环烷酸萃取稀土新工艺──一步法分离制备纯钇、粗铒和重稀土工业试验研究

文中较详细地阐述了环烷酸萃取体系分离制各纯钇、粗铒和重稀土的“三出口”新工艺的工业试验结果，一步法可同时得到４Ｎ的氧化氰、６０％的粗铒和Ｙ：Ｏ＿２Ｏ＿３＜０．３％的重稀土富集物。使环烷酸萃取体系发挥更大的作用。     

风机与飞机

乍看题目令人不解:地面上迎风飞转的风机和天空中穿云破雾的飞机有什么关系?但是,你也许想过:是什么力量把几十吨重的银燕托在空中?迎面吹来的风又怎么会使风机桨叶垂直于风向飞转?它们的答案是相同的:     

红外发射率调制技术研究

物体红外发射率的调制具有广泛的应用前景.从理论上研究了红外发射率的调制机理,给出了三种调制发射率的技术途径:机械式、半导体载流子调制和电化学式.机械式发射率调制技术是利用不同发射率的材料组合来进行调制,通过调整不同材料在表面所占比例来调整发射率.半导体材料可通过调制PN结中的自由电子浓度实现红外发射率的调节.电化学式调制可通过多层薄膜实现.通过电场控制器件中变发射率薄膜层的离子和电子浓度,实现器件红外发射率的调制.     

混凝沉淀及高级氧化工艺处理嘧啶废水的研究

采用混凝沉淀及高级氧化两步工艺对嘧啶废水进行了处理研究.结果表明,在反应温度20℃,pH为3.5,Fe2+的投加量为64 mmol·L-1,Fenton试剂对的嘧啶转化率达74.89%,COD去除率达42.16%;而混凝工艺及H2O2氧化工艺的最高嘧啶去除率分别仅为21.59%和20.20%.通过处理前后的UV/Vis吸收光谱图比较,进一步表明Fenton试剂对嘧啶废水有理想的处理效果.     

红外发射率控制方法及机理研究

红外发射率的控制具有广泛的用途,根据电磁波理论,讨论了物体表面的发射率与折射率的关系,折射率大的物体发射率低.电致变色材料是一种可控制其表面折射率和发射率的材料.以氧化钨为例探讨了发射率的控制方法.利用电场对三氧化钨薄膜进行离子和电子的共注入和共抽取,三氧化钨中的载流子浓度发生了变化,折射率和红外发射率也发生了变化.     

基于实测大气参数的水蒸气吸收衰减的仿真计算

针对红外辐射在大气传输过程中,水蒸气的吸收衰减,只利用经验公式计算,存在较大的误差;利用MODTRAN等专业软件,使用过程复杂且移植和兼容较困难。因此,文中基于实测的大气参数,利用分子单线吸收法计算得到不同温度下的水蒸气吸收系数,拟合各月温度的高度分布解析式;仿真计算了水蒸气的光谱透过率和平均透过率,仿真结果表明,海拔高度、天顶角和传输距离等对水蒸气透过率具有较大影响,本方法计算的水蒸气透过率具有很高的准确度,在工程应用上具有一定的参考价值。     

矩形喷管外尾焰红外辐射特性的数值计算

为了掌握矩形喷管外尾焰的红外辐射光谱特性和强度分布,建立了矩形喷管的几何模型,采用Fluent6. 3 软件对矩形喷管外三维流场进行数值模拟,得到尾焰流场的温度、压强和密度等数据,并根据尾焰的特点确立红外辐射核心计算区域。采用洛伦兹线型的统计窄带模型,求出尾焰在某一窄带的平均吸收系数;采用有限体积法求解了气体介质中辐射传输方程;计算得到了矩形喷管外尾焰的红外辐射光谱特性与在3 ~5 滋m 波段的总强度分布。结果表明:矩形喷管外尾焰为扁平状,其宽边对称面内的红外辐射强度大于窄边对称面内的红外辐射强度,并且尾焰辐射在2. 7 滋m 和4. 3 滋m 处出现了2 个辐射峰。     

米桑FQ油田Asmari层B油组薄储层预测

本文以米桑油田Asmari层B油组潮坪相沉积为研究的目的层段,具体分析了地质统计学应用过程中的几个关键技术。对比两种反演结果的精度,最终优选出地质统计学反演的结果进行砂体预测。地质统计学反演结合测井信息垂向分辨率与地震数据的横向分辨率,能够较准确预测5 m左右薄层砂体展布规律,更好的服务于油田开发时的储量计算,也为日后的开发方案调整等相关工作奠定基础。     

LPG市场何去何从?

变化情况 消费量首现负增长,供需形势发生变化 2008年我国LPG消费量首次出现负增长,从2007年的2327．9万吨降至2008年的2150．0万吨。尽管这与我国受2008年爆发的全球金融危机影响,经济增长速度放缓,LPG需求下降密不可分,但除此之外,这也是近些年来LPG消费量增速波动下滑趋势的延续。1999年之前,我国LPG消费处于快速增长时期,之后消费量增速出现下滑。     

热处理时间对氧化钒薄膜相变性能的影响

采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃上制备了低价的氧化钒薄膜,在氧气和氩气混合气氛中,对所制备的薄膜进行不同时间的热处理,得到具有相变特性的VO2薄膜。分别利用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)分析了薄膜的组分、结晶结构和表面形貌,利用四探针法测试了薄膜的电阻。结果表明:热处理前的氧化钒薄膜主要成分为V2O3,经过热氧化处理后,低价的氧化钒被氧化,薄膜中VO2含量增加,薄膜发生金属-半导体相变,其中450℃、2h为最佳处理参数,其电阻相变幅度超过2个数量级,薄膜的相变温度仅为30℃。