生长抑素类似物EDDA/HYNIC-Lys0-TOCA的99Tcm标记及动物实验

本文设计合成了新的生长抑素类似物99Tcm-EDDA/HYNIC-Lys0-TOCA,并进行了正常小鼠及荷瘤裸鼠体内分布和显像,以探讨99Tcm-EDDA/HYNIC-Lys0-TOCA作为生长抑素受体阳性肿瘤显像药物的可能性。合成了Nε-HYNIC-Lys0-TOCA及其中间产物,并经核磁共振谱和质谱等分析确证。在优化的标记条件下,99Tcm-EDDA/HYNIC-Lys0-TOCA的标记率为96%左右,经Sep-Pak柱纯化后,放化纯达99%以上。体外稳定性实验及小鼠尿样分析表明标记物具有很好的体内外稳定性。99Tcm-EDDA/HYNIC-Lys0-TOCA在正常小鼠体内的清除非常迅速(血液半衰期为20min左右),主要通过肾脏途径代谢,同时在胃、肺和肾上腺也有相对较高的放射性摄取。荷瘤裸鼠体内分布实验显示该药物在肿瘤组织有较高的放射性摄取,给药1h后肿瘤与血、肌肉等组织有较高的T/NT比值。γ显像表明,在给药后1h至2h,肿瘤组织有明显的放射性摄取,显像清晰。初步研究结果显示,该药物有望发展成为生长抑素受体阳性肿瘤的显像剂。     

AgGaS2晶体红外光谱的研究

用傅里叶红外光谱仪测量了硫镓银晶体的红外透率,得到晶体的红外透射谱.应用群论的知识,对硫镓银晶体中离子的振动方式与红外活性之间的内在关系进行了讨论,并根据硫镓银晶体的红外光谱实验数据,计算了透过率和吸收系数.晶体的红外透过率(67%)与文献报道相近,与理论值还有一定差距,说明晶体内部还有第二相析出物形成的微观散射中心等缺陷存在.     

综晶化合物单晶体的熔体法生长分析

以液相-液相分离理论为基础,分析了综晶化合物熔体的分离过程和固-液界面吸收第二相液滴的规律,提出了抑制第二相液滴凝并、促进固-液界面吸收第二相液滴的方法,阐明了控制晶体化学配比的原理,为用熔体法生长综晶化合物单晶体提供了理论指导。     

AgGa0.6In0.4Se2晶体的制备与表征

以高纯单质为原料,按AgGa1-xInxSe2(x=0.4)化学计量配比配料(富1%Se),在双层石英安瓿中,用机械和温度振荡相结合的方法,合成出高纯单相多晶料.差热分析表明,其熔点和凝固点分别为804.3℃和775.6℃.采用带有籽晶袋、内壁镀碳的双层石英安瓿,用改进的垂直布里奇曼法生长出尺寸为Ф20 mm×60mm、结构完整.的AgGa0.6In0.4S2单晶体.经X射线衍射仪和红外分光光度计等分析表明,晶体为黄铜矿结构,晶格常数为a=0.602 32 nm,c=1.118 33 nm,其显露面和易解理面为(112)面;厚度约为2 mm的晶片在波长0.836-19.65μm 范围内透过率接近或超过60%,禁带宽度约为1.48 eV.结果表明,改进方法生长的AgGa1-xInxSe2晶体的结构完整,光学质量高,可用于中远红外非线性光学器件制备.     

3H与14C放射性标记化合物发展现状

³H与¹⁴C标记化合物作为示踪剂具有半衰期长,放射性能量低,毒性小、检测灵敏度高等优点,在生物技术、医药开发、农业、工业等领域有着广泛应用。随着新药创新研究的开展,对³H与¹⁴C标记化合物的需求也在日渐增加。本文总结了³H与¹⁴C标记化合物制备方法,分析了其在各研究领域的应用,简要回顾了³H与¹⁴C标记化合物在国内发展情况,并对国内放射性标记化合物的发展前景进行了展望,以期能促进³H与¹⁴C标记化合物的发展,满足国内科学研究对放射性标记化合物的需求。     

索—混凝土组合梁结构自振特性分析

主要针对索—混凝土组合梁这一新型结构,利用大型有限元分析软件ANSYS进行自振特性分析,得到该结构的自振频率变化曲线,以及相应的自振特点,为该结构的进一步发展做出一些有益的理论探索。     

AgGaS2晶体生长过程中的过冷度研究

根据熔体生长系统中相变驱动力的基础理论,针对AgGaS2过冷度较大的特点,采用自发成核后升温熔料、下降安瓿后上提熔料以及加类籽晶等工艺研究了AgGaS2晶体生长过程中因过冷度大而难于生长较大尺寸单晶体的问题,生长出了外形完整、无裂纹的尺寸达φ15mm×20mm的较高质量AgGaS2单晶体.     

AgGaS2晶体红外光谱的研究

用傅里叶红外光谱仪测量了硫镓银晶体的红外透率,得到晶体的红外透射谱.应用群论的知识,对硫镓银晶体中离子的振动方式与红外活性之间的内在关系进行了讨论,并根据硫镓银晶体的红外光谱实验数据,计算了透过率和吸收系数.晶体的红外透过率(67%)与文献报道相近,与理论值还有一定差距,说明晶体内部还有第二相析出物形成的微观散射中心等缺陷存在.     

砷锗镉晶体的定向加工

介绍了一种砷锗镉(CGA)晶体定向加工的新方法,即根据CGA晶体自身解理面,结合晶体标准极图和X射线衍射图谱,确定出晶体的c轴方向;并以c轴为基准快速寻找CGA晶体通光面且进行回摆精修的器件加工新方法。运用该方法,针对改进的垂直Bridgman法自发成核生长的CGA晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出CGA晶体SHG倍频器件粗坯,其相位匹配角θm=33.58°、方位角φ=0°,尺寸达5 mm×5 mm×8mm。     

CdGeAs_2晶体的表面XPS表征及表面损伤层测定（英文）EI北大核心CSCD

采用改进的布里奇曼法生长出尺寸为Φ15 mm×45 mm,外观完整无开裂的Cd Ge As2单晶体。为了提高器件的使用性能,需要对晶体进行表面处理,主要对Cd Ge As2晶片表面的抛光技术进行了研究。通过对解理面切割分析得到(101)晶面,机械抛光后进行了XPS分析。对该晶面采用溴甲醇溶液进行腐蚀抛光,采用XRD回摆及光学显微镜对不同抛光时间的试样进行观测。结果表明,CGA晶体的(101)晶面在常温下采用溴甲醇溶液腐蚀50 s后,晶片表面光滑无划痕,并且具有半峰宽较小的回摆曲线,同时计算得到Cd Ge As2晶体的表面损伤层厚度。