关于Cu、Ag、Au在Si和Ge表面的吸附

本文利用集团模型和电荷自治的休克尔方法研究Cu,Ag,Au在Si(111)和Ge(111)面上可能的吸附位置和电子态,得到这些重金属原子只能吸附在三度开位上,并进入表面以下的结果,与实验观察(LEED,UPS,ISS)的结果一致.文章还计算了吸附体系的电子结构,所得到的态密度与已知的实验数据符合较好.     

清洁及单层吸附的Mo（001）表面声子色散研究

用最近邻及次邻中心相互作用势讨论了清洁的Mo（001）表面场声子，作为初步近似，用质量亏损模型讨论了不同吸附原子质量对表面声子的影响。     

美国表面科学动态

我们受教育部派遣,于1979年10～11月赴美国考察有关表面物理方面的研究发展工作。首先我们参加了美国真空学会(AVS)第26届年会,然后赴各地大学和研究所参观有关表面科学的一些内容。曾访问过的单位按行程次序为: (1)贝尔(Bell)实验室,墨累山 (Murray Hill)研究中心。 (2)齐洛克斯(Xerox)公司,韦白斯脱(Webster)研究中心。 (3)康乃尔(Cornell)大学。 (4)芝加哥大学。 (5)西北大学。 (6)威斯康星(Wisconsin)大学:密尔沃基(Milwaukee)分校,麦迪逊 (Madison)分校和斯道顿(Stoughton)物理科学实验室。 (7)洛斯阿拉莫斯(Los Alamos)科学实验…     

肥东县墙改办开展新型墙材企业扬尘污染治理验收

<正>本刊讯日前,根据安徽省和合肥市扬尘污染治理工作的安排部署,肥东县墙改办配合环保部门开展了新型墙材企业扬尘污染治理验收工作。此次扬尘污染治理验收共涉及全县烧结类、混凝土类、板材类26家新型墙材企业,其中23家已履行环评审批手续,10家通过环保"三同时"(建设项目中防治污染的设施必须与主体工程同时设计、同时施工、同时投产使用)验收。经联合验     

ASME核电建造规范对材料韧性的要求

鉴于核电设备的重要性及其高度潜在危险,ASME规范对核电设备建造规定了远高于普通压力容器的韧性要求和特殊试验方法。以核1级和核2级部件的要求为例,介绍了ASME规范在这方面的规定。     

Ni在Si(111)和Si(100)面上吸附的理论研究

采用集团模型和分立变分的 Xα方法研究 Ni原子在Si(111)顶位和三度开位吸附,以及在Si(100)四度位和桥位吸附的可能性,由体系的总能量最低确定稳定吸附位置,并在稳定吸附位讨论了Ni-Si成键特性和态密度.结果表明,只有当Si(111)表面弛豫情况下Ni原子才能沿[111]方向进入表面以下,但Ni原子也能沿[100]方向进入Si表面层.计算所得态密度与实验符合较好.比较所得的态密度和 NiSi_2/Si(111)的界面态密度表明位于表面下的Ni可能是生长NiSi_2的先兆.     

立体目标回波的建立及ISAR成像

逆合成孔径雷达(ISAR)成像仿真的先提条件是要有信号回波,所以首先要建立目标回波模型。本文主要根据一个具体飞行目标,建立立体目标回波模型,再由雷达回波原理,计算得到目标相对于雷达不同位置的回波信号,其中包括考虑遮挡影响,采用传统的距离-多普勒(R-D)成像,对所建立的回波信号进行成像仿真。     

单原子层应变超晶格(Si)_1/(Si_(1-x)Ge_x)_1(100)的电子结构

在计入应力的紧束缚框架之下计算了单原子层应变超晶格(Si)_1/(Si_1-xGo_x)_1的电子结构.对应于不同应变条件,得出能隙随组分的变化,并结合能带边不连续的变动加以考察.超晶格取Si(或Ge)晶格常数后能隙随组分的非单调变化源自合金受相同应力后能隙的类似特点.超晶格能带及态密度均呈现类Si的闪锌矿结构对称性.在虚晶近似得出的能隙和电子状态密度的基础上,利用相干势近似作了进一步的修正.     

生长在GaSb_xP_（1－x）（001）衬底上GaP的能带结构

采用半经验紧束缚近似方法对生长在ＧａＳｂｘＰ１－ｘ（００１）衬底上ＧａＰ的电子能带结构进行计算。ＧａＰ为间接能隙型的半导体，计算表明，当衬底中Ｓｂ组分ｘ≥０．５７时，应变的ＧａＰ薄层由间接能隙变成直接能隙的半导体。因应变，ＧａＰ原来简并的最低Ｘ点导带能级及价带顶（Γ点）能级发生分裂。随着Ｘ增大，分裂值变大。文中最后计算了价带能级到导带底跃迁的振子强度，对发光效率作了讨论。     

(Si)_(2n)/(Si_(1-x)Ge_x)_(2n)(100)形变层超晶格的电子结构

本文采用经验LCAO紧束缚方法,对晶格失配的Si和Ge所形成(Si)_(?)/(Si_(1-x)Ge_x)_(?)(100)(n=1～10)形变层超晶格进行了电子结构的计算。在计入晶格常数的变化对第一近邻相互作用的影响后,给出了超晶格能隙和导带底位置随层数的变化,讨论了能带折迭和能带边不连续对Si/Ge能隙直接间接性的影响。根据形变引起的Si和Ge导带底的反转,说明了Si层中二维电子气的现象。形变后的能带,与可得到的实验和其它理论的结果比较符合。本文还计算讨论了有效质量和界面态的问题。