嵌入式Linux环境下的串口通信研究

介绍了在Linux操作系统下串口通信的程序设计技术。详细阐述了一种基于S3C2410微处理器的嵌入式ARM9与Linux操作系统之间的串口通信设计方法,发现并解决了嵌入式Linux环境下串口通信中遇到的几个问题。对嵌入式串口通信编程具有一定的借鉴作用。     

基于TRMM和FY-2C的长江流域月降水量的网格化估算研究

基于TRMM和FY-2C降水产品,结合气象站观测资料和DEM数据,采用基于区域分月的逐步回归算法,建立降水估算模型。通过模型估算得到长江流域2007年1月、4月、7月、10月降水量的空间分布图,并对得到的结果进行检验和分析。结果表明:模型对2种降水产品能进行有效的订正;模型估算的TRMM降水产品1月、4月、7月、10月的平均相对误差分别是37.7%,47.3%,44.2%,41.9%,FY-2C降水产品1月、4月、7月、10月的平均相对误差是46.3%,50.9%,39.8%,48.8%;模型模拟的TRMM降水的全年相关系数是0.838, FY-2C降水的全年相关系数是0.811,通过两者对比发现,TRMM降水产品作为趋势项的精度较高。模型估算得到的降水分布趋势和原始降水产品分布趋势基本一致,并且能体现出降水的分布规律。     

水平管内气液两相流界面湍流各向异性分析

为探讨水平管内气液两相流湍流模型如何选择,提出水平管内气液两相流界面湍流为各向异性的猜想,分析了该界面湍流各向异性产生和发展的机理,指出界面湍流各向异性产生的湍流惯性力是水平管环状流形成的重要原因.通过比较二方程模型和雷诺应力模型(RSM)模拟同一个水平管环状流工况的结果来验证分析的正确性,在此基础上探讨了气液两相流湍流模型的选择依据.结果表明当水平管内气液剪切力较大时适合选用RSM模型,其他情况二方程模型和RSM模型均适用.     

三层软磁镍超晶格薄膜的共振频率

为了提高磁性薄膜的共振频率,采用量子格林函数方法研究了具有反铁磁性和铁磁性层间交换耦合的三层软磁镍超晶格薄膜的共振频率,并分析了各向异性、层间交换耦合、外磁场和温度对三层软磁镍超晶格薄膜共振频率的影响.结果表明,共振频率随约化温度的升高而减小;各向异性只能影响对应子层的共振频率,且各向异性越大,共振频率越高;层间交换耦合只能影响与其连接的子层的共振频率,且层间交换耦合越大,共振频率越高;当约化温度升高时,各向异性和层间交换耦合对共振频率的影响程度减小.     

煤矿综合机械化的采煤工艺研究探讨

随着社会经济的发展,增加了能源需求量.煤矿是我国能源供给中最重要的组成部分,在我国经济发展中占重要地位.但是从煤矿企业当前的生产情况来看,很多企业依然利用传统工艺和施工方法操作,工作效率较低下,产生很多资源浪费问题.本文主要对煤矿综合机械化的采煤工艺进行研究,并结合煤矿企业实际情况,提出了一些措施,希望可以促进煤矿企业的持续发展.     

云计算在建立工程造价信息数据库中的应用

近年来,云计算作为一种高新技术已得到了快速发展,其庞大的存储空间、高效的数据处理分析能力引起各个领域的广泛关注.本文通过讨论国外,尤其是美国、英国先进的信息管理模式,分析造价信息数据的内容、特点,设计出建筑工程造价信息数据库功能模块,最终结合云计算的特点和优势,提出云计算在造价信息数据库中的应用模式.将云计算引入工程造价信息数据库的建立中,借助其先进的技术来提高工程造价信息管理水平.     

四川人力资本与经济增长的实证研究

从人力资本外部性作用的角度来阐明人力资本水平对经济增长的重要作用.选取卢卡斯的人力资本溢出模型,通过采集和计算四川省1978—2010年GDP、固定资产投资、人力资本存量和平均受教育年限的数据,运用ADF单位根检验、Granger因果检验、协整分析以及误差修正模型进行实证研究.结果表明：人力资本存量的增长速度虽然高于人力资本水平的增长速度,但是人力资本水平的贡献率却高于人力资本存量的贡献率,即劳动者质量增长所起的作用明显高于劳动者数量增长所起的作用.     

Cr对多弧离子镀TiN及其复合膜(Ti,Cr)N性能的影响

通过改变Cr靶电流强度,在国产AIP 01型多弧离子镀膜机上制备不同Cr含量的(Ti,Cr)N复合薄膜。研究Cr的添加对薄膜硬度、薄膜相结构及晶格常数等性能的影响,探讨薄膜的硬化机理。结果表明:Cr的加入可显著提高复合薄膜的硬度,显微硬度可高达HV2665;复合薄膜是以TiN为基的(Ti,Cr)N薄膜,薄膜中没有独立的CrN和Cr2N相,同时由于Cr的加入,薄膜的择优取向从(111)晶面逐渐过渡到(200)晶面,随Cr靶电流的增大,所得(Ti,Cr)N复合膜中出现单质Cr。     

离心铸造不锈钢空心管坯裂纹缺陷的探讨

介绍了离心铸造1Cr18Ni9Ti钢管坯产生的裂纹形态;从理论上探讨了裂纹产生机理并提出了预防和消除裂纹的措施及较佳的铸造工艺参数。     

Induced effects of Cu underlayer on（111） orientation of Fe50 Mn50 thin films

Effects of Cu underlayer on the structure of Fe50 Mn50 films were studied. Samples with a structure of Fe50 Mn50 (200 nm)/Cu(tcu) were prepared by rnagnetron sputtering on thermally oxidized silicon substrates at room temperature. The thickness of Cu underlayer varied from 0 to 60 nm in the intervals of 10 nm. High-vacuum annealing treatments, at different temperatures of 200, 300 and 400℃ for 1 h, respectively, on the Fe50Mn50 (200 nm)/Cu(20 nm) thin films were performed. The surface morphologies and textures of the samples were measured by field emission scan electronic microscope (FE-SEM) and X-ray diffraction(XRD). Energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) and Auger electron spectroscopy(AES) were used to analyze the compositional distribution. It is found that Cu underlayer has an obvious induce effect on (111) orientation of Fe50 Mn50 thin films. The induce effects of Cu on (111) orientation of Fe50 Mn50 changed with the increase of Cu layer thickness and the best effect was obtained at the Cu layer thickness of 20 nm. High-vacuum annealing treatments cause the migration of Mn atoms towards surface of the film and interface between Cu layer and substrate. With the increasing annealing temperature, migration of Mn atoms is more obvious, which leads to a Fe-riched Fe-Mn alloy film.