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采用传统熔融方法制备了透明BaO-B2O3玻璃.经受控热处理后,由XRD谱发现表面存在a轴取向BBO结构的微晶薄膜层,由Soberrer公式计算得出晶粒尺寸约20nm.在1.064μmQ开关Nd:YAG强激光作用下,观察到了倍频效应的产生(SHG)。 相似文献
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研究了不同碱金属离子的碲酸盐玻璃在较低温度范围内的粘度曲线,并采用麦夸特优化算法对曲线进行拟合.结果表明采用Fulcher方程和Williams方程都可以得到很好的拟合结果,并且两者参数之间存在一定的内部联系.利用得到的参数可计算玻璃中自由体积分数随温度的变化情况,并可计算得到的粘度变化速率.研究表明,含Li+离子的样品相对于含Na+离子和K+离子的样品来说其粘度变化速率较小.根据玻璃形成动力学理论,采用粘度变化速率表征玻璃的抗析晶性能更具准确性和科学意义. 相似文献
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报道了钨碲酸盐玻璃系统TeO2-ZnO-Na2O-WO3 和钨铌碲酸盐玻璃系统TeO2- ZnO-Na2O-Nb2O5-WO3抗析晶热稳定性和拉曼光谱特性. 实验研究了掺杂WO3和Nb2O5对碲酸盐玻璃抗析晶热稳定性和拉曼光谱特性的影响, 并分析讨论了掺杂碲酸盐玻璃拉曼谱带展宽机制. 结果表明, 掺杂WO3和Nb2O5较大地提高了碲酸盐玻璃的抗析晶热稳定性, 钨铌碲酸盐玻璃最大抗析晶热稳定性ΔT达154℃. 拉曼光谱研究表明,WO3和Nb2O5的加入使碲酸盐玻璃在921和862cm-1附近出现特征谱带, 导致拉曼光谱中高频移区从550cm-1延伸扩展到950cm-1, 从而有效地拓宽了碲酸盐玻璃的拉曼带宽, 钨铌碲酸盐玻璃最大拉曼光谱半高宽可达355cm-1. 实验研究表明,钨铌碲酸盐玻璃是宽带拉曼光纤放大器的候选材料之一. 相似文献
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激光印痕研究中的硅平面薄膜和刻蚀膜 总被引:1,自引:1,他引:0
研制了用于激光印痕研究的Si平面薄膜和刻蚀膜。膜制备的主要工艺采用氧化、扩散、光刻等现代半导体技术,并结合自截止腐蚀技术。Si平面膜厚度为3~4μm,表面粗糙度为几十nm。采用离子束刻蚀工艺,在Si膜表面引入25μm×25μm的网格图形或线宽为5μm的条状图形,获得了相应图形的Si刻蚀膜。探讨了扩散、氧化、腐蚀工艺对自支撑Si平面薄膜的表面粗糙度的影响,研究了离子束刻蚀参数对刻蚀图形形貌的影响。 相似文献
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利用差式量热扫描(DSC)和粘度测试研究了碲酸盐玻璃的抗析晶性能,结果表明ZnO代替TeO2提高了玻璃的抗析晶能力,使玻璃粘度增加,以 mol%ZnO替换TeO2时玻璃的热力学性能最好,有利于光纤拉制. 相似文献
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用高温熔融法制备了不同TM3+浓度掺杂的65GeO2-12AlF3-8Li2O-10BaF2-5La2O3-Xtm2o3(x=0.5 mol%,1.0 mol%,2.0 mol%,4.0 mol%,6.0 mol%)玻璃.从吸收光谱特性出发,根据Judd_Ofelt理论,计算得到了TM3+离子的J-O强度参数(Ω2,Ω4,Ω6)及TM3+离子各激发能级的自发跃迁几率、荧光分支比以及辐射寿命等光谱参量.在808 nm波长的激发下,研究了不同TM3+掺杂浓度下玻璃在~1.47μm与~1.8μm处的荧光特性,在掺杂浓度约达到1.0 mol%时,在1.8 μm处的荧光强度达最大,然后随着掺杂浓度的增大,其荧光强度反而降低.作者从TM3+的交叉驰豫与浓度猝灭效应解释了这一荧光强度变化的过程. 相似文献
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The 2.0 μm emission originating from Ho^3+:^5I7→^5I8 were investigated upon excitation with 808 nm laser diode (LD) transition in Ho^3+/Tm^3+-codoped gallate-bismuth-germanium-lead glasses Energy transfer (ET) process between Tm^3+: ^3F4 level and Ho^3+: ^5I7 level was also discussed. It was noted that the measured peak wavelength and stimulated emission cross-section of Ho^3+-doped bismuth-germanium-lead glasses were -2.02 μm and 5.1×10^-21 cm^2, respectively. Intense emission of Ho^3+ in Tm^3+/Ho^3+-codoped GBPG glass were observed, which resulted from the ET between Tm^3+: ^3F4 and Ho^3+: ^5I7 level upon excitation with 808 nm LD. 相似文献