用Delphi开发图文管理系统

目前推出的各种MIS软件大部分都具有图文管理功能,比如人事管理系统中,可同屏显示人员的文字信息和照片。Delphi是Borland公司推出的功能强大的可视化软件开发工具,具有很强的数据库和图形操作功能,利用它可以很容易地设计出具有专业水平的图文管理系统。下面举例说明其设计方法。 本文设计环境为Delphi 1.0,中文Windows或西文Windows外挂中文平台。     

用VB进行多媒体程序设计初步

VB(Visual Basic)具有很强的多媒体处理控制功能,VB的多媒体控制MCI(Media control interface)包括一套控制音频和视频设备但具有与设备无关的命令,用它来进行多媒体设计是很方便的。比如:你也许想拥有一个自己编写的CD播放器,那么利用VB的MCI只需写几行代码就可生成一个功能比较齐全的CD播放器。下面简单谈谈用VB的MCI进行多媒体设计的初步知识并给出一个非常简单的CD播放器的例子。     

一种新的AOV网络拓扑排序算法

通过表达每个顶点在图中相对其他顶点的位置，提出的后序集的概念。基于此将图用二维数组存储，构造出一种新的基于后序集的AOV网拓扑排序算法，给出了算法的思路和实现步骤，采用一个装配生产线作业顺序规划问题为实例，验证了算法的正确性和可行性。     

残矿回采顺序优化与复杂采空区稳定性的有限元模拟研究

结合江西省香炉山钨矿残矿回收工程实践,利用三维有限元数值分析方法,对初步确定的残矿回采顺序与复杂采空区稳定性进行了分析研究,揭示了不同回采顺序下矿柱及采空区的应力分布规律和位移变形趋势, 并确定了最优的残矿回采顺序.     

电厂循环水排污水回用混凝处理实验研究

根据电厂循环水排污水低碱度高硬度的水质特点,采用聚合硫酸铁作为混凝剂,聚丙烯酰胺作为助凝剂,CaO、Na2CO3、NaOH分别作为软化剂,对电厂循环水进行混凝实验,结果表明,NaOH处理比CaO处理、Na2CO3处理、CaO+Na2CO3处理具有明显的优势。     

不同温度下沉积TiN/TiCN/Al_2O_3/TiN复合涂层的物相结构和性能

采用高温化学气相沉积技术,于1 000～1 100℃在WC-6%Co硬质合金基体表面制备了TiN/TiCN/Al2O3/TiN复合陶瓷涂层,研究了复合涂层的物相、表面和横截面形貌、显微硬度、界面结合强度和耐磨损性能。结果表明:沉积温度为1 000℃时,复合涂层中Al2O3层为κ相和α相共存;当沉积温度升至1 050℃和1 100℃时,Al2O3层为单一的α相;1 050℃下沉积复合涂层的表面平整、结构致密,1 000℃沉积复合涂层中的TiCN层存在少量孔洞,1 100℃下沉积复合涂层中TiCN层的柱状晶沿某一方向生长比较明显,较高的沉积温度加速了钛元素向Al2O3层的外扩散;1 050℃下沉积复合涂层的显微硬度最大,为1 828HV,该涂层的耐磨损性能最佳,其与基体间的结合强度最高,临界载荷为135.2N。     

热处理温度对BN界面涂层微观结构和相稳定性的影响

采用化学气相渗透工艺在SiC纤维表面制备BN界面涂层,在比沉积温度更高的温度下分别对涂层进行热处理.采用扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱等技术,对BN界面涂层的微观结构和化学成分进行分析,并对涂层进行相稳定性能研究.结果表明:在850℃沉积的BN界面涂层分别在1050、1150、1250℃下进行热处理,B...     

触变型堵剂GX—I封堵大孔道技术的研究及应用

用一种工业无机胶结材料、固化剂（混合无机盐溶液）及触变性调节剂（复合无机物）配制成了具有明显触变性的堵剂浆液GX－I。详细考察了各个组份的用量对浆液初凝时间、触变性（以浆液静切力G10s和G10min表示）、流变性及固结体抗压强度的影响。得到了分别适用于封堵低温井大孔道、裂缝及封堵水泥环以上套漏（无机材料用量以水灰比表示W／C＝0.44-0.5)，封堵较高井温油井出水层（W／C＝0．67－1．0），水井调剖（W／C＝1．2－1．4）的GX－I堵剂。给出了可用于60－90℃、初凝时间为6－10小时的3个基本配方。用这3个配方堵剂浆液堵岩心，堵塞率＞97％。简要介绍了中原油田11口井使用GX－I堵剂的良好效果，包括层间封窜2口，堵套漏1口，油井堵水3口，注水井分层调剖5口，详细分析了封堵1口注水井管外窜槽情况。     

铜基底上大尺寸石墨烯单晶的化学气相沉积法制备研究进展EI北大核心

石墨烯的优异性能使其有望应用于未来的电子和光电器件中,采用化学气相沉积法进行石墨烯薄膜的可控制备有助于其在高性能器件中的大规模应用。然而多晶结构石墨烯薄膜中的大量晶界阻碍了载流子的快速传输,损害了材料的电学性能。大尺寸石墨烯单晶的获得能够减少薄膜中的晶界缺陷、极大提升石墨烯薄膜的质量。本文综述了大尺寸石墨烯单晶在铜基底上的化学气相沉积法制备研究,主要包括石墨烯晶片形核密度控制及取向一致石墨烯晶片的无缝拼接两种方法。重点从基底处理、反应区碳源分压控制、氧辅助生长等方面阐述了石墨烯单晶生长的不同实现途径、原理和特点。最后,分析目前制备方法中存在的挑战,并展望大尺寸石墨烯单晶的未来发展方向。探究石墨烯单晶的生长机制及动力学有助于实现在不同环境生长的精确控制,批量化低成本工艺开发和在多元化目标基底上的原位制备是实现石墨烯单晶大范围应用的关键。