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102.
分析了实际光学薄膜与其块状材料在微观结构及宏观尺寸上的差异,指出了单光子吸收电离与雪崩倍增可分为两个相对独立的先后过程处理,提出了实际光学薄膜激光诱导损伤的单光子吸收电离引发电子雪崩模型,讨论了原初电子数密度与入射激光波长的关系,以及实际光学薄膜激光诱导损伤阈值与其原初电子数密度的关系,提出了确定原初电子数密度的实验方法。 相似文献
103.
住建部5号令开启了新的工程质量监督模式,监督抽检作为主要监管手段之一被逐渐提上日程,文章论述了加强监督抽检的重要性,分析了监督抽检的现状和存在的问题,并提出了加强监督抽检的有关对策措施. 相似文献
104.
105.
重力张量数据的目标体边缘检测方法探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
文中介绍了几种目前常用的利用位场数据提取目标体边界的算法。通过分析各种边界提取算法的结果特征,将其分为阶跃型边缘和屋脊型边缘两种,并把边缘检测技术应用到重力张量数据处理中,利用阶跃型边缘检测算子和屋脊型边缘检测算子直接提取目标体边界。模型实验结果表明,利用边缘检测算法得到的目标体边界与实际边界吻合较好,与利用极值点、零点或其他特征点的边界提取算法相比,通过边缘检测算法得到的目标体边界更为精确、完整。同时通过对理论模型添加5%的高斯白噪声,证明了边缘检测算法具有一定的抗干扰能力。 相似文献
106.
电容式MEMS开关中弹性膜应力对驱动电压的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
详细分析了多种参数对 MEMS电容式开关驱动电压的影响 ,包括材料选取和工艺参数变化 ,并对驱动电压理论值进行计算。利用表面微机械加工技术在硅衬底上实现了电容式开关 ,测试结果表明采用 Al0 .96 Si0 .0 4弹性膜和厚胶牺牲层工艺能获得适中的剩余应力释放 ,微桥应力约为 10 6 N/m2 ,这为获得较低的开关驱动电压提供了可能。对长 1m m的 MEMS开关 ,当弹性膜厚为 0 .5μm,桥高为 3μm、桥宽为 30 μm、桥长为 2 50 μm时获得了 2 5V的驱动电压 ,S参数测试表明该电容式开关 1~ 4 0 GHz频段内的插入损耗低于 1d B。 相似文献
107.
本文对非线性平板光波导TM模传播特性进行了研究;采用图解法解了光波导的色散方程;最后讨论了引起光波导传播特性变化的物理机制。 相似文献
108.
109.
高阻硅基铝硅合金弹性膜MEMS相移器 总被引:1,自引:0,他引:1
级联式MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化,来改变传输线的特性阻抗和相速,达到相移的目的.文中讨论了MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜,获得了较低的下拉电压.测试结果表明,相移器的下拉电压不大于40V,且当控制电压大于10V时,即有明显的相移.该MEMS相移器制备于电阻率大于4000Ω*cm的高阻硅衬底上,获得了较好的传输特性,在整个测试频段1~40GHz,S21均小于3dB,并在25V时获得了大于25°的相移量. 相似文献
110.