用分子束外延生长高质量p-Ge/N-GaAs异质结

<正>Ge具有较高的空穴迁移率和较小的禁带宽度,并能进行重掺杂,且Ge与GaAs之间有非常好的晶格匹配.这些优点可应用于空穴调制掺杂结构、GaAs-Ge量子限制结构、光晶体管和异质结双极晶体管.     

电缆地层测试流体流动新模型

地层厚度、倾斜和地层的各向异性等均能使地层流体在流动过程中的流线分布发生变形。据此，提出了一种电缆地层测试时由流线分布导出的流体流动新模型。将常规计算的稳态压降、模拟出的各向异性压降与各向同性压降等所导出的渗透率值志井壁取心值进行了比较，结果表明，各向异性压降模拟的渗透率值在－５．０％￣７．５％之间，而常规计算的渗透率值误差则在－１５％￣３２％之间，各向异性模拟的精度要比常规计算量的精度高得多。     

质子交换膜燃料电池氢源技术进展

论述了目前国内外质子交换膜燃料电池(PEMFC)氢源技术现状及几种为质子交换膜燃料电池提供氢源的主要途径,并对各种氢源技术进行了简要总结.     

埋地燃气管道的腐蚀泄漏成因及防腐蚀措施

2005年10月27日，某液化石油气公司的1条埋地管道发生泄漏事故。该管道为Ф159mm×6mm的20#无缝钢管，输送介质为液相液化石油气，总长为6．2km，紧贴其旁还有1条同时施工的Ф89mm相同长的气相管。管道于1997年12月至1998年4月安装，管道的设计、安装单位的资质，相关的设计文件、图纸、施工资料，     

Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性

提出在Ni中掺人夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成.Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃.Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1.     

采用浴盐同步冷却法解决大直径角度铣刀淬火裂纹

本文主要针对高速钢制造的角度铣刀,在热处理淬火过程中的开裂问题进行了试验。采用工件与浴盐同步冷却法达到缓慢、均匀、同步冷却,使组织应力和热应力大为减小,有效地解决了角度铣刀的淬火开裂问题。本文所述方法,简便易行,并可应用到其它形状复杂、易开裂的高速钢刀具上。