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得益于铁电材料的非易失性和快速擦写,铁电突触晶体管(FST)在神经形态计算应用中很有前景.然而,在低能耗下同时实现大电导动态范围(Gmax/Gmin)和多级有效电导态仍是一个挑战.在此,本文首次提出了由铁电Hf0.5Zr0.5O2(HZO)栅介质结合溶液处理的氧化铟(In2O3)突触晶体管以解决上述问题.通过精细调控的铁电相以及对铁电体和铁电/半导体界面的电荷注入良好抑制,实现了优异的突触特性.在每个尖峰事件490 fJ的低能耗下,该FST成功模拟了高达101个有效电导状态的长时程增强/抑制(LTP/D),且具有大电导动态范围(Gmax/Gmin=32.2)和优异耐久性(>1000个循环).此外,模拟实现了96.5%的手写数字识别准确率,这是现有报道的FST的最高记录.这项工作为开发低成本、高性能和节能的铁电突触晶体管提供了一条新途径. 相似文献
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对气化炉夹套平齐接管处的温差应力进行了有限元分析计算,并对内筒温度的变化引起的疲劳问题进行了分析研究,按照分析设计标准JB4732-95进行了疲劳强度评定,得出的结论对类似设备的设计有参考价值。 相似文献