多孔陶瓷载体氧化铝涂层的研究

分别用纳米γ-Al₂O₃和SB粉制备了多孔陶瓷载体的Al₂O₃涂层。BET法测定了多孔陶瓷载体Al₂O₃涂层改性前后比表面积的变化。由SEM照片观察多孔陶瓷载体涂层改性前后表面和断面的形貌。结果表明，这两种方法对多孔陶瓷载体涂层改性均有效可行。     

光纤参量放大器技术及其最新进展

介绍和论述了一种非常有实用前景的基于光纤非线性效应的光参量放大器(OPA)及其最新技术进展．最新发展揭示了它的很多技术特性优于传统的掺铒光纤放大器(EDFA)、半导体光放大器(SOA)和近年来很热门的光纤拉曼放大器(FRA)，如对信号的调制形式、比特率的完全透明性、相位共轭、超宽的增益带宽、很低的噪声指数和具备优异的全光波长转换功能．     

MD膜驱剂的粘土稳定性研究Ⅰ.静态试验

粘土的膨胀和分散是引起地层伤害的两个重要因素。通过测定Zeta电位、XRD、悬浮液透光率、FT-IR考察了MD膜驱剂（MDFFA）对粘土稳定性的作用。结果表明，MDFFA的浓度低于0．3 mmol／g（以蒙脱土质量计）时，蒙脱土悬浮液Zeta电位的提高是由于膜驱剂分子的吸附改变了蒙脱土的层电荷；高于此浓度时，Zeta电位进一步提高是由于双电层的压缩。随着MDFFA浓度的增大，蒙脱土的完全膨胀层向部分膨胀层转化，并且经水冲洗、浸泡后，其XRD谱峰位置变化不大。较高浓度的MDFFA，能有效地抑制蒙脱土的分散，且不会形成对地层有害的絮凝体。MDFFA使蒙脱土层间水的含量明显降低。     

泌阳凹陷深层系测井评价方法研究及应用

针对泌阳凹陷深层系测井评价的难题，进行了岩心实验研究，为区域测井资料的处理解释提供了依据；基于岩心、试油及其它资料，利用地区经验及多种方法，确立了适合区域测井评价的基本储层参数计算模型及油气层评价常用参数下限标准，优选出了油气层判别地区适用方法，形成了一套有效的综合测井解释实用技术，提高了测井评价的准确性，满足了勘探开发生产需要。同时说明了地区经验及多信息、多方法的综合判别在解决低孔、低渗油气层测井评价难题中的重要性。     

气动贯通式潜孔锤反循环连续取心取样钻进新技术在河南钼矿中应用

三道庄钼矿勘探生产中钻遇的地层非常复杂，采用其他方法均无法实现钻进，经过分析比较，决定采用贯通式潜孔锤反循环连续取心（样）钻进新技术来解决该地层钻进难、成孔难、取样难等三大问题。文章从钻进技术特点、工作原理等方面对该技术进行详细分析，得出其具有钻进效率高、岩心（样）采取率高、成孔质量好等突出优点。并介绍了钻进主要设备机具的配套、施工工序、操作要点、遇到问题的解决方法等。在河南钼矿露天采石场应用该项技术，有效避免了塌孔和卡钻事故，工程进展顺利、质量好、岩心（样）采取率在98％以上，取得了良好的效果。针对在生产试验中遇到的某些问题，作者提出了一些改进建议。     

HSG冻胶调剖堵水剂室内评价

针对吉林油田低渗透、裂缝油藏注水开发后期注水窜流严重的特点,研制出新型冻胶调剖堵水剂HSG。对HSG成胶前溶胶体系的表观黏度影响因素进行了分析,分析认为在相同剪切速率下溶胶体系表观黏度随共聚物浓度、矿化度、碱含量的增加而增大,并表现出剪切稀释特性,黏温测试表明溶胶体系表观黏度随温度升高而下降;对HSG成胶后冻胶体系的强度进行了测定,确定其屈服应力值为3500 Pa,振荡剪切应力扫描确定了冻胶体系的线性黏弹性区域,频率扫描确定该冻胶为强冻胶体系;2组并联填砂管选择注入试验表明,HSG溶胶体系具有良好的选择注入能力,能达到优先进入高渗透层的目的;20 m超长填砂管封堵试验表明,HSG溶胶体系的注入压力梯度为0.82 MPa/m,具有易于注入的特点,HSG成胶后的封堵强度为17.54 MPa/m,具有较强的封堵能力。该研究为HSG冻胶调剖堵水剂现场应用提供了借鉴。     

万家寨引黄工程北干线1号隧洞施工方案比选

文中针对引黄北干1号隧洞工程的施工方案，提出了常规钻爆法和TBM施工，并对这两种施工方案进行了比选，最终确定采用TBM施工方案。     

面向空间应用的片上系统集成技术研究

文章采用一种新颖方法对商用IP进行可靠性提升、完善，同时进行容错结构设计,建立了拥有自主知识产权的专用加固型标准单元库，构建了面向空间应用的SoC设计方法与流程，形成了面向空间电子系统的系统集成设计平台，用该技术实现了面向卫星等空间应用的32位嵌入式RISC处理器SoC芯片，获得了一次投片成功。     

新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。     

利用静电学和测量数据对碳纳米管膜场致发射规律的定量分析

碳纳米管膜的场致发射电流密度仅由它表面的宏观电场决定，无论其表面形状是平的还是半球状的。对于理想的平行板电极系统，其表面电场强度均匀（UId），发射电流密度、总电流与发射面积成正比：对于半球一平面电极系统半球形的阴极存在一个宏观场增强因子ks，一个与两极距离和球半径之比（d/r）相关的函数，其表面的平均场强为ks U/d。对于d/r=0，ks=1，d≥r的情况，ks接近于常数。对于10〈d／r〈100的情况，存在一个经验的表达式：ks=1＋0．15d/s=0．005（d／r）^2。在引入ks后，不同作者给出的平面电极系统和半球一平面电极系统碳纳米管膜的场致发射电流I与宏观表面电场强度E的关系都可以近似用-经验公式描述：I=a（E-Eo）^b，a，b为常数。该经验公式可为稳定生产的CNT膜片应用产品设计提供方便。