水溶液辐射分解产物对金属材料腐蚀的影响

实验研究了水辐射分解作用对高放废物深地质处置容器材料的影响。在高放废物深地质处置库附近的地下水,受辐射线作用后分解出氧、氢和氧化产物(例如H_2O_2等),于是在高放废物容器周围形成一个氧化场,导致高放废物中的某些重要放射性核素(例如U,Np和Tc)易溶于水,并向远域迁移。本实验中的含FeSO_4(0.13 mol/L)水溶液在吸收剂量为0、20、60、180、500kGy的射线作用下,其氧化还原电位(Eh)值由+357mV增至+414 mV;在不同吸收剂量的射线作用下,金属Cu、金属Al、0.357 mv金属Fe和不锈钢(后者是我国拟采用的高放废物包装容器材料),在水溶液中的氧化侵蚀强度,分别比在无辐射情况下的大0.2-6.1倍。     

丙烯酸酯聚氨酯紫外固化凝胶生成动力学研究

采用丙烯酸酯聚氨酯和二苯甲酮/安息香乙醚复合光敏剂,对该体系紫外光固化反应的凝胶生成动力学进行分析。用红外光谱定量测定光聚合过程的变化,发现光聚合反应主要是以双键打开,交联为特征的,并得出1408cm~(-1)双键吸收峰随光照时间而变化的关系式:P_(c=c)=0.325 t~(0.135)。临界凝胶点可由双键反应程度与凝胶分数之间关系外推得到,凝胶点后,体系中存在一个凝胶与溶胶之间分配关系,此时凝胶与溶胶共存,凝胶中双键反应程度P_(A(g))>总双键反应程度P_A>溶胶中双键反应程度P_(A(S))。随着凝胶增加,P_A和P_(A(g))逐渐上升,而P_(A(s))下降。此体系的紫外固化实验工作曲线与理论值基本一致。     

一个表示和运用非功能性需求的框架

本文分析了一个软件开发进程中表示和运用非功能性需求的综合框架，该框架的目的是开发一套技术以调整软件开发进程中的设计决策，从而强调了依据非功能需求，探索合理化的软件开发进程。     

代数曲面的几何连续过渡及其应用

本文对代数曲面的几何连续拼接作了研究，给出了多个代数曲面的几何连续过渡方法，同时给出了一种基于分片的曲面过渡方法。     

用边界元法提取VLSI版图电阻

介绍了ＶＬＳＩ版图验证中电阻提取的基本原理和主要方法，给出了一种新颖的基于边界元法的电阻提取算法。该算法采用变节点单元，较好地解决了实际问题中经常出现的角点问题。通过应用该算法对几个实例进行提取，证明使用本文的算法不仅在精度上而且在占用ＣＰＵ时间上都取得了令人满意的效果     

VHDL逻辑综合及FPGA实现

运用ＶＨＤＬ语言描述了一个１２×１２位的高速补码阵列乘法器。重点是运用ＶＨＤＬ逻辑综合优化该乘法器，并进行了乘法器的ＸｉｌｉｎｘＦＰＧＡ实现、功能仿真和时序仿真。经选用ＸＣ４００５ＰＣ－８４－４芯片进行验证，证明了其正确性     

一种RISC单片机的分块结构寄存器堆

介绍了一种用于ＲＩＳＣ单片机ＰＩＣ１６Ｃ５７的寄存器堆，讨论了为降低功耗所采用的分块结构，详细说明了译码逻辑、ＳＲＡＭ单元、读／写电路和文件选择寄存器等电路的形式及其工作原理     

InGaAsP/InP有源双稳放大器的实验研究

本文报导了室温下F—P型InGaAsP/InP双异质结半导体激光放大器的双稳态效应,放大器的增益为20dB。     

Evaporated Thin Films of CdS and CdTe: Optimization for Photovoltaic Applications

Thin films of cadmium sulphide and cadmium telluride have been prepared by thermal evaporation under various conditions of deposition. These films have been characterized optically. electrically and for structure determination. The results of these characterizations along with the initial results of all thin film CdS/CdTe solar cells are presented in this paper