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71.
3.2脱羟过程主要参数变化图5所示为熔制过程中SiO2疏松体平均温度(Ta)和平均孔隙率(φa)随时间的变化曲线。可以看出,疏松体平均温度的升高趋势和图3所示的顶面升温曲线保持一致。在10h时顶面温度为1 000℃,疏松体平均温度为997.5℃,两者较为接近。这是由于高温下辐射换热较为强烈,顶面的高温很快传递到疏松体内部。由于35h之前疏松体还未烧结,所以φa保持初始值不变。在35h以后,疏松体开始发生烧结,φa开始下降。当脱羟进行到76.3h时,疏松体全部烧结为石英锭,此后随着温度升高石英锭的孔隙率维持在设定的最低值0.01。 相似文献
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针对当前智能控制电路项目实践课程存在问题,进行原因分析,并提出引入国际先进的教育模式——OBE模式的"8"字形课程架构,提出了课程设计和教学策略等方面的创新措施。 相似文献
73.
放射性核素在矿物表面的吸附微观结构分析进展 总被引:1,自引:0,他引:1
放射性核素在矿物表面的吸附行为是影响其在环境中的浓度、迁移、转化及毒性的重要过程。本文简要介绍了放射性核素在吸附剂表面的吸附、沉淀、氧化还原反应的作用机理,针对放射性核素在矿物表面的微观吸附形态的研究中所使用的一些先进的实验分析方法,重点介绍了同步辐射X射线吸收精细结构(XAFS)技术、荧光分析以及理论计算等技术,并展望了放射性核素在矿物表面微观反应机制的研究趋势。 相似文献
74.
结合“减税降费”的政策背景,以陕西省某转制地勘单位为例,引入风险控制相关理论并应用层次分析法,构建了税务风险评估指标体系,对转制地勘单位面临的税务风险进行了识别、分析、评估。研究结果表明:针对不同的税收类型,应着重关注不同方面的风险,排序前6位的风险依次为企业所得税扣除类风险、增值税决策环节风险、增值税销售环节风险、房产税计税依据风险、企业所得税税收优惠类风险、增值税采购环节风险;并对上述风险的控制机制进行了分析,从企业管控、政策优化两方面分别提出了相关对策和建议。 相似文献
75.
由于AD HOC网络自身的特点,其网络管理很多方面与固定网络不同,如移动性管理和体系结构管理等。讨论了AD HOC网络管理的各个方面,并列举了各个方面的设计思路和已有的相关算法的简介。 相似文献
76.
聚烯烃催化剂硅胶载体的制备和表征 总被引:3,自引:0,他引:3
采用并流共沉淀法制备了适用于聚烯烃催化剂的硅胶载体,为减少颗粒的聚集,在制备过程中添加一种表面活性剂。利用透射电子显微镜(TEM)、比表面积测定(BET)和X射线粉末衍射(XRD)法对制备的硅胶载体进行了表征;考察了在制备硅胶载体过程中原料硅酸钠溶液的浓度、溶液pH以及焙烧温度对产物硅胶载体的物理性能的影响。实验结果表明,硅酸钠溶液的浓度影响硅胶的初始粒子的大小,溶液pH直接影响硅酸钠的水解速率,焙烧温度影响硅胶的孔结构和比表面积。当硅酸钠溶液的浓度为0.2mol/L、溶液pH为8-9、反应温度为70℃、焙烧温度为700℃时,硅胶载体的BET比表面积为242.22m2/g、最可几孔径为16.45 nm、堆密度为0.492 1g/mL,与进口硅胶(Silica Gel 955)的物理性能相近。 相似文献
77.
介绍了皮带秤秤架响应特性曲线分析方法,对四种结构形式的秤架进行了响应特性曲线分析和比较,得出的结论是:悬浮式秤架的计量特性最好。 相似文献
78.
用CPLD实现SRAM工艺FPGA的安全应用 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种利用CPLD产生的伪随机码来加密SRAM工艺FPGA的方法,并详细介绍了具体的电路和VHDL代码。 相似文献
79.
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