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81.
地方热电联产企业发展对策的探讨 总被引:2,自引:2,他引:0
介绍了泰州热电企业的运行情况,分析了各热电厂在技术改造、扩大热用户和强化内部考核管理方面的措施,探讨了地方热电企业应采取的对策和发展思路。 相似文献
82.
设计一条钢筋网自动化焊接生产线,包括经料送料平台、纬料自动分料及上料机构、多点电阻点焊机、接料平台、卸料机械手。从上料到出料依靠电机、汽缸之间的协调工作来实现。并由单片机和PLC实现控制功能,上位机用MCGS组态软件在整个过程监视现场,采集工作状态及参数,起到监控作用。 相似文献
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王利卿 《微电子学与计算机》2005,22(7):156-158
基于集散式的数据库存储、三层软件架构、中间件、智能Agent、数据仓库及在线分析、图形图像处理等多项技术而开发的广告管理系统是报业营运的核心应用软件,是支撑报业取得经济效益的重要工具,文中重点阐述了其总体设计方案与关键技术。该系统在技术上的几项突破改变了报业传统生产方式,解决了多项长期困惑业界的难题,行业带动性强,已在实际应用中取得了显著的经济效益,具有在全国报业广泛推广的价值。 相似文献
87.
BID: a novel BH3 domain-only death agonist 总被引:1,自引:0,他引:1
K Wang XM Yin DT Chao CL Milliman SJ Korsmeyer 《Canadian Metallurgical Quarterly》1996,10(22):2859-2869
The BCL-2 family of proteins consists of both antagonists (e.g., BCL-2) and agonists (e.g., BAX) that regulate apoptosis and compete through dimerization. The BH1 and BH2 domains of BCL-2 are required to heterodimerize with BAX and to repress cell death; conversely, the BH3 domain of BAX is required to heterodimerize with BCL-2 and to promote cell death. To extend this pathway, we used interactive cloning to identify Bid, which encodes a novel death agonist that heterodimerizes with either agonists (BAX) or antagonists (BCL-2). BID possesses only the BH3 domain, lacks a carboxy-terminal signal-anchor segment, and is found in both cytosolic and membrane locations. BID counters the protective effect of BCL-2. Moreover, expression of BID, without another death stimulus, induces ICE-like proteases and apoptosis. Mutagenesis revealed that an intact BH3 domain of BID was required to bind the BH1 domain of either BCL-2 or BAX. A BH3 mutant of BID that still heterodimerized with BCL-2 failed to promote apoptosis, dissociating these activities. In contrast, the only BID BH3 mutant that retained death promoting activity interacted with BAX, but not BCL-2. This BH3-only molecule supports BH3 as a death domain and favors a model in which BID represents a death ligand for the membrane-bound receptor BAX. 相似文献
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根据我国专利法的原则,在对我国催化重整和芳烃生产专利检索过程和结果进行分析的基础上,阐述了对目前我国催化重整工艺专利市场的几点看法并提出对策。 相似文献
89.
90.
Chao C.-J. Wong S.-C. Chen M.-J. Liew B.-K. 《Semiconductor Manufacturing, IEEE Transactions on》1998,11(4):615-623
Interconnect parasitic parameters in integrated circuits have significant impact on circuit speed. An accurate monitoring of these parameters can help to improve interconnect performance during process development, provide information for circuit design, or give useful reference for circuit failure analysis. Existing extraction methods either are destructive (such as SEM measurement) or can determine only partial parasitic parameters (such as large capacitor measurement). In this paper, we present a new method for extracting interconnect parasitic parameters, which can simultaneously determine the interlayer and intralayer capacitances, line resistance, and effective line width. The method is based on two test patterns of the same structure with different dimensions. The structure consumes less wafer area than existing methods. The method shows good agreement with SEM measurement of dielectric thickness in both nonglobal planarized and chemical-mechanical polished processes, and gives accurate prediction of the process spread of a ring oscillator speed over a wafer 相似文献