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吴志伟 《激光与光电子学进展》2015,(4):192-198
提出一种产生近似无衍射栅型结构光的新型光学系统,该系统由若干块三角棱镜组合而成。解决了现有技术产生近似无衍射栅型结构光的栅型条纹区域小,无法应用于全场测量的问题。采用干涉理论详细分析了产生近似无衍射栅型结构光的物理过程,给出了光束相关参数的计算公式。应用光学分析软件Zemax模拟了新型光学系统后不同位置处的光强分布,模拟结果与干涉理论分析的结果基本一致;进而对几种系统误差对输出光束的影响进行分析。研究结果表明:平面波通过新型光学系统能够产生一种具有宽测量区域、参数调节灵活等特点,同时抗干扰性能较好的近似无衍射栅型结构光。 相似文献
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坝上地区某工程采用预钻孔锤击沉桩工艺进行预制桩施工,原体试验发现桩基承载力偏低。经分析,对于短桩,因土体上覆压力较小,极限状态时桩土应力相对较小,不推荐采用统一的土层侧摩阻力,应考虑土层应力状态和埋深的影响,采用美标推荐的理论模型计算桩基承载力理论值。通过对比沉桩锤击数和静载试验成果,发现取土预钻孔影响土层侧摩阻力的发挥,使单桩承载力降低,采用Love位移函数求解弹性区应力场的理论模型能较好解释该现象。取土预钻孔施工应结合地质条件合理选用预钻孔孔径和深度,避免造成桩基承载力的大幅衰减,影响工程安全。 相似文献
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功率MOSFET的研究与进展 总被引:1,自引:1,他引:0
器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一步提高了低压功率MOSFET的优值因子,中小功率MOSFET继续朝着单片集成智能功率电子发展。功率MOSFET封装呈现出集成模块化、增强散热性和高可靠性的特点。基于宽禁带半导体材料SiC和GaN的功率MOSFET具有高温、高频和低功耗等优异性能,计算机辅助设计工具引领功率MOSFET在工艺设计、制造和电路系统应用方面快速发展。 相似文献
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分析了半蝶片的外形结构,制定了合理的工艺方案和排样方案,设计了该零件多工位级进模,并详细叙述了该模具结构与设计要点。经生产验证:模具结构设计合理,可以有效地提高产品质量和生产效率,降低生产成本。 相似文献
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