用于无功静补系统的模糊-PID控制方法

简要分析了静止型无功补偿器(SVC)的补偿原理,针对SVC系统的非线性,提出了一种用于无功静补系统的模糊-PID控制方法.该模糊-PID控制结合了模糊和PID两种控制方式的优点,根据预先设定的偏差范围在两种控制方式下自动切换.在这种混合控制方法中,采用模糊控制实现动态过程的快速调节;采用PID控制实现稳态过程的精确调节.分别将该模糊-PID控制器与传统的PID控制器应用于实验样机,对不同的负载工况进行反复实验,结果表明该控制器具有更好的控制精度,更快的动态响应速度以及更强的鲁棒性.     

单幅图像训练深度神经网络的编辑传播方法

针对编辑传播技术中存在的需要选择合适图像特征、手动调整图像特征权重等问题,提出一种单幅图像训练深度神经网络的编辑传播方法.首先将用户交互转换成距离图并与输入图像级联生成多通道图像,有效地结合图像的视觉和空间特征;其次以多通道图像子块作为深度神经网络的输入,抽取符合用户交互的深度特征,并对深度神经网络进行端到端的训练,从而自动分配图像特征的权重;最后将学习的网络模型作为分类器,估计图像像素属于每类用户交互的概率值,进一步后处理获得高质量的图像编辑.采用MARA 1k数据的实验结果表明,该方法能够很好地响应用户交互以进行编辑传播.     

数据网中ADSL与CM对比

1 ADSL数据传输系统 ADSL(非对称用户环)系统,是在用户终端装一部ADSL解调器通过电话线与机房进行数据通信.它采用DMT(离散多频调制)调制方式,它的基本原理是将整个可用频段按4.3125kHz间隔划分为多个子频段(一般为256个),每个子频段的可用带宽为4kHz.     

半导体材料辐射效应的表征与分析

在辐射环境中,电子系统常用的半导体器件及电路会出现不同程度的性能退化,甚至发生失效.其根本原因来源于辐射致组成半导体器件的材料内部缺陷的产生和积累.表征和分析辐射致材料内部缺陷的种类、浓度、分布等信息,是半导体材料辐射效应研究的重要内容.从辐射致缺陷微观形貌、结构特征,及其引起的宏观电效应三方面,归纳总结了几种重要的半导体材料辐射效应的表征和分析方法,分析了每种方法的优缺点及适用范围,并指出半导体材料辐射效应表征与分析技术发展的方向,可为电子器件、半导体材料辐射效应领域的研究人员提供参考.     

本原σ-LFSR序列的采样性质

利用本原σ-LFSR序列的迹表示得到了其采样序列的距离向量;通过对比m-序列的采样性质,指出本原σ-LFSR序列采样的区别并得到了其为本原的一个充要条件,最后给出了本原σ-LFSR序列采样的线性复杂度等若干特性。     

基于Web的多Agent系统体系结构研究与应用

交互性和易操作性是多Agent技术的研究重点,Internet则是人们沟通交流的直接高效的途径,如果能够使普通用户能像普通浏览网页一样控制Agent工作将是十分高效方便的。本文在分析了Agent系统的体系结构、Web架构的基础上,将Web技术与多Agent系统有机结合,实现了上述要求,其优点是能够在有效降低用户计算机终端的配置前提下,通过中转服务器将用户与Agent系统安全有效连接,发挥了多Agent系统的良好特性,最后并将其运用在同城咨询系统当中,并给出其整体流程和体系架构。     

利用SSE2指令构造随机数生成器

异或移位随机数生成器是Marsaglia于2002年提出的周期为2k-1且适合32位CPU快速实现的随机数生成器,其中k为32,64,96,128等。近几年,通用CPU技术有了较大进展,例如单指令多数据技术和多级流水线等。文章利用第2代单指令多数据流扩展指令设计了一类基于128比特面向软件实现的随机数生成器。这类新的生成器与异或移位随机数生成器类似,但是它可以充分利用CPU的新特性。其反馈逻辑更适合流水线处理,速度较不使用SSE2指令约有2倍的提高,同时其输出序列的随机性与异或移位随机数生成器类似。     

σ-LFSR极小多项式研究

σ-LFSR是一种基于字的适合软硬件实现的新型线性反馈移位寄存器。它的极小多项式系数属于F2m[σ],σ是Frobenius自同构。证明了分量序列极小多项式是同一个特征多项式的因子;得到了σ-LFSR极小多项式矩阵的第1个不变因子是序列的唯一极小生成多项式(系数在有限域F2m上);给出了一个判断向量序列是σ-LFSR的充要条件。     

浅谈智能楼宇消防广播系统设计

本文以案例的形式,以迪士普智能消防广播系统为基础,阐述了当前智能楼宇消防广播系统的设计方法,包括设计要求、设计依据、设计思路、设计效果等,为智能楼宇消防广播系统设计提供参考。     

基于单/双层壁电离室的强钴源低能γ成分评估方法

利用重金属工艺可提高器件可靠性,低能γ将使器件高Z/低Z界面附近产生剂量增强效应,影响器件抗辐射性能评估。介绍了一种强钴源低能散射γ成分评价方法,利用铝单层室壁/金铝双层室壁平板型电离室辐射电流比值对γ能量敏感的特性,通过比较电流比值实测与参考值的差异,估计散射γ(≤300 ke V)成分是否过多,典型钴源能谱计算结果表明:参考值可取为2.8。研制了量程为0.01~2.3 Gy·s~(-1)(Si)的电离室探头,搭建了长距离辐射电流测量系统。单板钴源实验结果表明:空场条件和铅铝容器(散射抑制)内辐射电流比值实测结果与预期相符,方法可行;能够检验能谱硬化技术的有效性;可从剂量角度关联不同辐射场或相同辐射场不同辐照工位。