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91.
高温稀土永磁Sm2(Co,Cu,Fe,Zr)17 的制备和性能 总被引:5,自引:0,他引:5
制备了高温稀土永磁材料Sm(Coba1Fe0.26Cu0.05Zr0.026)7.0,研究了磁性能与工艺条件的关系.结果表明:提高烧结温度可使材料的Br和(BH)max增大,但是使Hci降低;适当提高真空预烧温度,可使材料在较低烧结温度下致密化,具有较高的Hci和(BH)max和温度稳定性.真空预烧温度过高使性能的急剧降低,其主要原因是Sm的析出.在最佳工艺条件下材料的磁性能参数分别为:Br1.08T3Hci2286kA/m,Hcb932kA/m,(BH)max220.8kJ/m^3;β20-200℃为-0.19%/℃. 相似文献
92.
XU Ying LIAO Xianbo DIAO Hongwei Li Xudong ZENG Xiangbo LIU Xiaoping WANG Minhua WANG Wenjing 《稀有金属(英文版)》2006,25(Z1)
Hetero-junction solar cells with an mc-Si:H window layer were achieved. The open voltage is increased while short current is decreased with increasing the mc-Si:H layer's thickness of emitter layer. The highest of V oc of 597 mV has obtained. When fixed the thickness of 30 nm, changing the N type from amorphous silicon layer to micro-crystalline layer, the efficiency of the hetero-junction solar cells is increased. Although the hydrogen etching before deposition enables the c-Si substrates to become rough by AFM images, it enhances the formation of epitaxial-like micro-crystalline silicon and better parameters of solar cell can be obtained by implying this process. The best result of efficiency is 13.86% with the V oc of 549.8 mV, J sc of 32.19 mA·cm-2 and the cell's area of 1cm2. 相似文献
93.
The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI. 相似文献
94.
High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。 相似文献
95.
测试了氧化锌颗粒膜电阻响应-恢复特性,讨论了颗粒形态,加热电压、环境气氛、气氛浓度和注入方式等因素对电阻响应-恢复特性的影响。结果表明,随着加热电压的升高,电阻响应-恢复的速度和程度明显加大;断续注入时颗粒膜电阻值的响应随着浓度的增加逐步减弱. 相似文献
96.
97.
本文介绍了可靠性预计的目的,并对当前较为常见的可靠性预计模型或方法做了比较和说明,也对造成可靠性预计局限性的原因做了分析,最后对在可靠性工程工作中对待可靠性预计的态度做了探讨. 相似文献
98.
基于VHDL实现单精度浮点数的加/减法运算 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了单精度浮点数加/减法的结构及其设计方法,并在Aldec公司的Active—HDL软件环境下,采用VHDL语言进行设计,并进行了仿真验证,计算精度可以达到10^-7。 相似文献
99.
采用聚合物包覆热分解法化学工艺制备了纳米氧化锌,对其工艺进行系统的比较研究,对所得粉体进行XRD与SEM表征。发现利用该工艺所得粉体为六方晶系纤锌矿结构(空间群为P63mc)的纳米氧化锌。该方法制备的氧化锌衍射峰尖锐,表明此种方法合成的氧化锌结晶程度高。所得的氧化锌粉体XRD图谱中没有杂质衍射峰,说明产物纯度都很高。产品SEM表征结果显示了此工艺产物在形貌方面的高度一致性——为菊花状氧化锌纳米杆团簇,对产物形貌形成的原因做了探讨。 相似文献
100.
以乌海地区为例透视矿业环境问题 总被引:3,自引:2,他引:1
以乌海地区为例,全面剖析了采矿对地质环境的破坏及其对生态、经济、社会带来的影响,旨在有助于社会对此问题严重性的认识,以便为区域可持续发展制定良策。 相似文献