深水海底泥浆举升钻井技术及其应用前景

为了解决深水钻井中遇到的问题，由Conoco公司领导的工业联合项目组研发了海底泥浆举升钻井（以下简称SMD）技术。采用该技术进行深水钻井时，隔水管内充满海水，泥浆用小直径管线从海底返回，在返回环空中形成两个压力梯度，实现双梯度控压钻井。文中着重介绍了SMD的理论依据、系统工作原理、系统关键设备以及SMD井控程序的HAZOP分析等。从技术适用性、经济性、装备以及可能存在的风险等方面对该技术在南中国海钻井中使用的可行性进行研究，并展望其应用前景。     

灰色预测模型在油气操作成本预测中的应用

油气操作成本是油气田生产消耗的主要项目，为了有效地控制油气操作成本，必须制定准确的油气操作成本计划。而油气操作成本在我国是最近几年才提出来的，数据项比较少，给油气操作成本预测带来一定的难度。为此，文章根据灰色预测的基本原理，采用灰色系统理论进行油气操作成本预测，就可以弥补对预测所需的数据少，而且也无须剔除不可比因素，只要所建模型能满足精度要求，预测结果就可以信赖。     

天然气井作业屏蔽暂堵技术的研究与应用

在天然气井进行井下作业前，将暂堵剂挤入生产层位附近，以暂时封堵生产层，使地层压力不被释放，井筒内的压井液不污染地层，待施工作业结束后，及时进行解堵，确保天然气井不受伤害或少伤害，从而恢复天然气井的生产能力。针对天然气井大修作业时，经常补充压井液，由于作业时间长，大量压井液进入地层，造成严重污染，导致天然气井恢复生产困难的问题，研制出一种新型气井作业的屏蔽暂堵剂，具有污染小，易解堵等特点，有效解决了大修污染问题，现场应用取得良好效果。     

油气操作成本预测方法研究

油气操作成本在油气生产中占有较大的比重，油气操作成本的高低直接影响油田开发的经济效益。为了有效地控制油田油气操作成本，根据影响油气操作的因素，将油气操作成本按其影响因素进行分类，对基本运行费和油气处理费采用回归预测的方法，通过对相关数据的收集，建立对应的数学模型进行预测，对其他各项操作成本，采用单位费用和计划工作量进行预测，最后进行汇总，得到油气操作成本，其预测结果可作为油气操作成本计划制订的依据。该方法简单、操作性强，预测效果较好，在油田可以推广使用。     

液压多功能小件落物打捞器的研制与应用

由于侧钻井、水平井特殊井身结构限制，常规的小件落物打捞器打捞成功率低。为此经过认真分析和现场实践，将常规机械操作的一把抓改成液压操作，常规强磁打捞器的圆柱形平面磁铁改成具有伸缩性的磁针，同时结合套铣筒，研制出一种液压多功能小件落物打捞器，克服了侧钻井、水平井井身结构的限制，大大提高了一次打捞成功率，现场应用效果明显。     

CO2吞吐工艺操作参数的整体优化设计

针对ZY油田原油CO2吞吐的工艺过程，建立了CO2吞吐数值模拟模型。应用数值模拟方法对CO2吞吐进行了实例分析，首先对该井的CO2吞吐参数进行了单因素敏感性分析，分析了CO2周期注入量、注入速度、焖井时间、采液速度等因素对CO2吞吐效果的影响。在此基础上进一步运用正交试验方法对CO2吞吐参数进行了优化，通过计算表明用正交试验优选法得到的优化方案比单因素敏感性分析所得的优化结果更为合理。     

川东气藏直井完井方法的产能预测研究

在分析研究目前国内外油气井完井产能计算经验公式的基础上，针对四川气田东部浅层气藏常用的几种完井方式，建立了该地区完井产能预测的数学模型。通过实例计算，表明了其数学模型的准确可行性，并为出砂井和非出砂井的完井方式提供了选择依据：对于出砂井，砾石裸眼充填完井方式是最理想的完井方式；对于非出砂井，实际裸眼完井的产能最大。得出的结论对该地区直井完井方式的选择，完井参数优化设计以及产能预测具有一定的指导作用。     

关于天然气水合物钻采工艺技术进展的研究

目前全球正面临着前所未有的能源危机，天然气水合物由于储量大、能量密度高而将成为一种诱人的新型能源。天然气水合物主要存在于冻土带和海洋，在地下处于低温和高压状态，以现有的技术，钻井和开采都存在很大的困难。简要介绍了天然气水合物的性质及储量，阐述了天然气水合物钻井的六个挑战及目前国外天然气水合物的两种钻探方法；同时阐述了以热力法、降压法和化学试剂注入法为主的天然气水合物开采方法，并针对天然气水合物钻采技术现状指出了下一步的研究方向。     

Fabrication of Schottky barrier MOSFETs using self-assembly CoSi2 nanopatterning and spacer gate technologies

A self-assembly patterning method for generation of epitaxial CoSi₂ nanostructures was used to fabricate 50 nm channel-length MOSFETs. The transistors have either a symmetric structure with Schottky source and drain or an asymmetric structure with n⁺-source and Schottky drain. The patterning technique is based on anisotropic diffusion of Co/Si atoms in a strain field during rapid thermal oxidation. The strain field is generated along the edges of a mask consisting of 20 nm SiO₂ and 300 nm Si₃N₄. During rapid thermal oxinitridation (RTON) of the masked silicide structure, a well-defined separation of the silicide layer forms along the edge of the mask. These highly uniform gaps define the channel region of the fabricated device. The separated silicide layers act as metal source and drain. A poly-Si spacer was used as the gate contact. The asymmetric transistor was fabricated by ion implantation into the unprotected CoSi₂ layer and a subsequent out-diffusion process to form the n⁺-source. I–V characteristics of both the symmetric and asymmetric transistor structures have been investigated.     

控制爆破在复杂基坑开挖中的应用

在紧邻厂房中控室的基坑开挖中，根据复杂环境条件与施工要求，采用浅孔微差爆破并通过选取合理开沟掏槽位置来控制最小抵抗线方向以及控制一次最大起爆药量等措施，达到了控制飞石、降低爆破地震的效果，保证了爆破质量与爆破安全，提高了施工效率。