溶质运移理论的发展

关于土壤或地下水受到污染的问题,其实质是可溶性污染物在水流作用下在土壤或含水层中的运移结果,研究此问题而兴起的一门学科就是溶质运移理论。介绍了溶质运移模型、溶质运移的室内外试验研究成果和溶质运移数值模拟方法的研究现状。     

带像差补偿的光盘像散自动调焦透镜设计

对光盘光学头检测光路中广泛使用的光学平板所引入的光学像差进行分析计算,并由 此设计了一种放置于光盘光学头检测光路中的用以产生聚焦误差信号的像散透镜。它不但可以产生正常的调焦误差信号,同时还可以补偿由斜放入检测光路中的光学平板所带来的光学像差。经过实际应用,证明这种结构完全能够满足高密度光盘光学头的技术要求。     

可管理多媒体网络计算机(MMNC)

本文提出一种基于普适计算模式的可管理的多媒体网络计算机MMNC(Manageable Multimedia Network Computer).MMNC采用服务器进行信息存储和管理、客户端进行任务计算与用户交互的计算模式.它通过MRBP协议为用户提供系统定制,并通过虚拟交换与调度技术将服务器系统中的应用程序代码调用到客户机上执行,实现了客户端的无操作系统化和按需定制程序加载,具有很好的灵活性和扩展性,而且具有成本低、安全性高等优点.     

Belief-Propagation-Approximated Decoding of Low-Density Parity-Check Codes

In this paper, we propose a new reduced-complexity decoding algorithm of Low-Density Parity-Check (LDPC) codes, called Belief-Propagation-Approximated (BPA) algorithm, which utilizes the idea of normalization and translates approximately the intricate nonlinear operation in the check nodes of the original BP algorithm to only one operation of looking up the table. The normalization factors can be obtained by simulation, or theoretically. Simulation results demonstrate that BPA algorithm exhibits fairly satisfactory bit error performance on the Additive White Gaussian Noise (AWGN) channel.     

双基STAP雷达杂波非平稳特性消除的新方法

在单基侧视机载或星载雷达系统中,空时自适应处理是一种成熟可行的慢速移动目标检测方法。在双基雷达系统中,由于杂波的非平稳特性,空时自适应处理无法获得理想的性能。为了揭示双基雷达杂波的非平稳特性,文中推导出了方位-多普勒曲线,研究了一种基于AD曲线配准的杂波非平稳特性的消除方法,给出了此种方法的处理步骤和性能分析。通过仿真发现,该方法处理算法不太复杂且性能优良。     

对译码器引爆能力的技术改进

文章提出了几种改进译码器引爆能力的方案，详细介绍了这几种方案的优缺点及实施的方法，为多井组合激发勘探提供了技术保证。     

基于OpenGL的包装纸盒设计的三维实现

提出了基于OpenGL技术的一种由面模型构造三维盒体的方法,以多边形组成一个面、以面为基本单元构造纸盒,并将其应用于三维包装纸盒设计系统的开发中,该系统不仅实现了纸盒结构的二维平面设计,而且能够仿真三维盒型,并采用贴图技术看到装潢设计的立体效果。     

网络管理中事件关联检测机制的研究

网络事件的关联检测是网络管理需要解决的一个关键问题,本文根据分布式网络管理的特点,首次明确定义了网络事件的基本关联关系,在此基础上提出了一种基于Petri Net的事件关联检测机制,实现了基于事件内容的细粒度关联检测,并且在事件检测中充分考虑了时间因素,有效地提高了事件关联检测的准确性。     

在二(2-乙基己基)磷酸钠的微乳液中金属萃合物对水增溶的影响

测算了由二（2－乙基己基）磷酸钠，金属盐（CoSO4,NiSO4,ZnSO4,MgCl2或Cr(NO3)3)水溶液，正辛醇和正辛烷组成的微乳液中正辛醇从连续油相到界面的ΔGo→i^o和水的极限增容量φ'H2O。用金属萃取络合物反胶束的形成及其亲油性解释了金属离子对φ'H2O和ΔGo→i^o的影响。     

多层梯度层InGaAs（P）InPSAGM雪崩光电二极管

本文报道采用液相外延（ＬＰＥ）生长和传统光刻制管工艺研制出引入多层（三层或三层以上）中间能带隙过渡的吸收区、倍增区分离的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ雪崩光电二极管（简称ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰＳＡＧＭＡＰＤ），其技术指标为：击穿电压ＶＢ＝４０～９０Ｖ；０．９ＶＢ时的暗电流Ｉｄ最小可小于１０ｎＡ；１．３μｍ时光响应度Ｒｅ＝０．６～０．８Ａ／Ｗ，倍增因子Ｍ≥２０（Ｍｍａｘ＞４０），过剩噪声因子Ｆ≌５和较宽频带响应特性。