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101.
研究了总剂量4 Mrad(Si) 60Co-γ辐照对AlGaN/GaN HEMT器件的影响,器件在辐照过程中采用不同的加电方式。辐照过程会增加器件的栅泄漏电流,但辐照终止后电流快速恢复至初始状态。对比辐照前后的直流性能,器件的肖特基势垒高度、阈值电压、漏电流、跨导等未出现退化问题。实验结果表明,基于自主开发的GaN标准工艺平台所制备AlGaN/GaN HEMT器件,具有稳定可靠的60Co-γ抗辐照能力。 相似文献
102.
本文以尼雷尔基金会广场酒店项目为例,从BIM技术应用分析、BIM技术算量应用路线与流程等方面对BIM技术在施工阶段动态流程化的算量应用展开探索研究和分析,总结了一套高效率、动态、流程化的算量方案,实现了BIM工程量信息的落地价值。 相似文献