全文获取类型
收费全文 | 937篇 |
免费 | 35篇 |
国内免费 | 31篇 |
专业分类
电工技术 | 49篇 |
综合类 | 28篇 |
化学工业 | 130篇 |
金属工艺 | 46篇 |
机械仪表 | 61篇 |
建筑科学 | 81篇 |
矿业工程 | 52篇 |
能源动力 | 18篇 |
轻工业 | 164篇 |
水利工程 | 49篇 |
石油天然气 | 33篇 |
武器工业 | 5篇 |
无线电 | 136篇 |
一般工业技术 | 48篇 |
冶金工业 | 49篇 |
原子能技术 | 4篇 |
自动化技术 | 50篇 |
出版年
2024年 | 5篇 |
2023年 | 14篇 |
2022年 | 11篇 |
2021年 | 11篇 |
2020年 | 18篇 |
2019年 | 35篇 |
2018年 | 41篇 |
2017年 | 10篇 |
2016年 | 14篇 |
2015年 | 22篇 |
2014年 | 50篇 |
2013年 | 51篇 |
2012年 | 63篇 |
2011年 | 60篇 |
2010年 | 51篇 |
2009年 | 73篇 |
2008年 | 80篇 |
2007年 | 75篇 |
2006年 | 71篇 |
2005年 | 51篇 |
2004年 | 29篇 |
2003年 | 15篇 |
2002年 | 23篇 |
2001年 | 13篇 |
2000年 | 13篇 |
1999年 | 24篇 |
1998年 | 21篇 |
1997年 | 23篇 |
1996年 | 10篇 |
1995年 | 4篇 |
1994年 | 4篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
1982年 | 4篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有1003条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
本文基于特许0.18μm CMOS工艺,提出了一种新型的低复杂3.1~10.6GHz超宽带LNA电路,它由两级简单的放大器通过级间电感连接构成。第一级放大器使用电阻电流复用结构和双电感退化技术来达到宽带输入匹配和低噪声性能,第二级放大器使用带电感峰值技术的共源级放大器来同时达到高平坦增益和好的宽带性能。测试结果表明,在3.1~10.6GHz频段内,提出的超宽带LNA的最大功率增益为15.6dB,S12为-45dB,输入输出隔离度小于-10dB,噪声系数NF为2.8~4.7dB,在6GHz时的输入三阶交调点IIP3为-7.1dBm。芯片在1.5V电源电压下,消耗的功率为14.1mW,芯片总面积为0.8mm0.9mm。 相似文献
92.
A differential low-voltage high gain current-mode integrated RF front end for an 802.11b WLAN is proposed.It contains a differential transconductance low noise amplifier(Gm-LNA) and a differential current-mode 0 down converted mixer.The single terminal of the Gm-LNA contains just one MOS transistor,two capacitors and two inductors.The gate-source shunt capacitors,Cx1 and Cx2,can not only reduce the effects of gate-source Cgs on resonance frequency and input-matching impedance,but they also enable the gate inductance Lg1,2 to be selected at a very small value.The current-mode mixer is composed of four switched current mirrors.Adjusting the ratio of the drain channel sizes of the switched current mirrors can increase the gain of the mixer and accordingly increase the gain of RF receiver front-end.The RF front-end operates under 1 V supply voltage.The receiver RFIC was fabricated using a chartered 0.18μm CMOS process.The integrated RF receiver front-end has a measured power conversion gain of 17.48 dB and an input referred third-order intercept point(IIP3) of-7.02 dBm.The total noise figure is 4.5 dB and the power is only 14 mW by post-simulations. 相似文献
93.
94.
95.
96.
97.
98.
100.