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101.
介绍了一种用于传声器阵列声源定位精度校准的空间点声源声场模拟方法,并基于该方法设计了一套空间点声源模拟系统,完成了一个传声器阵列的定位位置精度校准。文章采用多通道点声源空间声场合成算法模拟了一个位于自由场空间的点声源,根据传声器阵列中每一个传声器的空间位置坐标,计算出传感器所处位置声场的动态声信号。通过耦合腔标准声源将对应的多通道电压信号输入被校准阵列系统,完成点声源的模拟。然后,该阵列运用波束形成算法进行声源定位,得出点声源的位置,并与模拟点声源的位置进行比对,实现对阵列定位准确性的校准。 相似文献
102.
103.
本文在对风力机运行特性进行分析的基础上,建立了风力机的简易数学模型,在风速变化时,实时调节发电机的转速和转矩,使之运行在最佳叶尖速比上,以捕获最大风能。借鉴矢量控制思想,采用基于定子磁链定向的控制方法,给出了最大凤能追踪控制系统框图,仿真结果验证了该系统最大风能追踪控制的准确性和有效性。 相似文献
104.
研究了先进CMOS器件中poly-Si/TaN/HfSiON栅结构的干法刻蚀工艺。对于poly-Si/TaN/HfSiON栅结构的刻蚀,我们采用的策略是对栅叠层中的每一层都进行高选择比地、陡直地刻蚀。首先,对于栅结构中poly-Si的刻蚀,开发了一种三步的等离子体刻蚀工艺,不仅得到了陡直的poly-Si刻蚀剖面而且该刻蚀可以可靠地停止在TaN金属栅上。然后,为了得到陡直的TaN刻蚀剖面,研究了多种BCl3基刻蚀气体对TaN金属栅的刻蚀,发现BCl3/Cl2/O2/Ar等离子体是合适的选择。而且,考虑到Cl2对Si衬底几乎没有选择比,采用优化的BCl3/Cl2/O2/Ar等离子体陡直地刻蚀掉TaN金属栅以后,我们采用BCl3/Ar等离子体刻蚀HfSiON高K介质,改善对Si衬底的选择比。最后,采用这些新的刻蚀工艺,成功地实现了poly-Si/TaN/HfSiON栅结构的刻蚀,该刻蚀不仅得到了陡直的刻蚀剖面且对Si衬底几乎没有损失。 相似文献
105.
106.
107.
利用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、热力学软件Thermo-calc等研究了MG600锚杆钢奥氏体晶粒的长大规律。结果表明:加热温度对晶粒长大的影响比保温时间更显著,温度越高晶粒长大速率越快,但长大速率受界面曲率的影响而不断减小。热力学计算证明较低温度下V(C,N)的析出是抑制晶粒长大的主要因素。随着温度的升高,V(C,N)溶解以后,奥氏体晶粒进入平稳长大阶段。借助Sellars方程建立的MG600钢奥氏体晶粒长大模型与试验实测值吻合较好,能够较好地预测不同温度下的奥氏体晶粒尺寸。 相似文献
108.
弱胶结软岩巷道围岩具有胶结差、遇水泥化、强流变性等工程特点,受采动影响,巷道围岩呈现非对称变形且底臌问题严重.以宁夏梅花井煤矿232201工作面辅助运输巷为工程背景,综合采用现场调研、数值模拟和理论分析等方法,研究了不同煤柱尺寸下,采动巷道围岩塑性区分布形态及应力分布特征,确定合理煤柱尺寸为40m;基于软岩巷道变形破坏... 相似文献
109.
110.