川中古隆起北斜坡震旦系灯影组二段油气成藏特征

通过岩心精细描述、薄片鉴定、烃源对比、地震相刻画等技术,对川中古隆起北斜坡震旦系灯影组二段油气成藏特征进行了综合研究。研究结果表明：①川中古隆起北斜坡灯二段沉积期主要发育局限台地相和台地边缘相,台缘藻丘相和颗粒滩相均较发育,灯二段储层厚度平均为176.6 m,储地比平均为34.6%,孔隙度平均为4.4%,渗透率平均为3.6 mD,为低孔低渗储层,储层质量整体上优于高磨地区。②研究区震旦系—寒武系成藏条件较好,发育多套烃源岩,具备“上生下储”和“旁生侧储”2种源储配置关系,灯二段天然气主要来源于筇竹寺组烃源岩和深部震旦系烃源岩;③研究区灯二段具备形成构造-岩性气藏和岩性气藏的条件,上倾方向的大型断裂以及岩性致密带的有效封堵是油气成藏及形成不同气水系统的关键;④研究区灯二段储集条件、烃源岩及源储配置关系等成藏条件较高磨地区更加优良,具备形成大气田的地质基础,圈闭资源量已达1.05×10¹² m³,具有巨大的勘探潜力,是未来川中古隆起区大气田勘探的重要接替     

区域污染负荷特征与控制分析：以宁夏沿黄经济带为例

2017年以来宁夏13条主要入黄排水沟水质基本为劣Ⅴ类,迫切需要推进宁夏沿黄经济带污染防控,保障沿黄城市群高质量绿色发展乃至黄河流域生态安全。针对宁夏沿黄经济带现状污染分析中未考虑污染物入河过程中的减少和点面源污染总体分析不足的问题,以TN、TP、COD、氨氮为污染负荷指标,采用统计数据和考虑入河系数的输出系数法,分析区域污染负荷特征,诊断主要污染源,计算分析点面源污染物排放量和入河量,进行污染物入河量控制分析,提出污染防控的重点和策略。研究表明:2017年研究区TN、TP、COD、氨氮排放量分别为2.23万t、0.15万t、6.16万t、1.00万t,入河量分别为1.03万t、0.03万t、3.31万t、0.44万t,城镇生活污水、农田化肥污染、工业污染物入河量分别占入河总量的55.9%、26.6%和14.7%。污染防控主要策略是城镇污水处理厂出水水质提标至准Ⅳ类,可削减污染物至现状的60.8%;农田亩均化肥折纯量控制在15kg以下,可削减污染物入河量至现状的32%;宁东能源化工基地和工业园区实行近零排放。研究结果为宁夏沿黄经济带生态保护和污染防控治理提供技术支持。     

传统建构的公建表达探索

本文采用形态学的研究方法,通过对基于传统风格诉求的研究型办公建筑的功能和造型的分析,并以云南丽江玉龙雪山冰川与环境观测研究站的方案设计实践为例,从平面布局、材料运用、空间及造型设计等方面,探索传统建筑地域性的现代设计表达方式.     

建筑的普遍性表达与特殊性表现

本文通过对当代建筑创作的表象从设计策略角度加以阐述,就建筑的普遍性表达与特殊性表现进行解构分析,剖析建筑审美的表现论与本体论的理念,试图寻求建筑功能的目的性及建筑审美的无目的的合目的性,揭示建筑设计发展过程中促进与阻碍建筑设计发展方向的外因,以及相关影响因素与建筑设计方法之间的关系及关系程度的变化。     

利用HSMM软件预报钒微合金钢的组织性能

为验证带钢热轧分析软件HSMM的可靠性和适应性，在实际生产中对P510钢的热轧过程和成品组织性能进行了计算预测，结果与实测值基本吻合。     

单相准Z源逆变器二倍频纹波的抑制及应力分析

单相准Z源逆变器(Quasi-Z-Source Inverter,QZSI)可在单级系统中实现DC-DC与DC-AC变换,但其直流侧含有二倍频纹波,在应用中受到限制。讨论基于有源功率解耦的单相QZSI二倍频纹波抑制方法,针对逆变器有输出无功的情况,提出逆变器功率因数角在[-π/2,π/2]内变化时桥臂的电压、电流应力分析和推导方法。基于电压应力最小原则,给出新增回路交流解耦电容取值及其电压参考值的整定方法,并设计闭环控制策略。最后,通过仿真及实验结果验证相关理论的正确性和有效性。     

一种电动汽车换电站的布局定容方法

目前,全球迎来了电动汽车的发展热潮,但是,电动汽车配套基础设施布局尚缺乏相应的理论指导。考虑电动汽车的需求分布特性、换电站服务能力和服务范围、配电网约束和交通密度等影响因素,定义了服务覆盖率、服务匹配度和布局成本三个换电站服务规划评价指标,建立电动汽车换电站的多目标规划模型,提出了免疫遗传算法求解数学模型,并通过对换电站选址定容算例的分析,验证了算法的可行性和有效性,为换电站选址定容提供了理论指导。     

笔记本内存购买经验谈

通常情况下，大部分笔记本电脑都预留了两个144pin的DIMM插槽．以供用户升级需要。鉴于笔记本电脑超轻薄机身的发展趋势．内存插槽的空间将会锐减．所以大家在选购时应倾向于同等容量下体积相对偏小的内存条．这样一方面能保证在插入内存条时避免与其他部件碰撞．另一方面较小的内存条可以很好地避免部件之间的电磁干扰，从而让笔记本更稳定地运行。     

Ti O2纳米管阵列基底退火温度对CdSe/Ti O2异质结薄膜光电化学性能的影响

通过电化学沉积法以TiO2纳米管阵列(TNTs)为基底制备CdSe/TiO2异质结薄膜。研究TiO2纳米管阵列基底不同退火温度(200,350,450,600℃)对CdSe/TiO2异质结薄膜光电化学性能的影响。采用SEM,XRD,UV-Vis,电化学测试等方法对样品的微观形貌、晶体结构、光电化学性能等进行表征。结果表明:立方晶型的CdSe纳米颗粒均匀沉积在TiO2纳米管阵列管口及管壁上。TiO2纳米管阵列未经退火及退火温度为200℃时,为无定型态,在TiO2纳米管阵列上沉积的CdSe纳米颗粒数量少,尺寸小,异质结薄膜光电性能较差,光电流几乎为零。随着退火温度升高到350℃,TiO2纳米管阵列基底开始向锐钛矿转变;且沉积在TiO2纳米管上的CdSe颗粒增多,尺寸增大,光电化学性能提高。退火温度为450℃时光电流值达到最大,为4.05mA/cm^2。当退火温度达到600℃时,TiO2纳米管有金红石相出现,CdSe颗粒变小,数量减少,光电化学性能下降。