GIS局部放电检测的技术发展和分析

GIS装用量近年增长迅速,局部放电检测技术有了长足的进步。介绍了GIS局部放电检测的技术现状,分析了现场实践的成功案例,并对该技术的新进展和现存问题进行了讨论。     

全寿命周期成本（LCC）方法在500kV地下变电站GIS采购中的应用

介绍上海市电力公司全寿命周期成本(LCC)管理的实践,将LCC管理方法应用于设备招标选型的决策和评估.以上海市中心城区新建500kV世博地下变电站气体绝缘开关装置(GIS)设备的招标工作为例,提出一套科学的LCC设备招标、评标和验证方法,并应用于世博变电站GIS设备的具体采购.该项目的完成为电力公司在设备管理方面开展LCC管理提供参照标准和经验.     

变电站数字化进程中的资产全寿命周期管理思考

在华东电网实施资产全寿命周期管理应用的框架下,阐述了数字化变电站的基本特征和发展现状,分析了变电站数字化进程中,实施资产全寿命周期管理在信息获取和状态评估等方面的有效需求,提出了统筹技术性、经济性、可靠性的目标体系,探讨了在全寿命管理中采取质量控制、全局决策、管理信息化、以状态检修推动成本管理的措施构想.     

新能源汽车驱动电机维护保养与故障维修

新能源汽车是这几年来慢慢发展起来的一种汽车类型。这种汽车具有环保、绿色、节能等优点。在国内具有很广泛的市场。由于雨后春笋一般的新能源汽车,新能源汽车维修技术是逐渐增加的需求,本文将基于新能源汽车的现状,根据新能源汽车发动机结构的特点,分析了新能源汽车发动机故障维修技术,创新的新能源汽车发动机维修技术,促进新能源汽车产业的发展。     

氮气流量对磁控溅射C掺杂TiO2薄膜光学性能的影响

采用磁控溅射法制备了C掺杂TiO₂薄膜,并研究了氮气引入溅射过程对薄膜光学性能的影响。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、X射线光电子能谱仪、分光光度计和原子力显微镜分析了不同氮气流量下薄膜的微结构、元素价态、透光性能和表面形貌。结果表明,沉积的薄膜主要是非晶结构,拉曼光谱中存在少量锐钛矿相,且随着氮气流量增大,锐钛矿特征峰强度减弱,意味着晶粒出现细化。当氮气流量增大为4cm³/min时,C掺杂TiO₂薄膜内氮元素含量为3.54%,其光学带隙从3.29eV变化至3.55eV,可见光区的光学透过率明显提高。可见改变氮气流量可实现对C掺杂TiO₂薄膜光学带隙和光吸收率的有效调控。     

聚乙烯醇-聚吡咯复合纳米纤维的制备及其导电性能

利用化学氧化法制备出导电聚吡咯（PPy）,与聚乙烯醇（PVA）共混后,采用静电纺丝技术制备PVA-PPy纳米共混纤维,随后加入对甲苯磺酸钠（TSNa）、十二烷基磺酸钠（DSNa）、十二烷基苯磺酸钠（DBSNa）和磺基琥珀酸二乙基己酯钠（DEHS）等不同掺杂剂改变纤维的结构和性能,采用SEM、TGA和四探针测试仪检测了纳米纤维的形貌、热稳定性和导电性能。结果表明,掺杂剂、PPy制备技术及聚合物添加剂对PPy的形貌、热稳定性和导电性能有很大影响。纳米纤维的电导率远远高于用同样掺杂剂所制备的PVA-PPy薄膜和PPy粉末,四种纳米纤维中DEHS掺杂PVA-PPy纳米纤维的电导率最高,可达26.64 S/cm。     

基于自适应伸缩因子的变论域模糊PID振动控制方法

针对传统变论域模糊PID控制算法(VUFP)伸缩因子无法自适应调整的问题,建立了基于自适应伸缩因子的变论域模糊PID振动控制方法,从而进一步提升振动控制效果。在传统VUFP算法的基础上,将系统误差及误差变化率作为输入,伸缩因子参数作为输出,提出了伸缩因子自适应调整函数;从非零性、对偶性、单调性、正规性、协调性入手,通过理论证明了所提自适应调整函数的合理性;基于VUFP算法,利用系统误差及误差变化率实现了自适应调整函数参数的实时自适应调整,从而避免了VUFP算法中伸缩因子缺乏模糊规则导致控制效果降低的问题。3层框架理论模型和实验结构的振动控制结果表明:所提控制方法能实现函数型伸缩因子参数的自适应调整,针对框架结构加速度、速度及位移的控制效果均优于PID和VUFP控制算法,为建筑结构振动控制提供了一种新的控制算法。     

硒化温度对SnSe2薄膜材料性能的影响

采用射频磁控溅射加硒化的两步法在超白玻璃衬底上生长SnSe₂薄膜,采用XRD、光学透过谱、Raman光谱、XPS和SEM等方法对薄膜进行性能表征。通过设置不同的硒化温度,研究不同硒化温度对所得薄膜相结构、物相与组分、表面形貌等性能的影响。结果表明:350℃,40min硒化所得薄膜为片状晶粒,光学带隙为1.46eV,相结构和均匀性等性能在该硒化条件下均为最佳。     

氮气退火对锑掺杂氧化锡薄膜近红外阻隔性能的影响

采用射频磁控溅射的方法,用96at％SnO2/4at％Sb2O3陶瓷靶在玻璃表面制备了锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜.研究了溅射功率、压强和后退火对薄膜近红外阻隔性能的影响,并采用Uv-Vis-NIR透射光谱、霍尔效应测试仪、XRD和SEM等设备对薄膜的性能和结构进行了测试和分析.结果表明,室温沉积的ATO薄膜近红外透光率较高,但在氮气中退火后,不同溅射压强和溅射功率下沉积的ATO薄膜的近红外透光率均显著降低.在氧含量为10％、压强为1.4Pa、溅射功率为200W时,室温下沉积的ATO薄膜在氮气中500℃下退火1h后,550nm处透光率由80.9％升高至85.8％,2 000 nm处透光率由84.6％下降至23.0％.