摩托罗拉8位HC08微控制器系列

摩托罗拉微控制器(MCU)具有编程语言简单、外围设备齐全、存储器模型用户友好、选择广及供应多、性能价格比高等优点,被设计者评为最容易使用的产品之一。在全球顶级的原始设备制造厂商(OEM)的无数嵌入式系统和用户最终产品中都可找到摩托罗拉的MCU,包括键盘、传呼机、电子游戏机、洗衣机、安全系统及汽车等。     

在金(Ⅲ)-溴化物-罗丹明6G体系中高灵敏浮选分光光度法测定金

本文叙述了在金(Ⅲ)-溴化物-罗丹明6G(R6G)体系中高灵敏浮选分光光度法测定微量金。在溴存在下,形成R6G-Br二溴衍生物。金的化合物用二异丙醚浮选,用1M(mol/L)硫酸洗涤浮选物,并将其溶解在甲醇中。在545nm处测量溶液的吸光度。此浮选化合物被认为是一种加合物,其化学式为[(R6G-Br~+)(AuBr_4~-)]·12[(R6G-Br_3~+)(Br_3~-)]。表现摩尔吸光系数为11.4×10~51·mol~(-1)·cm~(-1)。严重干扰的元素有Pd,Ag,Hg(Ⅱ)和Tl(Ⅲ)。金从酸性溴化物介质中萃取到二异丙醚后,仅Tl(Ⅲ)严重干扰。本文提出的方法可应用于测定泡铜样品中的痕量金。结果表明,该法的精密度和准确度较好。     

亚洲电力改革:孰是孰非?

电力市场化是全球电力工业都在热烈讨论和积极探索的热点课题 ,在中国电力市场化改革的今天 ,尤其具有重要的理论和实践意义。 2 0 0 2年 5月 1 3日至 1 8日 ,由清华港大深圳电力系统研究所主办的“电力市场新进展高级研讨会”在深圳清华大学研究院举行。在研讨会上 ,与会专家分别就电力市场研究和实践中的若干问题发表了演讲。本刊将主要内容摘录、汇编成文 ,奉献给大家 ,以便广大读者对电力市场的研究动态有比较全面的了解。在此 ,衷心感谢参加“电力市场新进展研讨会”的各位专家给予的大力支持和帮助 ,特别感谢香港大学 /浙江大学文福拴博士、香港大学严正博士在本文的摘编过程中提供的技术指导和具体帮助。     

以蔗糖作可再生的化工原料

蔗糖化学工业的出现要从有机化工原料(石油和煤)的成本急升来考虑,能源价格飞涨而世界糖价却徘徊于不经济的基线与暂时的高价之间,跟着的是不可预见的产量不足。正如目前那样,如果糖能打进食品以外的市场,那么这一可供补充和有保证的需求将会刺激增加糖产量的投资,而且可以避免一定时期会出现的糖过剩引起的不景气后果。     

心理因素对分析数据的影响及预防措施

研究了分析人员的心理状态、情绪变化、内在动机等对分析数据的影响,提出了具体的对策和预防措施     

利用干酪根H/C比评价烃源岩热成熟度与生烃潜力

在近几年来,人们倾向于利用Rock-Eval热解法的氢指数来评价烃源岩,而忽略了用干酪根H/C比值评价烃源岩的优点.Rock-Eval热解法能快速、廉价、定量(mgHC/g岩石)地给出岩石中干酪根的热解数据.由于在数据分布上的普遍分散性,一般人们认为Rock-Eval热解法对烃源岩评价是一种筛选评价.描述了在烃源岩评价中应用H/C比值的优点,并确定了H/C比值与热成熟度、有机质转化率和排油量之间新的相关性.热解干酪根的H/C比值与Ⅰ型、Ⅱ型干酪根的热转化率程度存在一定的相关性.定量计算的氢和碳损失与加水热解实验中的损失具有很好的一致性,表明干酪根H/C比值可作为干酪根端元热成熟度的一个好的指标.如果现在和原始H/C比值确定,那么这些数据同时也为评价有机质转化率提供了一种新的方法.现在H/C比值可通过微相有机质分析测试.对于生油源岩,Ⅰ型未熟干酪根的H/C比值为1.35～1.50,Ⅱ型H/C比值为1.20～1.35.在加热水解实验中,油的排出量与H/C比值之间的相关性可为勘探工作者提供一种快速评价油的排出量的方法.依据加水热解实验、测试的H/C比值和计算的原始TOC(总有机碳)对Williston盆地(Bakken页岩)、Los Angeles盆地(Nodular页岩)和Illionis盆地(New Albany页岩)的成熟烃源岩进行了初步体积估算,其结果于已发表的该盆地油的评价值非常吻合.     

具有锥瓣形光波导的2-甲基4-硝基苯胺对Nd:YAG激光产生二次谐波

在最近几年,合成了具有极大的光学非线性的有机化合物。它们的非线性至少能与一般的非线性材料如磷酸二氢钾(KDP)或LiNbO_3相比或更大。本文研究中,采用2-甲基4-硝基苯胺(MNA)的薄晶片进行二次谐波产生的实验,MNA是用汽相生长法制备,它的非线性很大,SHG张量的最大分量d_(11)=2.5×10~(-10)m/V,品质因数比LiNbO_3大2000倍,在控温油槽(温度精度±0.1℃)内进行汽相生长。在密封玻璃管中,温度达到120℃,十天内生长出晶体。制出的MNA晶体是类似薄片的透射     

分子束外延生长液晶光阀用ZnSxSe1-x薄膜的研究

描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理 ,并从器件的电学模型出发 ,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求。采用分子束外延技术在ITO导电玻璃上制备了具有 (111)面定向生长结构的ZnSxSe1-x多晶薄膜 ,通过控制反应时的生长参数 ,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜。室温下 ,该薄膜的紫外 /可见光响应对比度大于10 3 ;响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分 ,在 (36 0～ 4 10 )nm范围内连续可调 ;薄膜的暗电阻率在 (4 32× 10 9～ 2 0 3×10 11)Ω·m之间 ,并随着晶粒的增大而减小 ;在液晶光阀工作的低频段 (<2 0 0Hz) ,其光 /暗阻抗比在 0 2 2～ 0 36之间。     

超大规模集成电路中任意形状掩模边缘附近的离子分布

离子注入过程中,注入离子在掩模边缘附近的分布决定MOS晶体管漏极区域处的电场强度,计算了70keV硼离子注入硅样品中不同掩模边缘离子密度等线,考虑了四阶矩下的杂质深度分布(无掩模情况)。合理选择掩模蚀刻工艺,可获得均匀性,高抗噪声度的器件中。同时也指出了太薄掩模材料对注入离子分布的影响。