非线性干涉滤光片开关特性及逻辑功能

应用干涉滤光片作为一种光学双稳器件,演示了光学逻辑开关功能。     

Control of peak sidelobe level in adaptive arrays

Adaptive beamforming techniques are now widely used to reject interference (jammer/clutter) signals in radar, communication, and sonar applications. In adaptive arrays using the sample matrix inversion (SMI) algorithm, inadequate estimation of the covariance matrix results in adaptive antenna patterns with high sidelobes and distorted mainbeams. In this paper, a method is proposed to precisely control the peak (rather than average) sidelobe level of adaptive array patterns. The proposed method is also generalized to adaptive array antennas with moderate bandwidth and large random amplitude and phase errors. Theoretical analysis and simulation results are provided to illustrate the performance of the method proposed     

2-D SHAPE BLENDING OF NURBS CURVE SHAPES

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微型无阀泵参数化结构设计及测试

 从理论计算和试验两方面研究了用于微流控化学分析芯片的微型无阀泵流动特性，初步建立了微型无阀泵流道结构的数学模型，重点讨论了结构参数的选取原则及相应的流动阻尼系数的计算方法． 通过试验验证了数值计算的可靠性，为微型无阀泵参数化设计及优化提供了理论依据及经验曲线．     

无油润滑压缩机活塞环和支承环设计

通过对填充聚四氟乙烯材料活塞环及带卸荷槽结构支承环的研究 ,确定了活塞及活塞环结构 ,建立了带卸荷槽支承环的力学分析模型 ,并将其结果用于结构尺寸的确定。在压缩机工艺指标不变的情况下 ,用该方法设计的活塞环和支承环性能优良。     

原位插层聚合制备PVC/蒙脱土纳米复合材料

采用氯乙烯单体直接插层到蒙脱土中进行原位插层聚合，制备纳米复合材料，并用小角X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和电子探针技术对复合材料进行了结构表征。实验结果表明：采用原位插层聚合法制得的PVC／蒙脱土（MMT）复合材料为剥离型纳米复合材料。     

水溶性油墨用富马酸改性松香树脂的研制

介绍了一种水溶性富马酸改性松香树脂的制备方法 ,选取了较佳的工艺条件 ,本产品经国内几家油墨厂使用 ,结果表明适合水溶性油墨的应用要求     

一个可切实服务于运营商的移动无线因特网

本文在简单介绍了移动IP及其路由优化，无线局域网（WLAN）和GPRS的基础上，提出了一个新的利用移动IP来融合WLAN和GPRS的移动无线因特网的网络结构，详细论述了其多连接的路由过程，平滑垂直切换，AAA，并做了简要的性能分析。     

内循环好氧三相流化床处理造纸中段废水

本实验采用内循环好氧三相流化床处造纸中段废水，经过一段时间的驯化，获得了稳定的出水。CDO去除经保持在65％以上，系统对进水污染负荷的变化具有较大的承受能力。出水Cl^-的浓度有所增加，说明驯化后的微生物可能对有抽氯化物具有一定的降解作用。水气比在1／120至1／140之间可获得最好的COD去除效果。后进行絮凝处理后，出水COD降为60－80mg/L,BODo 50-60/L，色度为100－150CU，挥发性酚的质量浓度小于0．0265mg／L。     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ