控制 模型的建立和仿真

以电荷控制方程而建立的IGCT综合型电荷控制模型，经关键性的关断电流和关断电压进行了仿真分析，所得结果与实际结果吻合。因此该模型是有效的，可用于IGCT的开关特性分析和集成门极电路设计。     

加强电站无功管理

加强电站无功管理，不但能改善供电质量，满足电网的要求，提高单位的经济效益，而且使设备的安全运行得到了保障。     

应用激光活化饵料藻种的研究

应用Nd:YAG激光(波长1.06μm,功率5w,照射时间0.5-3 min)和Ar+激光(波长488nm,功率70mw,照射时间5-15min)对长期保存的不同保存形式的塔胞藻(Pyramidomonassp.)进行辐照处理。研究了不同剂量激光辐照对藻体生长和叶绿素含量的影响。实验结果表明:照射剂量为60s的Nd:YAG激光及剂量为15min的Ar+激光对液体保存形式的藻种有较明显的促长效果,接种后这两种激光处理组的比生长速率分别较对照提高达53.33%和28.89%,叶绿素含量分别增加73.33%和65.69%。两种激光对液体保存藻种的活化效果均好于固体保存种。     

High resistivity measurement of SiC wafers using different techniques

To establish fast, nondestructive, and inexpensive methods for resistivity measurements of SiC wafers, different resistivity-measurement techniques were tested for characterization of semi-insulating SiC wafers, namely, the four-point probe method with removable graphite contacts, the van der Pauw method with annealed metal and diffused contacts, the current-voltage (I-V) technique, and the contactless resistivity-measurement method. Comparison of different techniques is presented. The resistivity values of the semi-insulating SiC wafer measured using different techniques agree fairly well. As a result, application of removable graphite contacts is proposed for fast and nondestructive resistivity measurement of SiC wafers using the four-point probe method. High-temperature van der Pauw and room-temperature Hall characterization for the tested semi-insulating SiC wafer was also obtained and reported in this work.