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101.
多晶硅薄膜太阳电池   总被引:12,自引:2,他引:12  
张凤鸣 《太阳能学报》2003,24(4):555-564
对已经取得较普遍应用的Si体太阳电池来说,开发新技术以降低电池的制造成本是目前该领域最重要的努力方向之一。尽管通过优化制造工艺可以在一定程度上进一进降低单晶Si和多晶Si体太阳电池的成本,但要进一大幅度地降低Si太阳电池的成本似乎是只能依赖于新一代的多晶Si薄膜电池。多晶Si薄膜电池因其转换效率高、寿命长和工艺简化等优点而极具潜力。本文从材料制备、材料性能和有关工艺等方面对多晶Si薄膜太阳电池的发展现状作了介绍。  相似文献   
102.
异构数据库转换方法研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
分析了异构数据库及构成其异构性主要因素,研究了数据库问转换存在可能冲突,针对这种情况,本文提出了一种利用SQL Server 2000数据转换服务(DTS)来实现异构数据库间转换的方法.并总结出具体转换步骤,最后指出转换需要进一步研究的问题。  相似文献   
103.
报道了NiMnSb半金属材料的一种简单方便的制备方法.分析了烧结温度对材料结构特征的影响.结果表明600~800℃的温度烧结4h为较佳的烧结条件.通过研究发现,在300K以下温度区域的磁性行为和Heisenberg铁磁体局域电子模型的经典自旋波理论的预言相符合,遵循温度的T3/2变化规律;在高场磁化过程中,磁硬度系数和磁各向异性随温度的变化反映出材料的内应力和各向异性随温度的变化规律;电阻率随温度的变化关系满足温度的T1.35规律.  相似文献   
104.
N660炭黑在轮胎胶料中的应用辽宁轮胎厂杨树田,张凤鸣,邓明伟多年来,我厂为提高轮胎胎侧、垫带、水胎包皮等3种胶料的物理机械性能和工艺性能,在其中使用了N539炭黑。然而,近年来由于N539炭黑货紧价高,给我厂产品的经济效益带来不利,因而进行了以N6...  相似文献   
105.
在由磁性金属颗粒镶嵌在非磁金属或绝缘基体中而形成的两相非均匀颗粒系统中 ,当磁性金属的体积百分含量处于临界值时 ,体系的输运行为有许多奇异的现象。相继在在磁性金属 非磁金属和磁性金属 绝缘体系统中发现了巨磁电阻效应和隧道磁电阻效应 ;特别的在磁性金属 绝缘体系统中发现了反常霍耳效应的极大增强 ,称为巨霍耳效应。为了探讨颗粒体系的巨霍耳效应的机制 ,本文用离子束共溅射的方法制备了大约 1.5× 10 - 7m厚度的Cux(Al2 O3) 1 -x颗粒薄膜 ,研究了非磁金属 绝缘体体系 :Cu Al2 O3颗粒系统的巨霍耳效应 ,发现在量子渗流阈值时 ,霍耳电阻比正常金属高 2个数量级。  相似文献   
106.
张凤鸣 《仪表技术》1996,(1):38-39,47
介绍一种新型不断电电源供应器,它属仪器本体一部份。对电路原理等作了扼要说明。  相似文献   
107.
姜虹  张凤鸣 《山西建筑》2014,(35):12-13
对高层商住楼外环境构成要素进行了概述,详细的介绍了高层商住楼外环境构成要素的特点,研究了高层商住楼外环境构成要素与一般建筑外环境构成要素的区别与联系,为推动和发展此类建筑环境空间提供理论依据。  相似文献   
108.
板桁组合结构分析的超级有限元法   总被引:2,自引:0,他引:2  
针对板-桁组合结构的静力分析问题,根据桁梁弯曲扭转理论,将复杂的离散型结构进行三维化处理,使其离散成一系列梁段单元-超级元。考虑到弯曲扭转拉伸压缩等多种变形效应,再将超级元离散成板单元和空间杆单元,按一般有限元法选取其自由度,通过采用构件自由度向超级元自由度转换,把复杂多构件问题的求解,变为少量一维节点问题的求解。  相似文献   
109.
超临界水氧化气膜反应器模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出一种气膜反应器,用N2膜替代传统的水膜,并通过CFD流体软件对反应器内的温度场、流场进行模拟,主要研究了反应器内温度、流场分布情况及气膜对于反应器的保护作用。研究结果表明,多孔管内壁最高温度均低于550℃,远低于材料的耐温极限;由于N2的冷却隔离作用,多孔管内侧会形成一段亚临界区域,溶解无机盐,阻止无机盐在反应器多孔管内壁的沉积;同时通过离散相模型(DPM)模拟反应器内颗粒的运动轨迹,发现在纯流动情况下所有颗粒均不会接触反应器壁,气膜能够较好地保护反应器。  相似文献   
110.
用磁控溅射方法制备了系列(Fe0.86Zr0.033Nb0.033B0.068Cu0.01)x(Al2O3)1-x颗粒膜样品, 体积百分比x从0.33~0.63, 样品厚度约为100 nm. 室温下在Fe0.86Zr0.033Nb0.033B0.068Cu0.01体积百分比x=0.43时得到17.5 μΩ*cm的最大饱和霍耳电阻率, 比纯铁磁金属提高了3~4个量级. 对其磁性和微结构进行了研究, 样品霍耳电阻率随外场的变化曲线ρxy~H与磁场平行于膜面时的磁化曲线M~H有相似性, 说明霍尔电阻率ρxy与磁化强度M相关. 样品电阻率ρxx随金属体积百分比x的减小而增加, 在x=0.43附近发生突变, 从金属导电变为绝缘体. 根据微结构和输运性质对可能的机制进行了探讨.  相似文献   
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