日本钢包精炼炉滑动水口装置的研仿

本文着重介绍了对日本滑动水口装置的研仿与国产化。     

切削工艺参数优化的计算机处理

机械加工追求的生产目标是:在保证给定的加工质量条件下,使加工有最高的生产率,最低的成本或获得最大的利润率,即实现给定条件下的最优。一、优化目标 1.生产率准则生产率q=(1/t_w),加工中的工序工时 t_w~=t_m~+t_c·(t_m)/T+t。=(λ_o)/(f_υ)+(t_oλ_o)/(C_o)a_p~x_pf~yυ~z+t。 (1)式中,a_p为切削深度(mm);f为进给量(mm/r);υ为切削速度(m/min);t_m为机动时间(min);T为刀具耐用度(min)t_o为其他辅勘时间(min);C_o为常数,C_o=60Cυy_m、kυy_m、Cυ、kυ、m查表得到。     

汽轮机叶片的损伤

叶片损伤是迫使汽轮机从系统解列的最常见的原因之一,此外,叶片损伤将使机组长时间停运,由此明显降低机组的备用率。在多数情况下,叶片的折断,特别是后几级将造成大事故。将付出巨大的代价才能修复。所有这一切,迫使我们以极大的注意力去研究叶片装置损伤的原因,拟订防止折损的措施。     

关于Ⅱ型硅酸盐水泥混合材种类及掺量的反思

从紧密堆积原理出发，讨论了Ⅱ型硅酸盐水泥中混合材粒径与熟料粒径之间的关系，就Ⅱ型硅酸盐水泥中的混合材使用问题提出增加混合材种类和放宽活性要求的建议。     

S30MnH活塞杆化学成分对力学性能的影响分析

活塞杆一直存在两端强度差异大、强度超标等问题,为此随机抽取近年来试样进行化学分析,分析C含量、C偏差、C当量对强度的影响。通过分析可知,强度随C含量的变化而变化,但是在C含量、C当量相同的情况下,强度差异仍然较大,因此C含量不是影响强度的唯一因素。     

磷酸浓缩石墨换热器冷凝水的综合利用

针对磷酸浓缩石墨换热器冷凝水因温度高难以利用、外排造成水与热能浪费等问题,进行了浓缩系统冷凝水的综合利用技术改造,通过将浓缩系统冷凝水送入磷铵装置的液氨蒸发器蒸发液氨,再经降温后用于生产系统,不但回收利用了全部冷凝水(节约一次水达15 t/h),而且节约了大量蒸汽(仅氨蒸发节约蒸汽达3 t/h),同时公司实现了废水零排放。     

Reflex ACT岩心定向设备及其工程应用

岩心定向技术是一种可直接准确获得岩矿层原始产状的工程技术。本文介绍了澳大利亚Reflex公司生产的Reflex ACT系列岩心定向设备的结构组成、技术参数、工作原理以及该设备岩心定向工艺的操作过程。Reflex ACT系列岩心定向设备在青海滩涧山金矿的应用取得了很好的效果,达到了矿区的要求。结合该矿区90个钻孔的应用数据,分析了影响定向效果的因素,总结了使用该设备的经验和体会。     

数字中频正交采样及其FPGA实现

高性能信号处理技术通常可能需要直接对中频信号进行采样来得到正交两路信号。文中采用Bessel插值法将一路中频数字信号分解成两路正交数字信号,从而实现了数字正交相干检波处理,同时重点给出了选用FPGA实现这一过程的详细解决方案。     

低应力PECVD SiC晶圆级薄膜封装新技术

为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可使MEMS器件悬浮时封装部位不变形。与GaAs,Si半导体材料相比,SiC具有较佳的物理稳定性,较高的杨氏模量等性能优势。将PECVD薄膜封装技术用于表面微结构和绝缘膜上Si(SOI)微结构部件(如射频开关、微加速度计等)封装中,不仅减小了封装尺寸,降低了芯片厚度,简化了封装工艺,而且封装芯片还与CMOS工艺兼容。较之晶圆键合封装方式,此晶圆级薄膜封装成本可降低5%左右。     

1.9～5.7 GHz宽带低噪声BiCMOS LC VCO

设计了一种宽带、低相位噪声差分LC压控振荡器(VCO)。所设计的电路采用开关电容阵列和开关电感,实现了多波段振荡输出。对负阻环节跨导进行了优化设计,将热噪声控制在最小范围内,同时采用高品质因数片上螺旋电感,以减小电路的噪声干扰。采用台积电(TSMC)0.35μmSiGe BiCMOS工艺制作了流片,并进行了仿真和硬件电路实验。实测结果表明,当调谐电压为0～3.3 V时,可设定VCO工作在6个波段(1.9～2.1 GHz,2.1～2.4 GHz,2.4～3.0 GHz,3.0～3.4 GHz,3.4～4.2 GHz,4.2～5.7 GHz),此6波段连续可调,构成了1.9～5.7 GHz宽带VCO;VCO的中心频率为2.4 GHz、偏离中心频率为1 MHz时实测相位噪声为-111.64 dBc/Hz;在3.3 V电源电压下实测核静态电流约为1.8 mA,从而验证了宽带、低噪声BiCMOS LC VCO设计方案之正确性。