全文获取类型
收费全文 | 81篇 |
免费 | 6篇 |
专业分类
电工技术 | 53篇 |
综合类 | 12篇 |
化学工业 | 1篇 |
金属工艺 | 3篇 |
机械仪表 | 1篇 |
能源动力 | 2篇 |
石油天然气 | 6篇 |
无线电 | 7篇 |
冶金工业 | 1篇 |
自动化技术 | 1篇 |
出版年
2023年 | 1篇 |
2021年 | 1篇 |
2018年 | 5篇 |
2017年 | 1篇 |
2016年 | 1篇 |
2015年 | 6篇 |
2014年 | 2篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 5篇 |
2011年 | 5篇 |
2010年 | 6篇 |
2009年 | 6篇 |
2008年 | 4篇 |
2007年 | 6篇 |
2006年 | 5篇 |
2005年 | 6篇 |
2004年 | 5篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 4篇 |
1997年 | 3篇 |
1996年 | 4篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 1篇 |
1993年 | 1篇 |
1990年 | 1篇 |
排序方式: 共有87条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
32.
目前,感应加热电源技术主要朝着大功率、高频率和智能化控制技术的方向发展。然而,随着逆变开关频率的提高,功率器件的开关损耗随之增加。具有高临界雪崩击穿电场强度、高热导率、小介电常数等突出优点的宽禁带半导体材料SiC MOSFET的应用为这一问题的解决提供了理想的方案。本文详细研究了感应加热电源逆变器的设计、SiC MOSFET器件的驱动电路以及电源的功率扩展等问题;开发出了频率超过800 kHz,单逆变桥功率超过50k W的新型感应加热电源;通过并桥处理,电源单机容量可达200 kW,在一定程度上填补了将新型SiC MOSFET器件应用于感应加热领域的空白。 相似文献
33.
34.
35.
36.
37.
38.
39.
40.
通过对半桥谐振逆变器主电路结构的分析,确定了其工作状态.为了保证其能稳定可靠地工作在小感应状态下,文章采用了定角控制方法,并在原有的控制理论的基础之上对其进行了优化和改进,进而实现频率的快速和有效跟踪.通过仿真试验验证了该控制方法的可行性. 相似文献