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由于器件的快速退化,101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制,发现在强电流注入的半导体激光器中,热退化具有重要影响。研究表明,用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金(如ZnMgSSe)只能对ZnSe中的电子有效地限制,无法对空穴很好地限制;而对BeTe,却只能对空穴进行有效的限制,无法对电子很好地限制。这导致ZnSe(或BeTe)活性层空穴(或电子)漏电发热,引起退化。本文提出以ZnSe/BeTe超晶格为蓝绿发光层,并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响,考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。 相似文献
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本文讨论由于数据传输带宽和速度的提高对服务器技术的挑战,介绍智能I/O(I2O)体系结构物功能,讨论了分割功能后的设备驱动程序、操作相关模块OSM、硬件设备模块、传递消息的合作方式、通信层和对等舆的作用等问题,引进若干典型的应用实例,并提出了I2O技术的设计方式。 相似文献
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由离子氮化与离子镀复合工艺在A_3钢基材上获得(N^++IP)-TiN复合涂层。其涂层与基格界面的显微硬度随着从涂层表面到基材距离的逐渐增加而缓慢降低。经X射线相分析及电子探针元素分析认为。主要是由于IP-TiN膜与基材之间存在着离子氮化层(εFe_3N-Fe_2N相和Fe_4N相)所致。 相似文献
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