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121.
钕铁硼在低音扬声器磁路中的应用   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍适用于低音扬声器的两种不同充磁方向磁体联合应用磁路。讨论了联合应用磁路所用钕铁硼磁体的压制成型、磁性能检验、装配和充磁。  相似文献   
122.
对甲基丙烯酸三氟乙酰氧乙酯(TFAOEMA)的阴离子聚合及原予转移自由基聚合进行了研究。常用的阴离于引发剂如丁基锂、1,1-二苯基已基锂等很难引发TFAOEMA的阴离子聚合,而碱性较弱的引发剂如三乙基铝却容易引发,且产率较高。以氯化亚铜、五甲基二乙基三胺、溴代丙酸乙酯为引发体系的TFAOEMA的本体原子转移自由基聚合符合活性聚合特征。但在四氢呋喃为溶剂的原子转移自由基聚合中却存在活性中心失活现象。以末端含卤素的聚甲基丙烯酸甲酯为大分子引发剂,引发TFAOEMA的原子转移自由基聚合,得到了含氟双嵌段聚合物。  相似文献   
123.
We demonstrate the first programmable group-delay module based on polarization switching. With a unique binary tuning mechanism, the device can generate any differential group delay value from -45 to +45 ps with a resolution of 1.40 ps, or any true-time-delay value from 0 to 45 ps with a resolution of 0.7 ps. The delay varying speeds for both applications are under 1 ms and can be as fast as 0.1 ms. We evaluate both the dynamic and static performances of the device while paying special attention to its dynamic figures of merit for polarization-mode dispersion emulation and compensation applications. Our experiment shows that the device exhibits a negligible transient-effect induced power penalty (<0.2 dB) in a 10-Gb/s nonreturn-to-zero system.  相似文献   
124.
Recently, S.J. Lee proposed a blind feedforward symbol timing estimator that exhibits low computational complexity and requires only two samples per symbol (see IEEE Commun. Lett., vol.6, p.205-7, 2002). We analyze Lee's estimator rigorously by exploiting efficiently the cyclostationary statistics present in the received oversampled signal; its asymptotic (large sample) bias and mean-square error (MSE) are derived in closed-form expression. A new blind feedforward timing estimator that requires only two samples per symbol and presents the same computational complexity as Lee's estimator is proposed. It is shown that the proposed new estimator is asymptotically unbiased and exhibits smaller MSE than Lee's estimator. Computer simulations are presented to illustrate the performance of the proposed new estimator with respect to Lee's estimator and existing conventional estimators.  相似文献   
125.
Crystallization and thermoelectric properties of poly(ε-caprolactone) (PCL)/poly(vinyl butyral) (PVB)/montmorillonite (MMT) nanocomposites containing carbon black (CB) have been studied as a functions of a small amount of amorphous PVB content and a wide range of molecular weight of PVB. X-ray diffraction data of PCL/PVB/MMT nanocomposites indicates most of the swellable silicate layers are exfoliated and randomly dispersed into PCL/PVB system. The band spacings of PCL spherulites in PCL/PVB/MMT nanocomposites decrease with increasing PVB content, and this indicates that increasing the PVB content greatly shortens the period of lamellar twisting. The presence of 1 wt% MMT and higher molecular weight of PVB also shorten the period of PCL lamellar twisting. Nucleation and crystallization parameters, such as growth rate G and Avrami exponent n, can be determined by using POM and DSC isothermally crystallized at 41 °C. For samples with the same CB content, the intensity of positive temperature coefficient (PTC) (IPTC, defined as the ratio of peak resistivity to resistivity at room temperature) of the nanocomposites was increased as the content and the molecular weight of PVB increases. The change of the PTC property related to the morphological difference (i.e. period of lamellar twisting) in the nanocomposites can be discussed.  相似文献   
126.
转动玻璃圆筒激光器   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文介绍了转动玻璃圆筒激光器的设计及实验结果,得到了脉冲能量为13J,重复频率为15Hz的激光输出。电光转换效率为2.2%,斜效率为3.4%。  相似文献   
127.
硫酸铵-氯化亚锡-孔雀绿体系浮选分离铂   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了在盐酸介质中硫酸铵存在下氯化亚锡—孔雀绿—水体系浮选分离铂的方法。在最佳实验条件下,铂的浮选率可达100.0%,并与常见贱金属完全分离。  相似文献   
128.
刘燕 《中国氯碱》2003,(11):7-8
介绍了通过优化工艺指标,如精确控制化盐温度、增加粗盐水的过碱量、减少助沉剂的投加量等提高了盐水质量并降低了生产成本。  相似文献   
129.
Zinc ferrite is a promising sensor material. In this paper, thin films of nanocrystalline zinc ferrite were deposited on alumina substrates by nebulization of a 0.01-M solution of a mixture of ZnCl/sub 2/ and FeCl/sub 3/ in ethanol (Zn:Fe=1:2) followed by pyrolysis and annealing in flowing air. The resulting films were characterized by X-ray diffraction and scanning electron microscopy, and the gas-sensing properties of as-deposited films were also investigated.  相似文献   
130.
The authors report the implementation of deep-submicrometer Si MOSFETs that at room temperature have a unity-current-gain cutoff frequency (fT) of 89 GHz, for a drain-to-source bias of 1.5 V, a gate-to-source bias of 1 V, a gate oxide thickness of 40 Å, and a channel length of 0.15 μm. The fabrication procedure is mostly conventional, except for the e-beam defined gates. The speed performance is achieved through an intrinsic transit time of only 1.8 ps across the active device region  相似文献   
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