钛酸铋钠基陶瓷的冷烧结制备及介电性能

冷烧结(CSP)工艺是近年来新兴的一种高效、节能的材料方法。本工作采用CSP工艺，制备出致密度不低于97%的(1–x)BNT–x NN电介质陶瓷。研究了CSP工艺和Na Nb O₃含量对(1–x)BNT–x NN复相陶瓷的密度、相结构、显微形貌和介电性能的影响。结果表明：CSP工艺由于烧结温度低、保温时间短，可以显著降低晶粒尺寸，有效抑制Bi、Na等元素挥发，从而提高介电常数，降低介电损耗。随着Na Nb O₃含量的增加，(1–x)BNT–x NN复相陶瓷的剩余极化强度显著降低，并且介电常数的温度稳定性显著提升。当x=0.3时，0.7BNT–0.3NN陶瓷样品在25℃至400℃宽温范围内介电常数的变化率小于±6%，介电损耗小于5%，这表明CSP技术制备的(1–x)BNT–x NN陶瓷有望应用于温度稳定性陶瓷电容器。