化工原理实验预习系统设计与效果

实验预习是化工原理实验教学的首要环节,是学生在开放实验室高效实验的基本保证。本文针对我校实验室的实验设备情况,对实验预习系统的开发进行了设计,并对所设计的各个部分的使用效果进行了叙述。化工原理实验预习系统的应用,是提高学生实验预习效率和实验效率的重要举措,能够有效地保证了化工原理实验教学质量。     

基于ANFIS与多模型的一类非线性系统的自适应控制方法

针对一类不确定的离散时间零动态不稳定非线性系统,提出了一种基于自适应神经模糊推理系统(ANFIS)与多模型的非线性自适应控制方法。该方法由线性鲁棒自适应控制器,基于ANFIS的非线性自适应控制器以及切换机制组成。线性控制器用来保证闭环系统输入输出信号有界,非线性控制器用来改善系统性能。切换机制通过对上述两种控制器的切换,保证闭环系统输入输出有界的同时,改善系统性能。在采用ANFIS作为系统未建模动态补偿器时,首先用一个连续、单调、可逆的一一映射把可能无界的未建模动态的定义域转化成一个有界闭集,保证了ANFIS的万能逼近特性成立的前提条件。而且,ANFIS能减小BP神经网络收敛速度慢和容易陷入局部极小的问题,改善了控制效果。建立了保证系统稳定性的引理,并给出了闭环系统的稳定性和收敛性分析。通过仿真比较,说明了所提方法的有效性。     

工况对泵入型螺旋槽动压密封液膜汽化相变和密封性能的影响

液氧动压密封性能对液氧涡轮泵的工作效率及稳定性有很大的影响,为了研究不同工况下机械密封液膜的相变和密封性能,建立端面液膜汽化相变数值计算模型,分析液膜汽化的相变程度、相变区域分布和液膜汽化相变对泵开启力和泄漏量的影响。结果表明：工况参数对液膜的汽化相变有着一定程度的影响,随着动环转速、介质压力的增加,相变被抑制且最大相变体积分数发生在压力出口处且范围逐渐减小,最大相变压力逐渐增加,开启力和泄漏量不断增大;介质温度升高会促进相变的发生,最大相变体积分数发生在压力出口处且范围逐渐增加,最大相变压力不断减小,开启力和泄漏量不断减小。液膜的汽化相变会对密封性能产生直接的影响,合理选择密封工况,可有效利用和控制相变,提高密封性能。     

新型防老剂SRP在轮胎胎体胶中的应用

研究新型防老剂SRP在斜交轮胎胎体胶中的应用。结果表明,加入防老剂SRP,胎体胶的粘合性能显著提高,强伸性能和耐热老化性能变化不大;胎体胶中防老剂SRP的适合用量为0.5-1份。     

短小芽孢杆菌β-1,4-葡聚糖内切酶基因的克隆及在大肠杆菌中的分泌表达

从一株产碱性纤维素酶的短小芽孢杆菌H12中克隆了编码β-1,4-葡聚糖内切酶的基因,对其基因序列及其酶的结构域进行了分析预测,同时将该酶的基因构建于大肠杆菌表达载体pET20b中,获得重组表达载体pET20b-EglA,将其转化至大肠杆菌BL21(DE3)菌株中进行表达。结果表明,该基因大小为1980 bp,共编码659个氨基酸;对β-1,4-葡聚糖内切酶结构域分析表明,该酶由两个不连续的结构域组成,其一为N-端催化结构域,由糖基水解酶家族9组成,其二为C-端底物结合结构域,由碳水化合物绑定结构域家族3组成;平板实验结果表明,β-1,4-葡聚糖内切酶基因在重组大肠杆菌中得到了良好的分泌表达;SDS-PAGE电泳图谱表明该酶的分子大小约为73 kDa。     

随机并行梯度下降自适应光学对主振荡功率放大器激光系统的光束净化实验

主振荡功率放大器(MOPA)固体激光系统中的功率放大器会将热致波前畸变引入到被放大的激光束中,造成输出光束质量变差,可以通过自适应光学(AO)系统实时补偿光束的波前畸变以改善光束质量.采用随机并行梯度下降(SPGD)算法控制一个37单元变形镜,通过光电探测器测量远场光斑的桶中功率作为评价光束质量的判据,建立了一个迭代速率为100 Hz的最优化自适应光学系统,对由Nd:YAG主振荡器与Nd:YAG功率放大器组成的MOPA激光系统在不同抽运电流情况下的输出光束进行了净化实验.结果显示,净化后光束质量都得到了提高,甚至β因子大于9的光束在净化后其β因子也减小了58%,表明基于随机并行梯度下降算法的自适应光学方法确实可以用于光束净化.     

脉冲光纤激光相干合成技术

概述了目前国内外脉冲光纤激光相干合成的研究现状,介绍了几种典型脉冲激光合成方法,比较了各种方法的优缺点,分析了向高功率扩展的可能性,并简要总结了脉冲光纤激光器合成技术的发展趋势.     

A surface potential-based non-charge-sheet core model for undoped surrounding-gate MOSFETs

A surface potential based non-charge-sheet core model for cylindrical undoped surrounding-gate (SRG) MOSFETs is presented. It is based on the exact surface potential solution of Poisson's equation and Pao-Sah's dual integral without the charge-sheet approximation, allowing the SRG-MOSFET characteristics to be adequately described by a single set of the analytic drain current equation in terms of the surface potential evaluated at the source and drain ends. It is valid for all operation regions and traces the transition from the linear to saturation and from the sub-threshold to strong inversion region without fiRing-parameters, and verified by the 3-D numerical simulation.     

F-N应力下SOI n-MOSFETs性能退化与栅控二极管产生-复合（G-R）电流的对应关系

本文验证了F-N应力导致的SOI n- MOSFET器件性能退化与栅控二极管的产生-复合（G-R）电流的对应关系。F-N应力导致的界面态增加会导致SOI-MOSFET结构的栅控二极管的产生-复合（G-R）电流增大,以及MOSFET饱和漏端电流,亚阈斜率等器件特性退化。通过一系列的SOI-MOSFET栅控二极管和直流特性测试,实验观察到饱和漏端电流的线性退化和阈值电压的线性增加,亚阈摆幅的类线性上升以及相应的跨导退化。理论和实验证明栅控二极管是一种很有效的监控SOI-MOSFET退化的方法。     

非掺杂环栅MOSFETs的基于表面电势和非薄层电荷的核心模型

A surface potential based non-charge-sheet core model for cylindrical undoped surrounding-gate （SRG） MOSFETs is presented. It is based on the exact surface potential solution of Poisson＇s equation and Pao-Sah＇s dual integral without the charge-sheet approximation, allowing the SRG-MOSFET characteristics to be adequately described by a single set of the analytic drain current equation in terms of the surface potential evaluated at the source and drain ends. It is valid for all operation regions and traces the transition from the linear to saturation and from the sub-threshold to strong inversion region without fitting-parameters, and verified by the 3-D numerical simulation.