平面磨削时砂轮和工件最大接触长度、任意接触长度及其测试方法的研究

本文在分折过去在研究磨削时砂轮工件接触长度方面存在问题的基础上,提出并论述了最大接触长度L_(max)和任意接触长度L_a的概念,研究了新的测量方法——外加电源法,并对测得接触长度做了分析。结果表明:所测数据稳定、准确,且L_(max)比L_a平均约大25%,故应将二者加以区分。     

网络骗子地域排行榜

各地网络骗子们行骗的特点各有千秋,分析他们的骗术,揭露他们的特点,绝不是搞地域歧视,只是为了让更多的网友和中小企业认识各地骗子的特点。     

GaN/GaAs(001)与GaN/Al2O3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较

研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性,并和生长在蓝宝石(0001)衬底上的六方相GaN(h-GaN) 外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较.实验发现c-GaN膜的暗态电流和光电流的变化不同于h-GaN膜的腐蚀电流的变化规律.对引起上述差异的原因进行了简单的讨论.     

套管柱切割装置

美国ＵＷＧ集团公司研制成一种称为Ｓｏ ｂｒｅ的新型套管柱切割装置 ,以处理报废井 ,减少切断时间。它能同时切断几个套管柱 ,不需考虑套管载荷及其偏心度、环空钻井液类型 ,而且也不需用炸药。它可在钻井船上使用 ,切断压力为 70～10 5ＭＰａ、直径为 2 4 4 .5～ 340ｍｍ以及 5 0 8～ 76 2ｍｍ的套管柱。在切割内套管时 ,不会损坏外套管或井口装置。它还可切断桩、水下底盘、水下结构件以及陆地大型报废井内的管柱。套管柱切割装置@一楠     

日本合成膜的现状和将来

一、研究的历史 1965年,日本工业技术院东京工业试验所的田原浩一介绍了第一次国际脱盐会议情况,首次听到反渗透膜,见到论文。在此前后,从加拿大国家研究中心归国的东京大学木村尚吏和横浜国大的大矢晴彦对反渗透     

分子束外延生长液晶光阀用ZnSxSe1-x薄膜的研究

描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理 ,并从器件的电学模型出发 ,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求。采用分子束外延技术在ITO导电玻璃上制备了具有 (111)面定向生长结构的ZnSxSe1-x多晶薄膜 ,通过控制反应时的生长参数 ,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜。室温下 ,该薄膜的紫外 /可见光响应对比度大于10 3 ;响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分 ,在 (36 0～ 4 10 )nm范围内连续可调 ;薄膜的暗电阻率在 (4 32× 10 9～ 2 0 3×10 11)Ω·m之间 ,并随着晶粒的增大而减小 ;在液晶光阀工作的低频段 (<2 0 0Hz) ,其光 /暗阻抗比在 0 2 2～ 0 36之间。     

减少设计时间的3D装备软件

减少设计时间的3D装备软件@一楠     

离奇古怪的文件夹

在使用电脑的时候,突然想起要进入一个很重要的文件夹,可是发现竟然进不了,此时此刻你又想做些什么呢?是不是非常烦恼,那这个礼物是不是也同样能为你带来很多的欢乐?只是你的开心可是建立在别人的痛苦之上,残忍,残