新型光缓存器和2×622Mb／s ATM光交换系统

本文给出一种新型的光缓存器的结构，以解决在ＡＴＭ光交换中的信元碰撞问题。这种缓存器由光纤延迟线、光波导开关阵及非线性半导体光放大器构成。文中还报告了一种用于交换各用户不同速率的信元（可达６２２Ｍｂ／ｓ）的ＡＴＭ光交换实验系统，系统的总容量为１．２Ｇｂ／ｓ。     

富士通

<正> 以低损耗石英光纤的开发为背景,这二十年间,在通信和信息处理系统中,“光”的利用有了急速的进展,现在光系统已广泛地实用化了。在这些系统中,半导体激光器和光电二极管等光半导体器件作为关键器件而被采用,并正进一步向着系统的高速化、大容量化、多信道化和包括信号处理复杂化在内的多功能化,进行着积极的开发。对这些光半导体器件的要求,大多都能用光半导体器件和电子电路的集成化(OEIC)来满足。本来半导体器件就是借助于电子电路进行工作的,但是在过去的系统中,存在技术方面的限制,就是由于在两者接口     

平面型GaAs集成电路的LSI工艺技术

本文研究了一种能满足 LSL 复杂性要求的平面型 GaAs 集成电路的制造技术。选取的电路和制造方法满足 LSI 对高成品率、高密度和低功率的要求。此技术采用把高速开关二极管和 1μm GaAs MESFET 两者结合起来的肖特基二极管 FET 逻辑(SDFL)。电路是采用多重选择注入方法直接制造在半绝缘 GaAs 上的。此技术研究的迅速进展使高速(τ_d～100ps)低功耗(约500μW/门)GaAsMIS(约60～100门)电路获得成功。目前的 MSI 技术向 LSI/LSI 领域的扩展将主要地决定于成品率,后者是受 GaAs 材料的性质和所用的制造方法支配的。本文的目的是叙述一种GaAs IC 工艺技术,它把先进的平面器件和多重互连结构与若干 LSI 相容的工艺(包括多重选择离子注入、缩小光刻、等离子腐蚀、反应离子腐蚀和离子铣)结合了起来。     

超低噪声GaAsFET

<正> 据报导,日本NEC公司开始出售两种高性能的超低噪声GaAsFET,型号为2SK406、407,作为大量生产的GaAsFET来说,其截止频率是世界上最高的,为60GHz。采用0.3μm的栅长,实现了低噪声化,在12GHz下,标准噪声为1.4dB,超过了现在的世界最高水平(1.7～1.8dB)。在1dB压缩时的输出功率为25mW。工艺上采用了“三层连续外延层形成技术”,形成高浓度低阻的GaAs漏源区,实现了器件的高性能化、性能均匀化和廉价化。此外,在     

有效的SOA分段模型及其在光信号处理中的应用

阐述了半导体光放大器(SOA)的分段模型理论;列举了三种SOA分段模型,并分别用这几种模型对基于交叉增益调制效应的光波长转换进行了仿真计算.通过比较和分析不同模型的仿真结果与实验现象的差异,说明在基于SOA的全光信号处理过程中,有源区内的放大自发辐射(ASE)对光信号的增益压缩与光脉冲的形态具有不可忽视的作用.     

高压GaAs微型太阳电池阵列的制备

为了提高GaAs微型太阳电池的输出性能,对微型太阳电池阵列的主要工艺进行了研究和改进。通过对帽层、背电极层和台面的选择性/非选择性湿法腐蚀工艺的探索,实现了对最佳腐蚀液的配比、腐蚀时间和温度的控制。采用侧壁钝化工艺和聚酰亚氨(PI)/SiO2/TiAu/SiO2新型互连结构,不仅确保了电池单元之间有效的隔离和互连,而且极大地降低了侧壁载流子复合电流,同时这种新型互连结构可有效防止由于衬底光敏现象引起的漏电流。经过上述器件工艺改进,获得了高集成度GaAs微型太阳电池阵列。电流-电压(JSC-VOC)测试结果显示,器件的开路电压达到84.2V,填充因子为57%。     

高温气冷堆全耦合系统直接联立求解的方法研究和程序开发

反应堆耦合计算是对现有反应堆各领域数值技术的融合、集成和提升,完整的反应堆核电站系统同时具有多种耦合机制,是一个超大规模非线性强耦合系统,以JFNK/NK为代表的直接联立方法是极具潜力的发展方向。本文在综述国内外反应堆耦合计算研究的基础上,介绍了清华大学核能与新能源技术研究院在高温气冷堆核电站全耦合直接联立求解方法及程序开发方面的研究工作。针对高温气冷堆多物理、多尺度、多部件、多回路、多模块的耦合特点,首次提出了非线性消去直接联立方法等关键技术,研发可以描述多层级耦合结构的统一耦合平台框架,已形成多个中间版本的程序。     

全光网节点规模的分析

导出了光信噪比与光节点数量 ,掺铒光纤放大器 (EDFA)噪声系数 ,增益的关系公式 ,并分析了光节点数目与EDFA特性参数的关系。分析表明 ,当光节点中EDFAs设置成输入EDFA补偿节点损耗 ,输出EDFA补偿光纤损耗的工作方式时 ,要保持光信号的信噪比不低于 2 0dB ,则光节点数目最多为 19左右 ,改善EDFA的噪声系数对提高光节点数目的作用不大 ;如降低光节点内部损耗 ,优化两个EDFA的增益 ,可以最大程度地提高网络节点规模 ,网络节点数最大可达 5 6。     

微波光子学发展动态

重点从微波光子学的RoF系统和光控相控阵这两个重要应用领域的现状来探讨微波光子学研究意义和前景。并对其他应用领域的发展动态进行简单介绍。